Diode laser absorption sensors are advantageous because they may provide fast, sensitive, absolute, and selective measurements of species concentration. These systems are very attractive for practical applications owing to its compactness, reasonable cost, robustness, and ease of use. In addition, diode lasers we fiber-optic compatible and thus enable simultaneous measurements of multiple species along a line-of-sight. Recent advances of room-temperature, near-IR and visible diode laser sources for telecommunication, optical data storage applications make it possible to be applied for combustion diagnostics based on diode laser absorption spectroscopy. Therefore, combined with fiber-optics and high sensitive detection strategies, compact and portable sensor systems are now appearing for variety of applications. The objectives of this research are to develop new gas sensing system and to verify feasibility of this system. Wavelength modulation spectroscopy has been demonstrated in these experiments and has a bright prospect to this diode laser system.
Semiconductor laser diode has a reflective facet in a both-ends side fundamentally. Laser performance for improving, Anti-Reflection and High-reflection coating on the facet of semiconductor laser diode. To prevent internal feedback from both facets for realizing superluminescent diode and reducing the reflection-induced intensity noise of laser diode, it's key techniques are AR/HR coatings. In the study AR coating film were manufactured by Ion-Assisted Deposition(IAD) system. Then manufactured coating film measurement electrical properties(L-I-V, Se, Resistor) and Optical properties (wavelength FFP)
Journal of information and communication convergence engineering
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제4권3호
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pp.105-107
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2006
Amorphous silicon is a kind of optical to electric conversion material with current or voltage type after generating a numerous free electron and hole when it is injected by light. It is very effective technology to make schottky diode by bonding thin film to use optical diode. In this paper, we have fabricated optical diode device by forming chrome silicide film through thermal processing with thin film($100{\AA}$) having optimal amorphous silicon. The optimal condition is that we make a thin film by using PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) to improve reliability and characteristics of optical diode. We have obtained high quality diode by using chrome silicide optical diode from dark current and optical current measurement compared to previous method. It makes a simple process and improves a good reliability.
In this paper, development of laser diode driver with 2.5kW rating is presented. The driver is configured with interleaved PFC converter, high frequency full bridge DC-DC converter, two laser diode drivers and ${\mu}$-processor based controller. The system has two laser diode drivers for providing high current and low current. High current driver delivers normal output power of diode; low current driver is for providing critical current of diode for long lifetime. Computer simulation and experiment was performed for verification, as the results, developed driver performs well.
This paper presents the development process for a high-power diode laser for metal surface hardening. To combine the emissions from several laser bars, it is necessary to collimate the emitted light using an optical lens. Thus, to achieve a suitable power density and uniform beam profile, several optical layouts were proposed. To estimate the laser beam for a flat-top distribution, a numerical analysis was performed using the ZEMAX software, and the results were compared with the experimental results. With a focal lens assembled in a serial diode stack source, the design can utilize the advantage of compacting the overall beam size. Experimental results for a robotic system demonstrated the processing ability of this diode laser module in industrial laser hardening.
다이오드 레이저를 optogalvanic spectroscopy에 이용하여 우라늄, 토륨 및 루비듐에 대한 전자전이 및 다이오드 레이저의 분광학적 특성을 살펴보았다. 흡수스펙트럼의 분석은 속빈 음극관내 음극표면에서 튕김에 의해 형성된 고온의 금속원자 기체를 다이오드 레이저를 이용하여 금속원자의 광흡수 현상에 따른 임피던스의 변화를 측정함으로써 수행되었다. 다이오드 레이저를 사용하여 자연산 악티늄족 원소인 토륨과 우라늄의 검출을 수행하였다. 본 실험에 이용된 optogalvanic spectroscopy에서는 Doppler효과로 인한 띠 나비에 제한이 있어 초미세 갈라짐이나 동위원소 선이동을 관찰하는데 어려움이 있었다. 하지만 루비듐 780.023 nm에서는 Doppler 띠 넓힘이 있음에도 불구하고 동위원소의 선이동과 초미세 갈라짐을 관찰할 수 있었다. 본 연구에서는 다이오드 레이저가 방사능을 지닌 악티늄족 원소들의 검출과 이들의 동위원소 존재비를 측정할 때 유용하고, 별로 알려지지 않은 란탄족 및 악티늄족의 초미세 갈라짐 상수와 같은 분광학적으로 중요한 파라미터를 구하는데에도 긴요하게 쓰일 수 있음을 고찰하였다.
