• Bulletin of the Korean Chemical Society
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• 제35권7호
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• pp.1927-1928
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• 2014

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2011년도 제40회 동계학술대회 초록집
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• pp.338-338
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• 2011

The behavior of hydroxide ions on water-ice films was studied by using $Cs^+$ reactive ion scattering (RIS), low energy sputtering (LES) and temperature-programmed desorption (TPD). A $Cs^+$ beam of a low kinetic energy (<100 eV) from $Cs^+$ ion gun was scattered at the film surface, and then $Cs^+$ projectiles pick up the neutral molecules on the surface as $Cs^+$-molecule clusters form (RIS process). In LES process, the preexisting ions on the surface are desorbed by the $Cs^+$ beam impact. The water-ice films made of a thick (>50 BL) $H_2$O layer and a thin $D_2O$ overlayer were controlled in temperatures 90~140K. We prepared hydroxide ions by using Na atoms which proceeded hydrolysis reaction either on the ice film surface or at the interface of the $H_2O$ and $D_2O$ layers.[1] The migration of hydroxide ions from the $H_2O/D_2O$ interface to the top of the film was examined as afunction of time. From this experiment, we show that hydroxide ions tend to reside at the water-ice surface. We also investigated the H/D exchange reactions of $H_2O$ and $D_2O$ molecules mediated by hydroxide ions to reveal the mechanism of migration of hydroxide to the ice surface.

• 한국통신학회논문지
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• 제24권9A호
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• pp.1276-1284
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• 1999

본 논문에서는 실내 무선 통신로를 레일리 (Rayleigh) 페이딩 통신로와 라이시안 (Rician) 페이딩 통신로로 모델링한 다음, 페이딩 보상용 파일럿 심볼을 삽입한 Concatenated FEC 부호를 WATM에 적용하여 셀 비트 오율 (BER) 및 셀 손실 (CLP) 성능을 시뮬레이션을 통해 평가하였다. 또한 이를 통해 얻은 성능 평가 결과를 동일한 조건에서 컨벌루션 부호에 적용하여 얻은 성능 평가 결과와 비교하였다. 레일리 페이딩 통신로에서 음성 서비스의 최대 허용 BER ($\textrm{10}^{-3}$)을 기준으로 결과를 분석해 보면, 파일럿 심볼을 Concatenated FEC 부호에 삽입하는 경우가 컨벌루션 부호에 삽입하는 경우 보다 $E_b/N_o$면에서 약 4 dB의 성능 개선이 얻어짐을 알 수 있었다. 그리고 라이시안 페이딩 통신로에서 직접파 대 반사파 전력비를 나타내는 K 파라미터의 값이 6과 10인 경우, 음성 서비스의 최대 허용 BER을 기준으로 결과를 분석해 보면, 파일럿 심볼을 Concatenated FEC 부호에 삽입하는 경우가 $E_b/N_o$면에서 각각 4 dB와 2 dB의 성능 개선이 얻어짐을 알 수 있었다. 또한 K=6과 K=10인 라이시안 페이딩 통신로에서 CLP =$\textrm{10}^{-3}$을 기준으로 결과를 분석해 보면, 파일럿 심볼을 Concatenated FEC 부호에 삽입하는 경우가 $E_b/N_o$면에서 각각 3.5 dB와 1.5 dB의 성능 개선이 얻어짐을 알 수 있었다.

• 생약학회지
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• 제46권2호
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• pp.133-139
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• 2015

Two coumarinolignans, cleomiscosins C (1) and D (2) were isolated from the heartwood of Acer mono, together with four compounds, 5-O-methyl-(E)-resveratrol-3-O-${\beta}$-D-glucopyranoside (3), 5-O-methyl-(E)-resveratrol-3-O-${\beta}$-D-apiofuranosyl-(1$\rightarrow$6)-${\beta}$-D-glucopyranoside (4), scopoletin (5), and (E)-resveratrol-3-O-${\beta}$-D-glucopyranoside (6). Of them, cleomiscosins C (1) and D (2) were applied to preparing inclusion complex molecules with ${\beta}$-cyclodextrin (${\beta}$-CD) to improve the very poor solubility in cell media. The CD complexes of 1 and 2 exhibited an enhancement of water solubility which is feasible to measure their cytotoxicity using a spectrophotometer in a cell-based assay. Anti-proliferative activity of these complex molecules was successfully estimated on HCT116 human colon cancer cells, and cleomiscosin D (2) showed anti-proliferative effects at the concentration of 1.95~31.2 ${{\mu}g}$/mL in a dose-dependent manner.

