In this work, we investigated hydrogen content, bond structure, and electrical properties of a-Si:H films prepared by ECR plasma CVD as a function of pressure. In general, the photo sensitivity of a-Si:H films prepared by CVD method decreases as the deposition rate increases, but the photo sensitivity of a-Si:H films prepared by ECR plasma deposition method increases as the deposition rate increases. In the same condition of microwave power, the ratio of $SiH_4/H_2$, and pressure, though film thickness increases linearly with deposition time and hydrogen content in the film is constant, photo conductivity can be decreased because $SiH_2$ bond is made more than SiH bond in the short reaction time. According to increase pressure in the chamber, SiH bond in the film increase and optical energy gap decrease. So, photo conductivity can be increased. But photo sensitivity decreased as dark conductivity increase. It must be grown in the condition of low pressure and hydrogen gas for taking the a-Si:H film of high quality.
Proceedings of the Korean Environmental Sciences Society Conference
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1997.10a
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pp.1.1-32
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1997
Atmospheric monitoring capabilities were established in 1988 by the University of Florida at Duke forest, near Durham. NC: Cary forest, near Gainesville, FL: and Austin forest, near Nacogdoches, TX. Continuous (hourly averaged) measurements of air quality (ozone, nitrogen oxides and sulfur dioxide) and meteorological variables were made at these three low elevation (< 200 meters), rural locations in the southeastern U.S. for more than three years. During the same period at these sites wet and dry acid deposition samples were collected and analyzed on an event and weekly basis, respectively The monitoring locations were selected to determine actual atmospheric exposure indices for southern pine species in support of on-site surrogate exposure chamber studies conducted by Southern Commercial Forest Research Cooperative (SCFRC) investigators. Daily and quarterly averaged ozone maxima were higher (55 ppb) at the northernmost site in the network (Duke forest) in the second and third quarters (spring and summer seasons) and lower (35 ppb) in the first and fourth quarters (winter and fall seasons), when compared to ozone levels at the two southernmost sites (Cary and Austin forests). Seasonal ozone levels at the latter two sites were similar Nitrogen oxieds and sulfur dioxide levels were insignificant (< 5 ppb) most of the time at all sites, although soil emissions of NO at two sites were found to influence nighttime ozone concentrations. Typical maximum quarterly and annual aggregate ozone exposure indices were significantly higher at Duke forest (92.5/259 ppm-hr) than those values observed at the two southern sites (65.6/210 ppm-hr). Acid deposition (wet and dry) components concentrations and deposition fluxes observed at the Duke forest, NC piedmont site, were generally greater, dependent on site and season, than corresponding variables measured at either of the two southern coastal plain sites (Cary and Austin forests). Acid deposition variables observed at the latter two sites were remarkably similar, both qualitatively and quantitatively, although the sites were located 1300 km apart. A comparison of deposition fluxes of elemental nitrogen (NO3, NH4') and sulfur (5042-, SO3) components in wet and dry forms indicated that wet deposition accounts for approximately 70% of the total nitrogen and 73% of the total sulfur input on an annual equivalent basis at all sites.
Kim, Daejong;Jeong, Sang Min;Yoon, Soon Gil;Woo, Chang Hyun;Kim, Joung Il;Lee, Hyun-Geun;Park, Ji Yeon;Kim, Weon-Ju
Journal of the Korean Ceramic Society
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v.53
no.6
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pp.597-603
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2016
Tantalum carbide, which is one of the ultra-high temperature ceramics, was deposited on graphite by low pressure chemical vapor deposition from a $TaCl_5-C_3H_6-Ar-H_2$ mixture. To maintain a constant $TaCl_5/C_3H_6$ ratio during the deposition process, $TaCl_5$ powders were continuously fed into the sublimation chamber using a screw-driven feeder. Sublimation behavior of $TaCl_5$ powder was measured by thermogravimetric analysis. TaC coatings have various phases such as $Ta+{\alpha}-Ta_2C$, ${\alpha}-Ta_2C+TaC_{1-x}$, and $TaC_{1-x}$ depending on the powder feeding methods, the $C_3H_6/TaCl_5$ ratio, and the deposition temperatures. Near-stoichiometric TaC was obtained by optimizing the deposition parameters. Phase compositions were analyzed by XRD, XPS, and Raman analysis.
The effects of Sm:Ba:Cu composition ratio in SmBCO coated conductor on their superconducting properties were investigated. The SmBCO coated conductors were fabricated by reactive co-evaporation method using EDDC(Evaporation using Drum in Dual Chamber) system. In this system, we could obtain various samples with different composition ratios in a batch by the technique providing composition gradient at deposition zone. From the specimens prepared by EDDC system, we found that composition ratio is uniform parallel to the drum axis, but gradient along the circumferential direction of the drum. We installed a shield having parallelogram open area between the deposition chamber and the evaporation chamber in EDDC system, and attached a 30 cm long template, which is parallel to drum axis, onto the drum surface. In this configuration, we could obtain SmBCO coated conductors having a gradient composition along the length of template. We measured the composition ratios and surface morphologies with periodic interval by SEM and EDAX, and confirmed the profile of composition ratio. We also measured critical current using non-contact Hall probe critical current measurement system and thereby could plot composition ratio vs. critical current. The maximum critical current was obtained, and the surface morphology with the shape of roof tile was observed at the corresponding composition ratio of Sm:Ba:Cu = 1.01:1.99:4.87. It was also found that composition ratio had an effect on not only critical current but also surface morphology.
