• 제목/요약/키워드: Delay locked loop(DLL)

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DLL 보드 상에 코어 및 I/O 잡음에 의한 칩의 성능 분석 (Analysis of Chip Performance by Core and I/O SSN Noise on DLL Board)

  • 조성곤;하종찬;위재경
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제13권4호
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    • pp.9-15
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    • 2006
  • 이 논문은 코어와 I/O 회로가 포함된 PEEC(Partial Equivalent Electrical Circuit) PDN(Power Distribution Networks)의 임피던스 변화에 따른 칩의 성능 분석을 나타내었다. I/O 전원에 연결된 코어 전원 잡음이 I/O 스위칭에 어떠한 영향이 미치는지 시뮬레이션 결과를 통하여 보였다. 또한 직접 설계한 $7{\times}5$인치 DLL(Delay Locked Loop)시험 보드를 사용하여 칩의 동작 지점에 따른 전원 잡음의 효과를 분석하였다. $50{\sim}400MHz$에 주파수 대역에 따른 DLL의 지터를 측정하고 시뮬레이션 결과로 얻어진 임피던스 값과 비교하였다. PDN의 공진 피크가 100MHz 주파수에서 1옴보다 큰 임피던스를 갖기 때문에 DLL의 지터는 주파수가 100MHz 근처에서 증가함을 보여준다. 타겟 임피던스를 줄이기 위한 방법인 디커플링 커패시터에 따른 칩과 보드의 임피던스 변화를 보였다. 따라서 전원 공급망 설계는 디커플링 커패시터와 함께 코어 스위칭 전류와 I/O 스위칭 전류를 같이 고려해야 한다.

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무작위와 체계적인 것에 의한 지터를 제어하는 지연고정루프 (A Random and Systematic Jitter Suppressed DLL)

  • 안성진;최영식;최혁환
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국정보통신학회 2016년도 춘계학술대회
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    • pp.693-695
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    • 2016
  • 무작위와 체계적인 것에 의한 지터를 제어하는 지연고정 루프가 소개 되었다. AC는 연속적인 지연단의 지연 시간을 평균화 하고 모든 지연 단의 지연시간을 동일하게 한다. 지연위상고정을 기반으로한 0.18um CMOS공정으로 제작된 클럭 발생기의 측정결과는 13.4ps rms 지터 크기를 보였다.

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작은 지터를 가지는 2단 구조의 혼성모드 DLL (2-Stage Mixed-Mode Delay Locked Loop with Low Jitter)

  • 김대희;황인석
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2006년도 하계종합학술대회
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    • pp.963-964
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    • 2006
  • By combining a digital DLL and an analog DLL in 2-stage, an improved DLL is implemented in this paper. The proposed DLL is composed of a RDLL (Register Controlled DLL) and a conventional analog DLL. The phase comparator used in the DLL is built with sense-amp based D flip-flops for high speed operation. The proposed DLL circuits have been designed, simulated in 0.18um, 1.8V TSMC CMOS library. The implemented DLL have demonstrated the fast lock-on time of 1us and low jitter of 72ps.

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낮은 지터를 갖는 지연고정루프를 이용한 클럭 발생기 (A Clock Generator with Jitter Suppressed Delay Locked Loop)

  • 남정훈;최영식
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제49권7호
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    • pp.17-22
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    • 2012
  • 본 논문에서는 낮은 지터를 갖는 지연고정루프를 이용하여 좀 더 정확한 출력을 갖는 클럭 발생기를 제안하였다. 제안된 클럭 발생기에 사용된 지연고정루프는 열 개의 지연단을 가진 전압제어지연단(VCDL)을 사용하며, 기준 지연단의 출력신호와 이전 지연단의 출력신호를 비교하여 위상차에 해당하는 만큼의 전압을 발생시켜 지연단의 제어전압으로 인가된다. 이 제어전압은 지연단의 출력신호의 위상이 흔들림에 따라 증가하거나 감소하여 출력신호의 지연정도를 조절하여 위상변화를 보상하며, 지연고정루프 출력신호 및 체배 된 출력신호의 지터를 감소시킨다. 제안된 클럭 발생기는 1.8V $0.18{\mu}m$ CMOS 공정을 이용하여, 100MHz를 입력신호로 인가 할 경우 1GHz의 신호가 출력 되도록 설계 하였다. 시뮬레이션 결과 출력 신호의 peak-to-peak 지터 값은 3.24ps이었다.

