• 전자공학회논문지CI
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• 제46권1호
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• pp.128-135
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• 2009

동영상에서 시공간상 일정한 위상을 갖는 윤곽선을 정합시켜 물리적 공간에서의 동일한 위치를 추적하는 방법은 명암이 일정한 윤곽선을 정합시키거나 일정한 명암을 전제로 추적하는 방법에 비해 정확성이 높고 조명조건에 대해 안정된 특성이 있다. 본 논문에서는 이러한 성질을 이용하여 조명변화와 노이즈에 강인하게 카메라의 움직임을 추정하는 기법을 소개한다. 우선, 가버 필터뱅크를 사용하여 공간적으로 여과된 연속영상으로부터 계산된 위상의 크기를 기반으로 필터의 방향과 수직인 곳의 광류를 구한 후, 최소제곱법을 적용하여 어파인 모델에 상응하는 카메라의 움직임 파라미터를 구한다. 실험을 통하여 이러한 방법은 조명조건의 변화를 야기하는 디스플레이 기기를 피사체로 하여 카메라의 위치변화를 추정하는 방식의 영상기반 포인팅 디바이스에도 적용될 수 있음을 보인다.

• 전자공학회논문지B
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• 제33B권3호
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• pp.56-61
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• 1996

In this paper, new buck converter of a TV power system is presented. First, we devised a revised driving circuit for an emitter-coupled type buck converter, by which it is possible to reduce the material cost of transformers and voltage stress of power device. Secondly, we adopted a hybrid oscillation technique. When TV system is in off-stage, initial standby power which is necessary for remote controllable TV system is supplied by self-oscillating mode. Main power which is necessry in TV system bing on state is provided by an externally triggered oscillating mode. The switching frequency is synchronized to the oscillating frequency of horizontal deflection in TV, by which we can reduce picture noises and the size of power transformer. Thirdly, a simple error amplifier is inserted to the feed-back loop to keep the output voltage constant which means pulse width modulatio mode is added in driving part of power device. Finally, we showed by experiments that our proposed converter performs well enough to be close to the theoretically predicted values.

• 한국정보통신설비학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신설비학회 2008년도 정보통신설비 학술대회
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• pp.347-349
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• 2008

The primitive of Identity-Based Broadcast Encryption allows a sender to distribute session keys or messages for a dynamically changing set of receivers using the receiver's identity as a public key. We already know that the trade-off exists the efficiency between the public parameter size and the ciphertext size. So, if the ciphertext size is O(1), then the public parameter size may be O(n). Some of IBBE scheme take the public parameters as input in decryption phase. Thus, a decryption device (or client) has to store the public parameters or receive it. This means that a decryption device (or client) has to have the proper size storage. Recently, delerabl$\square$e proposed an IBBE which have the O(1) size ciphertexts and the O(n) size public parameters. In this paper, we present an IBBE scheme. In our construction the ciphertext size and the public parameter size are sub-linear in the total number of receivers, and the private key size is constant.

• 한국정밀공학회지
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• 제12권8호
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• pp.73-85
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• 1995

The sensor system to measure the distance precisely from the center of the sensor system to the obstacle is needed to recognize the surrounding environments, and the sensor system is to be calibrated thoroughly to get the range information exactly. This study covers the calibration of the active range sensor which consists of camera and laser slit emitting device, and provides the equations to get the 3D range data. This can be possible by obtaining the extrinsic parameters of laser slit emitting device through image processing the slits measured during the constant distance intervals and the intrinsic parameters from the calibration of camera. The 3D range data equation derived from the simple geometric assumptions is proved to be applicable to the general cases using the calibration parameters. Also the exact 3D range data were obtained to the object from the real experiment.

• 정보보호학회논문지
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• 제23권4호
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• pp.593-607
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• 2013

현대 차량 내부 네트워크는 ECU라고 불리는 소형 전자제어 장치로 구성되어 있다. 과거에는 주행 중인 차량의 내부 네트워크에는 접근할 수 있는 방법이 없었고, 따라서 차량 내부 네트워크 폐쇄적인 환경으로 인식되었으며 이로 인하여 내부 네트워크를 구성하고 통신하는 기기간의 인증기법이 존재 할 필요가 없었다. 하지만 현재 통신기술이 발전함에 따라 차량 내부 네트워크에 접근할 수 있는 다양한 방법이 등장하였고, 이로 인하여 발생할 수 있는 차량내부 네트워크를 구성하는 ECU간의 기기인증 문제에 대하여 관심이 집중되고 있다. HB-Family 기법은 RFID 환경에서 대표적인 경량인증기법이며, RFID 환경은 차량 내부 네트워크와 비슷한 제약사항을 가지고 있다. 따라서 본 논문에서는 ECU의 약한 연산처리 능력과 CAN 프로토콜의 제한적인 메시지 전송량을 고려하여 효율적인 기기 인증을 수행하기 위해 HB-Family 경량인증기법을 차량 내부 CAN에 적용하는 방법을 제안한다. 제안하는 방법을 적용한 인증기법의 가용성과 효율성을 평가하기 위해 DSP-F28335 Device기반의 성능평가를 수행한 결과 실험 환경에 따라 수행속도를 최소 10%에서 최대 36%의 속도를 향상 시킬 수 있었으며, 이를 차량 내부 네트워크의 다양한 측면에서 분석한다.