• 대한화학회지
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• 제17권2호
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• pp.85-94
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• 1973

니트로 벤젠의 세가지 유도체, 즉 1.3.5-트리니트로벤젠(1.3.5-TNB), m-디니트로벤젠(m-DNB) 및 니트로벤젠(NB)등이 11종의 염기성 유기 용매 즉, ${\alpha}$-피콜린, 피리딘, 디메틸술포옥시드(DMSO), NN′-디메틸초산아미드(NN′-DMA), 테트라히드로퓨란(THF), 1,4-디옥산, 디에틸에테르, 시안화메틸, 프로필렌옥시드, 에피클로로히드린, 초산메틸등과 사염화탄소용액중에서 전하전이착물을 형성함을 자외선분광광도법에 의해 확인하고, 이들 전하전이착물의 안정도 상수를 결정하였다. Drago 와 Wayland 의 이중척도엔탈피식(double-scale-enthalpy)을 수정하여 $logK = E_AC_A+E_DC_D$식을 얻고, 이것을 써서 정전기적효과 $E_D$와 공유성효과 $C_D$값을 11종의 유기 용매에 대해 얻었다. 이 두 효과는 전하전이착물의 안정도 상수 K와 그리고 적외선 흡수 스펙트럼의 신축진동수변화 ${\Delta}{\nu}_C=O$에 영향을 주며, 특히 $C_D$ sms 안정도 상수에 비례하였고, 신축진동수변화 ${\Delta}{\nu}_{C=O}= 37.4-5.47E_D+12.1C_D$의 실험식을 얻었다. ${\pi}$결합을 가진 분자들이 전이착물을 이룰 때 정전기적효과와 공유성효과와 공유성효과가 모두 관여하며, 그밖에 결합하는 분자의 ${\pi}$궤도함수도 중요한 역할을 한다는 것을 알았다.

• 한국자기학회지
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• 제7권6호
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• pp.285-292
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• 1997

Cobalt ferrite와 Pb(Zr, Ti) $O_{3}$ 복합체를 고상 반응법으로 제조하여, magnetoelectric 효과를 조사하였다. 소결 시간과 cobalt ferrite의 부피비가 증가함에 따라 magnetoelectric 전압 계수의 최대값이 증가하였다. 한편, 이 최댜값을 나타내는 자기장은 소결 시간 증가에 따라 낮은 쪽으로, cobalt ferrite 부피 증가에 따라 높은 쪽으로 이동하였다. 이러한 현상들은 각 상의 입자 크기 변화와 이에 따른 응력 전달 변화, 자화 및 분극 용이도로 설명되었다. 비화학당량 조성인 $Co_{1.02}$F $e_{1.98}$ $O_{4}$를 사용하여, 이제까지 발표된 최대 효과보다 약 30% 높은 0.174 V/cm Oe 의 magnetoelectric 전압 계수 값을 얻었다.얻었다.

• 대한화학회지
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• 제53권1호
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• pp.7-16
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• 2009

Bz-$H_2O$와 [Bz-$H_2O]^+$의 가능한 구조(N-1, N-2, C-1, C-2, 그리고 TS)에 대하여 여러 이론 수준에 서 분자구조를 최적화 하였으며, 조화 진동주파수를 계산하여 IR 스펙트럼을 예측하였다. 분자 구조의 최적화에서 가장 높은 이론 수준은 B3LYP/cc-pVQZ이며, 보다 정확한 결합에너지를 구하기 위하여 MP2 수준에서 한 점(single point) 에너지 계산을 하였다. 또한 영점 진동에너지(zero-point vibrational energy) 보정을 하여 실험값과 비교하였다. 결합에너지는 N-1 구조에 대하여 MP2/cc-pVQZ//B3LYP/cc-pVQZ 이론 수준에서 $D_e$ 값이 3.92 kcal/mol, 그리고 $D_0$ 값은 3.11 kcal/mol로 계산되었으며, 같은 이론 수준에서 [Bz-$H_2O]^+$의 C-1 구조에 대해서 $D_e$ 값은 9.06 kcal/mol 그리고 $D_0$ 값은 7.82 kcal/mol로 계산되어 실험값 과 비교적 잘 일치하는 것으로 나타났다.