This paper presents direct ${\mu}c$-Si:H thin film growth on the glass substrates using RPCVD system (remote plasma chemical vapor deposition) in low temperature. Hydrogenated micro-crystalline silicon deposited by RPCVD system in low temperature is very useful material for photovoltaic devices, sensor applications, and TFTs (thin film transistors). Varying the deposition conditions such as substrate temperature, gas flow rate, reactive gas ratio $(SiH_4/H_2)$, total chamber pressure, and rf power, we deposited ${\mu}c$-Si:H thin films on the glass substrates (Corning glass 1737). And then we measured the structural and electrical properties of the films.
As the minimum feature size decrease, control of contamination by nanoparticles is getting more attention in semiconductor process. Cleaning technology which removes nanoparticles is essential to increase yield. A reference wafer on which particles with known size and number are deposited is needed to evaluate the cleaning process. We simulated particle trajectories in the chamber by using FLUENT. Charged monodisperse particles are generated using SMPS (Scanning Mobility Particle Sizer) and deposited on the wafer by electrostatic force. The Experimental results agreed with the simulation results well. We calculate the particles loss in pipe flow theoretically and compare with the experimental results.
집속 이온빔 기술은 고해상도의 이온빔 리토그라피, 마스크가 필요없는 이온주입, 그리고 Ion beam induced deposition 등 반도체 소자의 미세가공에 널리 이용되어 왔다. 좋은 안정도와 높은 전류밀도, 적은 에너지 퍼짐 그리고 낮은 에미턴스와 높은 선명도를 갖는 집속 이온빔 장비를 위한 액체 갈륨 이온원이 한국에서 개발 시업되었다. 이온빔의 전압이 15kV, 렌즈전압이 7kV 그리고 렌즈상단에 위치한 aperture의 직경이 0.2mm일 때, 0.1$mu extrm{m}$의 빔 직경으로 집속되는 정전 einzel렌즈가 설계 조립되었고, FIB 진공 chamber는 렌즈부와의 차 등 진공시스템으로 구성되어 설계제작되었다. FIB 장비가 조만간 한국에서 이온빔 밀링, ion beam induced deposition 그리고 잘못된 부분의 수정 등 반도체 제작공정에서의 응용에 큰 기여를 할 것이라 기대된다.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2009.11a
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pp.143-143
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2009
In this paper, MgO thin films were deposited on Si(100) single crystal substrates by RF magnetron sputtering. The effects of RF power, chamber atmosphere, and substrate temperature on the characteristics of MgO thin films were already studied. Thus, we focused on the working pressure. The structural properties of the films changed dramatically with deposition conditions. Structural analyses carried out by X-ray diffraction (XRD). MgO films were obtained at the deposition conditions as follows:
Thick and dense deposit of higher than 97% of theoretical density was formed by induction plasma spraying. To investigate the effects of powder morphology on the density of deposit, two different kinds of Yttria-Stabilized-Zirconia powder, METCO202NS (atomized & agglomerated) and AMDRY146 (fused & crushed), were used and compared. After plasma treatment, porous METCO202NS powder was all the more densely deposited and its density was increased. In addition to the effect of powder morphology, the process parameters such as, sheath gas composition, probe position, particle size and spraying distance, and so on, were evaluated. The result of experiment with AMDRY146 powder, particle size and spraying distance affected highly on the density of the deposit. The optimum process condition for the deposition of -75 ${\mu}m$ of 20%-Yttria-Stabilized-Zirconia powder was 120/201/min of Ar/$H_2$ gas rate, 80 kW of plasma plate power, 8 cm of probe position and 150 Torr of spraying chamber pressure, at which its density showed 97.91% of theoretical density and its deposition rate was 20 mm/min. All the results were assessed by statistical approach what is called ANOVA.
ZnO films have been grown easily with the conventional thermal evaporation method on SiO$\_$2/ coated Si wafers. Anhydrous zinc acetate has been used as evaporation source. Zinc-acetate was directly heated in the laboratory-made brass boat. Zinc-acetate was sublimed at the boat temperature of about 220.deg. C. The substrates were heated to 600.deg. C with home made tantalium heater. Oxygen has been flowed into the deposition chamber to change the partial pressure of oxygen. X-ray diffraction patterns showed all the films to be amorphous. The films deposited at high oxygen pressure exhibit higher resistivity than films at low pressure. Energy dispersive spectroscopy(EDS) and rutherford backscattering spectrometry(RBS) were conducted on the films to reveal the composition of the ZnO films.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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