This paper is related to a new solar power conditioner for a built-in step-up chopper function. In the first step-up chopper proposed solar PV power conditioner for mutually connected in series with the input voltage of the bypass diodes are respectively connected to the positive terminal should install the mutual boosting chopper diode connected in series with the boost chopper switching element between the two power supply and at the same time the first and the second was connected to a second diode and a resonance inductor and a snubber capacitor in series with each other. And the common connection point between the bypass diode and the step-up chopper and the step-up chopper diode common connection point of the switching elements of the input voltage was set to the boost inductor for storing energy. In addition, between the step-up chopper and the step-up chopper diode and a switching element of a joint connection point of the first auxiliary diode and the second common connection point of the auxiliary diode was provided, the resonance capacitor. Between the step-up chopper and the step-up chopper diode and a switching element of a joint connection point and the common connection point of the resonance inductor snubber capacitor and connecting the third secondary diode, between two power supply lines is characterized by configuring the DC link capacitor bus lines in parallel. Therefore, it is possible to suppress the switching loss through, DC link bus lines, as well as there could seek miniaturization and weight reduction of the power conditioner itself by using a common capacitor of the non-polar non-polar electrolytic capacitor having a capacitor, the service life of the circuit can be extended and it is possible to greatly reduce the loss can be greatly improve the reliability of the product and the operation of the product itself.
The purpose of this study was to evaluate the effect of diode laser & desensitizing agents to overcome hypersensitizing root surfaces problem after periodontal treatment. 20 patients(60 teeth) presented were volunteered in this study. Diode laser & MS coat was respectively applied on hypersensitizing root surfaces after periodontal treatments. Following application they were evaluated immediately. The results were as follows: 1. The frequency and degree of root surface hypersensitivity levels were measured by the sequence of tactile and air stream. 2. Reduction of root surfaces hypersensitivity by tactile were for Diode laser and Ms coat application respectively $3.0294{\pm}2.0224$ and $3.2692{\pm}1.6139$. 3. Reduction of root surfaces hypersensitivity by air stream were for Diode laser and Ms coat apapplication respectively $3.0294{\pm}2.0224$ and $2.2692{\pm}1.6139$. 4, It could be said that Diode Laser and Ms coat application were significantly effective in reducing dentin hypersensitivity as far as concerned effect, Ms coat applicatio showed more effective than Diode laser. In conclusion, both methods were significantly effective in reducing dentinal hypersensitivity. Therefore, it was recommended that Diode laser and desensitizing agents could be used routinely for patients dentinal hypersensitivity following periodontal treatment.
본 연구에서는 전압제어형 PIN 다이오드 감쇄기에 사용될 수 있는 새로운 PIN 다이오드 모델을 제안하였다. 종래의 PIN 다이오드 모델의 문제점인 DC해석과 전압/감쇄 특성의 오류의 원인을 분석하였고 분석된 결과를 바탕으로 종래 모델의 문제점을 해결할 수 있는 새로운 PIN 다이오드 모델을 제시하였다. 제시된 모델은 간단한 구성으로 상용 시뮬레이터에 쉽게 삽입되어질 수 장점이 있다. 모델의 유용성을 검증하기 위하여 전압제어형 감쇄기를 설계하여 DC특성과 입력전압에 따른 감쇄특성을 실험한 결과 제시된 모델이 종래 모델이 갖는 문제점을 해결할 수 있을 뿐만 아니라 전압제어형 감쇄기를 정확하게 설계할 수 있음을 확인하였다. 본 논문에서 제시된 모델은 PIN 다이오드를 이용한 다양한 초고주파 회로 설계시 적용되어질 수 있을 것으로 사료된다.
The SMD type P-N junction diode with ceramic package for diode case were fabricated. It was made this diode with simple process from $Al_2O_3$ ceramic chip, solder preform, diode chip, coating reagent and conductive paste for chip terrmination. Its merit is small size, easy manufacture. fast cooling with ceramic case. The electric characteristics of the diode such as reverse recovery time, breakdown voltage, forward voltage, and leakage current were 5 28ns, 1322V, 1.08V, $0.45{\mu}A$.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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