• 전기전자학회논문지
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• 제27권4호
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• pp.399-404
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• 2023

본 논문에서는 3D NAND Flash memory의 O/N/O(Oxide/Nitride/Oxide) 구조와 blocking oxide를 ferroelectric material로 대체한 O/N/F(Oxide/Nitride/Ferroelectric) 구조의 current path를 분석했다. O/N/O 구조는 V_read가 인가되면 neighboring cell의 E-field로 인해 current path가 channel 후면에 형성된다. 반면 O/N/F 구조는 ferroelectric material의 polarization으로 인해 electron이 channel 전면으로 이동하여 current path가 전면에 형성된다. 또한 channel thickness와 channel length에 따른 소자 특성을 분석했다. 분석 결과 O/N/F 구조의 전면 electron current density 증가는 O/N/O 구조보다 2.8배 더 높았고 O/N/F 구조의 전면 electron current density 비율이 17.7% 높았다. 따라서 O/N/O 구조보다 O/N/F 구조에서 전면 current path가 더 효과적으로 형성된다.

• Journal of Electrochemical Science and Technology
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• 제8권2호
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• pp.96-100
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• 2017

Iridium(III) bis(2-phenylpyridinato-$N,C^{2^{\prime}}$)acetylacetonate ($(ppy)_2Ir(acac)$), a green dopant used in organic light-emitting devices (OLEDs), was subjected to electrochemical characterization to estimate its formal oxidation potential ($E^{o^{\prime}}$), HOMO energy level ($E_{HOMO}$), electron transfer rate constant ($k^{o^{\prime}}$), and diffusion coefficient ($D_o$). The employed combination of voltammetric methods, i.e., cyclic voltammetry (CV), chronocoulometry (CC), and the Nicholson method, provided meaningful insights into the electron transfer kinetics of $(ppy)_2Ir(acac)$, allowing the determination of $k^{o^{\prime}}$ and $D_o$. The quasi-reversible oxidation of $(ppy)_2Ir(acac)$ furnished information on $E^{o^{\prime}}$ and $E_{HOMO}$, allowing the latter parameter to be easily estimated by electrochemical methods without relying on expensive and complex ultraviolet photoemission spectroscopic (UPS) measurements.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 하계학술대회 논문집
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• pp.45-49
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• 2001

We have investigated physical and electrical properties of the Hf $O_2$/HfS $i_{x}$/ $O_{y}$ thin film for alternative gate dielectrics in the metal-oxide-semiconductor device. The oxidation of Hf deposited directly on the Si substrate results in the H $f_{x}$/ $O_{y}$ interfacial layer and the high-k Hf $O_2$film simultaneously. Interestingly, the post-oxidation N2 annealing of the H102/H1Si70y thin films reduces(increases) the thickness of an amorphous HfS $i_{x}$/ $O_{y}$ layer(Hf $O_2$ layer). This phenomenon causes the increase of the effective dielectric constant, while maintaining the excellent interfacial properties. The hysteresis window in C-V curves and the midgap interface state density( $D_{itm}$) of Hf $O_2$/HfS $i_{x}$/ $O_{y}$ thin films less than 10 mV and ~3$\times$10$^{11}$ c $m^{-2}$ -eV without post-metallization annealing, respectively. The leakage current was also low (1$\times$10-s A/c $m^2$ at $V_{g}$ = +2 V). It is believed that these excellent results were obtained due to existence of the amorphous HfS $i_{x}$/ $O_{y}$ buffer layer. We also investigated the charge trapping characteristics using Fowler-Nordheim electron injection: We found that the degradation of Hf $O_2$/HfS $i_{x}$/ $O_{y}$ gate oxides is more severe when electrons were injected from the gate electrode.e electrode.e.e electrode.e.