• E2M - 전기 전자와 첨단 소재
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• 제8권6호
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• pp.693-698
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• 1995

We fabricated Zinc Oxide transparent conductive thin films with 2wt% of A1203 doping using rf magnetron sputtering. And we investigated electrical and optical characteristics of them which were made with conditions ; rf power 60-300W, thickness of film 3000 11000.angs.. Resistivity, carrier concentration and Hall mobility were investigated for electrical characteristics. Transmittance and optical band gap were investigated with Spectrophotometer in the wavelength range between 200-900 nm. As a result, ZnO thin film fabricated with rf power of 180W and thickness of 5000.angs. showed the best properties. At the best condition, the sample has resistivity of 1*10$\^$-4/.ohm.cm and transmittance of 95% in the visible range.

• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제5권1호
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• pp.41-44
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• 1984

The oxidation of carbon monoxide has been investigated on Ni-doped ${\alpha}-Fe_2O_3$ catalyst at 300 to $450^{\circ}$. The oxidation rates have been correlated with 1.5-order kinetics; first with respect to CO and 1/2 with respect to $O_2$. Carbon monoxide is adsorbed on lattice oxygen of Ni-doped ${\alpha}-Fe_2O_3$, while oxygen appears to be adsorbed on oxygen vacancy formed by Ni-doping. The conductivities show that adsorption of CO on O-lattice produces conduction electron and adsorption of $O_2$ on O-vacancy withdraws the conduction electron from vacancy. The adsorption process of CO on O-lattice is rate-determining step and dominant defect of Ni-doped ${\alpha}-Fe_2O_3$ is suggested from the agreement between kinetic and conductivity data.

• ETRI Journal
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• 제43권5호
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• pp.916-922
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• 2021

We calculated the correlation between the doping concentration of the charge layer and the multiplication layer for separate absorption, grading, charge, and multiplication InGaAs/InAlAs avalanche photodiodes (APDs). For this purpose, a predictable program was developed according to the concentration and thickness of the charge layer and the multiplication layer. We also optimized the design, fabrication, and characteristics of an APD for 20 Gbps application. The punch-through voltage and breakdown voltage of the fabricated device were 10 V and 33 V, respectively, and it was confirmed that these almost matched the designed values. The 3-dB bandwidth of the APD was 10.4 GHz, and the bit rate was approximately 20.8 Gbps.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2003년도 추계학술발표회초록집
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• pp.58-58
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• 2003

Silver doped ZnO (SZO) films were prepared by rf magnetron sputtering on glass substrates with extraordinary designed ZnO target. With the doping source for target, use AgNO$_3$ powder on a various rate (0, 2, and 4 wt.%). We investigated dependence of coating parameter such as dopant content in target and substrate temperature in the SZO films. The SZO films have a preferred orientation in the (002) direction. As amounts of the Ag dopant in the target were increased, the crystallinity and the transmittance and optical band gap were decreased. And the substrate temperature were increased, the crystallinity and the transmittance were increased. But the crystallinity and the transmittance of SZO films were retrograde at 200$^{\circ}C$. Upside facts were related with composition. In addition, the Oxygen K-edge features of the SZO films were investigated by using near edge X-ray absorption fine structure (NEXAFS) spectroscopy. Changes of optical band gap of the SZO films were explained compared with XRD, XPS and NEXAFS spectra.

• Journal of Ceramic Processing Research
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• 제13권spc2호
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• pp.359-362
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• 2012

We have employed Kelvin force microscopy (KFM) system to measure the potential change of a single SnO2 nanowire which had been synthesized on the Au thin film by a thermal process. By using the KFM probing technique, Rh coated conducting cantilever can approach a single SnO2 nanowire in nano scale and get the potential images with oscillating AC bias between Au electrode and cantilever. Also, during imaging the potential status, we controlled the concentration of oxygen in measuring chamber to change the ionosorption rate. From the results of such experiments, we verified that the surface potential as well as doping type of a single SnO2 nanowire could be changed by oxygen ionosorption.

• 대한화학회지
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• 제24권3호
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• pp.183-192
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• 1980

$SnO_2$, Sb-doped $SnO_2$>, 그리고 백금촉매하에서 일산화탄소의 산화반응을 연구하였다. $SnO_2$ 및 Sb-doped $SnO_2$ 촉매하에서 산화반응은 CO 및 $O_2$에 대해서 각각 1차, 백금 촉매하에서는 1/2차 반응에 따랐다. $SnO_2$에 소량의 Sb첨가(dopant composition : 0.05∼0.1mole%)는 반응속도를 증가시키고 그 이상의 첨가는 오히려 반응속도를 감소시켰다. 백금 촉매하의 산화반응에서는 일산화탄소의 농도가 증가함에 따라 반응속도가 오히려 감소하는 억제효과를 보여주었다. 각 촉매하에서 산화반응의 활성화에너지는 Sb-dopoped $SnO_2$ 촉매 (dopant compisito : 0.05 mole%)에서 5.7 kcal, 백금 촉매에서 6.4 kcal이었다. 실험적으로 얻은 반응차수와 doping 효과로부터 가능한 반응메카니즘을 제안하였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제25권2호
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• pp.68-73
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• 2015