• 한국정보처리학회논문지
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• 제5권1호
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• pp.40-48
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• 1998

병렬 컴퓨터 구조의 통신 시스템에 있어서 수많은 반도체 소자의 연결을 가능하게 하는 선형 사이즈의 팽창기가 병렬 상호 연결망과 관련된 여러 분야에서 활발히 연구 되어왔다. 그러나 이러한 병렬 컴퓨터 구성의 주요한 단점은 프로세서와 메모리간의 병렬 상호 연결망 구성에 있어서 요구되는 비용이 크다는 것이다. 선형 사이즈의 팽창기를 이용한 집중기는 기존의 병렬 상호 연결망 보다 이론적으로 최적의 병렬 상호 연결망 구조로 구성 될 수 있다. 현존하는 구조는 커다란 팽창 상수를 갖는 팽창기에 근거한다. 이는 현실적으로 반도체 기술에 부합하는 네트워크의 구성에 비현실성을 내포한다. 팽창 상수를 줄임으로서 현실성이 있는 팽창기에 근거하여 집중기를 구성하는 것이 바람직하다. 본 논문은 식, $\mid\Gamma_x\mid\geq[1+d(1-\midX\mid/n)]\midX\mid$을 만족하는 향상된 팽창 상수를 찾기 위한 증명 과정에서 퍼뮤테이션 함수의 일치점을 세분화하여 이용하였고, 그 팽창 상수를 집중기 구성에 적용하여 희귀적 네트워크의 구조를 갖는 보다 현실성있는 초집중기의 구성을 제안한다. 결과적으로, (n, 5, $1-\sqrt{3/2}$)로 구성된 팽창기를 이용하여, Gabber와 Gali의 구조에 적용 함으로서 209n의 복잡도를 갖는 초집중기를 구성한다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제24권8호
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• pp.1058-1063
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• 2020

본 논문에서는 IT 접지 시스템의 감전 및 화재사고 방지를 위한 새로운 절연 저항 계산 기법을 소개한다. 최근 신재생 에너지와 에너지 저장 장치의 확대 보급으로 태양광 발전 시장이 급속하게 성장하고 있으나 절연이 파괴되어 화재사고가 빈번히 발생함에 따라 IT 접지 방식에도 절연 저항 상태를 감시하는 장치가 필수적으로 요구되고 있다. 제안하는 절연 저항 계산 기법은 기존의 고정된 시정수곱 계수기반의 알고리즘에 비해 절연 임피던스의 조건에 따라 동적시정수곱계수를 적용함으로써 넓은 절연 저항 범위에서 빠른 응답 시간과 높은 정확도를 갖는다. 제안하는 동적 시정수 기반 절연 저항 계산 기법은 기존의 방법에 비해 최대 응답 시간은 39.29초, 오차율은 20.11%를 개선시키는 효과를 보였다.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제4권1호
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• pp.52-62
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• 2004

In this paper we look at the effect of Fringe-Enhanced-Barrier-lowering (FEBL) for high-K dielectric MOSFETs and the dependence of FEBL on various technological parameters (spacer dielectrics, overlap length, dielectric stack, S/D junction depth and dielectric thickness). We show that FEBL needs to be contained in order to maintain the performance advantage with scaled high-K dielectric MOSFETs. The degradation in high-K dielectric MOSFETs is also identified as due to the additional coupling between the drain-to-source that occurs through the gate insulator, when the gate dielectric constant is significantly higher than the silicon dielectric constant. The technology parameters required to minimize the coupling through the high-K dielectric are identified. It is also shown that gate dielectric stack with a low-K material as bottom layer (very thin $SiO_2$ or oxy-nitride) will be helpful in minimizing FEBL. The circuit performance issues with high-K MOS transistors are also analyzed in this paper. An optimum range of values for the dielectric constant has been identified from the delay and the energy dissipation point of view. The dependence of the optimum K for different technology generations has been discussed. Circuit models for the parasitic capacitances in high-K transistors, by incorporating the fringing effects, have been presented.

• 전자공학회논문지A
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• 제31A권9호
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• pp.89-95
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• 1994

BaTiO$_{x}$ thin film as insulator and ZnS:Mn film as phosphour layer for thin film electrouminescent device have been deposited by thermal evalporation and dependence of electrical and opeical characeristics have been studied. The optimum deposition conditions for the BaTiO$_{x}$ thin film are such that BaTiO$_{3}$/TiO$_{2}$ mixing ratio was 0.7, sub strate temperature was 100 $^{\circ}C$ and annealing time was 1 hour at 300 $^{\circ}C$. In this case, the dielectric constant of BaTiO$_{x}$ thin film fabricated under those optimum conditions was 26, and for AnS:Mn thin films, the crystallization was done well and the deposition rate was 1300 $\AA$/min when substrate temperature was 200$^{\circ}C$. Thin film Electroluminescent devices were fabricated using BaTiO$_{x}$ and AnS:Mn thin films. The luminescence threshold voltage of device was 41.5 V and brightness was 1.2${\mu}W/cm^{2}$ at appied voltage of 50 V.

• 전자공학회논문지A
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• 제31A권9호
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• pp.121-127
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• 1994

The capability for application of rf magnetron sputterred and post annealed BaTiO$_{3}$ thin films in dielectrics AC drived TFELD(thin film electroluminescent device) was investigated. The dielectric constant of the thin films slightly increased up to about 25 with increase fothe post annealing temperature in the range of 210$^{\circ}C$-480$^{\circ}C$. The dielectric loss was about 0.005-0.01 except for the high frequency range above 100kHz and nearly independent on post annealing temperature. The BaTiO$_{3}$ thin film used for TFELD was annealed at 480.deg. C and Si$_{3}$N$_{4}$ thin film was inserted between BaTiO$_{3}$, lower dielecrics and ZnS:Mn, phosphor layer for stable driving of the device and for fear of interdiffusion. Regardless of the frequency of the applied sine wave voltage, the threshold voltage of the prepared TFELD was 65volt and saturated brightness was about 3000cd/m$^{2}$ at 130volt(2kHz sine wave), 65volt above V$_{TH}$.