로컬 클록 스큐 보상을 위한 낮은 지터 성능의 지연 고정 루프 (A Low Jitter Delay-Locked Loop for Local Clock Skew Compensation)

  • 정채영;이원영
    • 한국전자통신학회논문지
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    • 제14권2호
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    • pp.309-316
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    • 2019
  • 본 논문은 로컬 클록 왜곡을 보상하는 낮은 지터 성능의 지연 고정 루프를 제시한다. 제안된 DLL은 위상 스플리터, 위상 검출기(PD), 차지 펌프, 바이어스 생성기, 전압 제어 지연 라인(Voltage Controlled Delay Line) 및 레벨 변환기로 구성된다. VCDL(: Voltage Controlled Delay Line)은 CML(: Current Mode Logic)을 사용하는 자체 바이어스 지연 셀을 사용하여 온도에 민감하지 않고 잡음을 공급한다. 위상 스플리터는 VCDL의 차동 입력으로 사용되는 두 개의 기준 클록을 생성한다. 제안된 회로의 PD는 CML에 비해 적은 전력을 소비하는 CMOS 로직을 사용하기 때문에 PD는 위상 스플리터의 유일한 단일 클록을 사용한다. 따라서 VCDL의 출력은 로컬 클록 분배 회로뿐만 아니라 PD에 사용되므로 레벨 변환기에 의해 레일-투-레일 신호로 변환된다. 제안된 회로는 $0.13{\mu}m\;CMOS$ 공정으로 설계되었으며, 주파수가 1GHz인 클록이 외부에서 인가된다. 약 19 사이클 후에 제안된 DLL은 잠금이 되며, 클록의 지터는 1.05ps이다.

Effect of Imperfect Power Control on Performance of a PN Code Tracking Loop for a DS/CDMA System

  • Kim, Jin-Young
    • 대한전자공학회:학술대회논문집
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    • 대한전자공학회 2000년도 하계종합학술대회 논문집(1)
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    • pp.209-212
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    • 2000
  • In this paper, effect of imperfect power control on performance of a pseudonoise (PN) code tracking loop is analyzed and simulated for a direct-sequence/code-division multiple access (DS/CDMA) system. The multipath fading channel is modeled as a two-ray Rayleigh fading model. Power control error is modeled as a log-normally distributed random variable. The tracking performance of DLL (delay-locked-loop) is evaluated in terms of tracking jitter and mean-time-to-lose-lock (MTLL). From the simulation results, it is shown that the PN tracking performance is very sensitive to the power control error.

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A 1.7 Gbps DLL-Based Clock Data Recovery for a Serial Display Interface in 0.35-${\mu}m$ CMOS

  • Moon, Yong-Hwan;Kim, Sang-Ho;Kim, Tae-Ho;Park, Hyung-Min;Kang, Jin-Ku
    • ETRI Journal
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    • 제34권1호
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    • pp.35-43
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    • 2012
  • This paper presents a delay-locked-loop-based clock and data recovery (CDR) circuit design with a nB(n+2)B data formatting scheme for a high-speed serial display interface. The nB(n+2)B data is formatted by inserting a '01' clock information pattern in every piece of N-bit data. The proposed CDR recovers clock and data in 1:10 demultiplexed form without an external reference clock. To validate the feasibility of the scheme, a 1.7-Gbps CDR based on the proposed scheme is designed, simulated, and fabricated. Input data patterns were formatted as 10B12B for a high-performance display interface. The proposed CDR consumes approximately 8 mA under a 3.3-V power supply using a 0.35-${\mu}m$ CMOS process and the measured peak-to-peak jitter of the recovered clock is 44 ps.

위치 기반 시스템을 위한 CMOS IR-UWB RFIC (A CMOS IR-UWB RFIC for Location Based Systems)

  • 이중무;박명철;어윤성
    • 전자공학회논문지
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    • 제52권12호
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    • pp.67-73
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    • 2015
  • 본 논문에서는 근거리 위치 기반 시스템을 위한 3 - 5 GHz IR-UWB(impulse radio-ultra wide band) RFIC를 제안한다. 수신기의 구조는 에너지 검출 방식으로 설계되었고, 고속 sampling을 하기 위해서 4 bit ADC 와 DLL(delay locked loop) 을 이용하여 equivalent-time sampling 기술을 사용하도록 설계되었다. 송신기는 저전력의 디지털 UWB impulse generator 를 설계하였다. 설계된 IR-UWB RFIC 는 CMOS $0.18{\mu}m$ 공정을 이용하여 제작되었다. 측정된 수신기의 감도는 -85.7 dBm 이며, 송신기와 수신기는 1.8 V 전원 전압에서 각각 32 mA 와 25.5 mA 의 전류를 소모한다.

고속 적외선 광 송수신 IC 설계 (A Design of High Speed Infrared Optical Data Link IC)

  • 임신일;조희랑;채용웅;유종선
    • 한국통신학회논문지
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    • 제26권12B호
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    • pp.1695-1702
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    • 2001
  • 본 논문에서는 4 Mb/s 부터 100 Mb/s 의 IrDA(Infrared Data Association) 응용이 가능한 CMOS infrared (IR) wireless data link IC의 설계 방법에 대해 기술한다. 이 모듈은 60 dB에서 100 dB가지의 이득 범위를 가지는 variable gain transimpedance amplifier, AGC(automatic gain control) 회로, AOC(automatic offset control) loop, 4 PPM (pulse position modulation) modulator/demodulator와 DLL(delay locked loops)로 구성된다. 본 적외선 광송수신 IC는 0.25 um 1-poly 5-metal CMOS 공정을 이용하여 제작되었다. 2.5 V 전원 전압에서 동작시켰으며 100 Mb/s에서 출력단 버퍼를 제외하고 25 mW의 진력을 소모한다. 칩의 크기는 1.5 mm $\times$ 1 mm이다.

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