$Yb^{3+}$ 이온이 25 at.%까지 치환된 $Y_3Al_5O_{12}$ 단결정을 Czochralski 법으로 성장시켰다. 0.8 mm/h의 인상속도와 10 rpm의 회전 속도로 40 mm의 결정 직경과 160 mm의 결정 길이를 가진 단결정을 얻었다. 결정 성장 분위기는 순수한 질 소 혹은 질소와 산소를 혼합한 가스 분위기였다. 순수한 질소 분위기에서는 청록색을 띤 결정이 성장되었고 99 %의 질소와 1 %의 산소를 혼합한 가스 분위기에서 성장한 결정은 무색이었다. 농도 분석결과를 보면, 결정의 길이가 길어짐에 따라 $Yb^{3+}$의 농도는 감소하고, core 영역의 $Yb^{3+}$ 농도는 core 없는 영역보다 다소 높게 검출되었다. $Yb^{3+}$ 이온의 도핑 농도가 증가함에 따라 형광 수명은 감소하였다.

• 청정기술
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• 제27권2호
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• pp.146-151
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• 2021

순수한 BiVO₄ 및 Sm 이온이 도핑된 BiVO₄ 촉매들을 수열합성법으로 제조하였고, 그들의 물리적 성질을 XRD, DRS, SEM 및 PL 등을 사용하여 특성분석을 하였다. 또한, 가시광 조사 하에서 로다민 B의 분해반응에서 광촉매로서의 활성을 조사하였다. Sm 이온의 첨가는 낮은 온도에서도 촉매의 결정구조를 ms-BiVO₄ 구조에서 tz-BiVO₄로 변화시켰다. 흡광도 분석결과로 부터 모든 촉매들은 Sm 이온의 도핑과 관련없이 가시광 영역에서 흡수스펙트럼을 보여주고 있다. 또한 순수한 BiVO₄ 촉매는 무정형의 형상을 보여주고 있으나 Sm 이온이 첨가되면 그 입자들의 형상이 타원형으로 변화하였으며 입자의 크기가 줄어 들었다. 로다민 B의 광분해 반응에서 순수한 BiVO₄ 촉매에 비해 Sm 이온이 첨가된 촉매들의 광분해 활성이 증가하였다. 또한, 3%로 도핑된 Sm3-BVO 촉매가 가장 높은 활성을 보일 뿐만 아니라 가장 높은 수산기 라디칼의 생성속도와 가장 큰 PL피크 세기를 나타내었다. 이 결과는 촉매와 물의 계면에서 얻어지는 수산기 라디칼(•OH)의 생성속도는 광촉매 활성과 밀접한 연관성이 있다는 것을 의미한다.

• Current Photovoltaic Research
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• 제2권4호
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• pp.147-151
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• 2014

A boron doping process using a boron tri-bromide ($BBr_3$) as a boron source was applied to form a $p^+$ emitter layer on an n-type mono-crystalline CZ substrate. Nitrogen ($N_2$) gas as an additive of the diffusion process was varied in order to study the variations in sheet resistance and the uniformity of doped layer. The flow rate of $N_2$ gas flow was changed in the range 3 slm~10 slm. The sheet resistance uniformity however was found to be variable with the variation of the $N_2$ flow rate. The optimal flow rate for $N_2$ gas was found to be 4 slm, resulting in a sheet resistance value of $50{\Omega}/sq$ and having a uniformity of less than 10%. The process temperature was also varied in order to study its influence on the sheet resistance and minority carrier lifetimes. A higher lifetime value of $1727.72{\mu}s$ was achieved for the emitter having $51.74{\Omega}/sq$ sheet resistances. The thickness of the boron rich layer (BRL) was found to increase with the increase in the process temperature and a decrease in the sheet resistance was observed with the increase in the process temperature. Furthermore, a passivated emitter solar cell (PESC) type solar cell structure comprised of a boron doped emitter and phosphorus doped back surface field (BSF) having Ni/Cu contacts yielding 15.32% efficiency is fabricated.

• 한국에너지공학회:학술대회논문집
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• 한국에너지공학회 1995년도 춘계학술발표회 초록집
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• pp.45-52
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• 1995

광 촉매로 널리 알려진 TiO$_2$의 광 분해 거동의 변화를 관찰하기 위하여 Nb$_2$O$_{5}$를 첨가하여 sol-gel 용법으로 제조한 후 DCA(dichloroacetic acid) 의 광분해 효율을 측정하였다. Sol-gel process 과정에서 첨가된 Nb$_2$O$_{5}$의 농도 및 열처리 온도변화에 따른 광분해 효율을 관찰한 결과, Nb$_2$O$_{5}$를 첨가한 후 40$0^{\circ}C$에서 한시간 동안 열처리 한 광 촉매의 광분해 효율이 가장 높게 나타났다. 또한 열처리 온도와 무관하게 Nb$_2$O$_{5}$의 양이 증가할수록 광분해 효율은 감소하는 것으로 관찰되었다. 이는 excess electron 의 증가로 환원 반응 혹은 recombination rate기 증가하기 때문이라고 사료된다. 분해 대상 물질의 pH가 낮을수록 광분해 효율이 증가하는 것을 알 수 있었다.알 수 있었다.