• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제6권3호
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• pp.19-24
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• 1999

이동통신 부품용으로 이용되는 적층 칩 대역통과 필터를 설계, 제작하였으며 설계된 칩 필터의 크기는 4.5 $\times$ 4.4 $\times$ l.8[mm]이고 중심주파수 및 통과대역은 700[MHz]$\pm$15[MHz], 삽입손실은 3.0[dB]이하이다. 적층 칩 필터의 제조는 $BiNbO_4$에 CuO 0.06wt%, $V_2O_5$ 0.lwt%를 첨가한 조성을 이용하였으며 테이프 캐스팅 후 AE 전극을 스크린 프린팅하여 제작하였다. 제작된 칩 필터의 삽입손실과 중심주파수 및 통과대역은 2.58[dB]와 692.5$\pm$15[MHz]로서 중심주파수는 설계 결과보다 7.5[MHz] 낮았으나 그외의 특성은 설계 결과와 유사함을 볼 수 있었다.

• 한국초전도학회:학술대회논문집
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• 한국초전도학회 1999년도 High Temperature Superconductivity Vol.IX
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• pp.178-184
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• 1999

We have measured I-V characteristics of Bi$_2Sr_2CaCu_2O_{8+{\delta}}$ mesa containing a small number of intrinsic stacked Josephson junctions in a magnetic field. We fabricated mesa with an area of 40${\times}$40 ${\mu}$m$^2$ containing 3${\sim}$20 intrinsic junctions. We applied magnetic field perpendicular to He CuO$_2$ planes up to 5T. We observed flux-flow branches and flux-flow steps in the I-V characteristics which might be due to collective motion of Josephson vortices in the long junction limit. In a parallel field, critical current I$_c$ varies as I$_c$(B) ${\sim}$ exp(-B/B$_0$), where B$_0$ is about 2T, which is consistent with the theoretical model. DC and AC intrinsic Josephson effects are also discussed.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제11권4호
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• pp.281-287
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• 1998

$BiNbO_4$ ceramics doped with 0.07wt% $V_2O_5$ and 0.03wt% CuO (BNC3V7) were sucessfully sintered at $900^{\circ}C$ through the firing process with Ag electrode. The BNC3V7 shows typically Dielectric constant of 44.3, Thermal Coefficient of resonance Frequency(TCF) of 2 ppm/$^{\circ} and $Qxf_o$ value of 22,000 GHz. The laminated chip Low Pass Filter (LPF) is very sensitive to chip processing parameters, was confirmed by the computer simulation as a function of Q(Quality factors), filter size, capacitor layer thickness, inductor pattern widths. The multilayer type LPF was fabricated by screen-printing with Ag electrode after tape casting and then compared with the simulated characteristics. The results show that characterization of band pass width was similar to that of designed ones.

• 한국통신학회논문지
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• 제23권4호
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• pp.988-996
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• 1998

BN 세라믹에 소결조제로 0.07wt% $V_{2}O_{5}$ 와 0.03wt% CuO을 첨가 하였을 때(BNC3V7) Ag 전극과 동시 소성이 가능한 $900^{\circ}C$ 소결할 수 있었다. 이때 BNC3V7 시편은 유전상수 44.3 $Qxf_{o}$값 22,000 GHz, TCF 값 ppm$/^{\circ}C$의 유전특성을 얻을 수있었다. PCS대역에서 사용 가능한 적층칩 대역 필터를 기존의 방법과 태핑기법에 의한 2가지 방법으로 설계하였다. 입출력 태핑 기법을 이용하여 필터를 제조할 경우 입출력 커플링을 이용한 기존방법에 비해 layer를 감소시킬 수 있어 구조가 간단해진다는 장점이 있다. 적층칩 대역 필터는 Tape casting한 후 Ag전극을 이용하여 Screen printing하여 제작 하였다. 제작된 필터는 $900^{\circ}C$에서 소결하여 설계된 필터와 특성 값을 비교 하였다. 태핑된 칩 필터와 기존 칩 필터 모두 중심주파수는 90MHz 낮은 주파수 대역으로 이동 하였지만 대역 통과 특성은 설계 값과 유사 하였다. 태핑된 칩 필터의 스퓨리어스 특성은 기존 칩 필터에 비해 향상되었다.

• 전자공학회논문지D
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• 제35D권4호
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• pp.9-17
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• 1998

BiNbO$_{4}$ ceramics with 0.07wt% V$_{2}$O$_{5}$ and 0.03wt% CuO (BNC3V7) sintered at 900 .deg. C where it is possible for these to be co-fired with ag electronde. Dielectric constant of 44.3 TCF (Thermal Coefficient of resonance Frequency) of 2 ppm/.deg. C and Qxf value 22,000 GHz can be obtained from BNC3V7. the laminatedchip LC filter is indispensible to the minimaturization of PCS (Personal Communication System) terminals. Therefore, multilayer type BPF has been fabricated by screen-printing with silver electrode after tape casting. The simulated characteristics of the fabricated filters sintered at 900.deg. C werecomparedwith the designed ones. for Band Pass Filter widths was similar that ofdesigned ones. For Low Pass Filter (LPF), insertion loss value of band pass widths (2.4 dB) which is a few higher than that of designed (1dB), but characteristization of band pass widths was similar that of designed ones.s.of designed ones.s.

• Progress in Superconductivity
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• 제4권2호
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• pp.157-161
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• 2003

We have performed the electrochemical method to fabricate high temperature superconducting (TlPbBi) -(SrBa)-Ca-Cu-O films. The precursors of the superconducting sample were codeposited at a periodic pulsed-potential cycle (1 second at -4V and 1 second at -1V) on a silver substrate. The variation of structure, microstructure and element were analysed by ICP and SEM techniques. The specimens were consisted predominantly of the Tl-1212 phase and have a transition temperature of 80～87 K in low magnetic field. It was showed that each grain has the stoichiometric ratio of $T1_{0.7}$Pb_$Bi_{0.3}$ $_Sr{0.1}$ $Ba_{2.4}$ $Ca_{0.2}$ $Cu_{1.2}$ $2.5/O_{x}$ by EDX analysis.sis.

• 자원환경지질
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• 제34권1호
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• pp.39-53
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• 2001

이 연구는 토현광산 수계의 환경오염에 관하여 지질, 광물 및 지구화학적으로 고찰한 것이다. 과안부근에 분포하는 토양과 퇴적물의 ${Al_2}{O_3}/{Na_2O}$와 ${K_2}O/{Na_2}O$의 비는 ${SiO_2}/{Al_2}{O_3}$에 대하여 부분적인 부의 상관관계를 갖는다. 또한 일부 미량 및 희토류 원소의 지구화학적 특성(V/Ni, Ni/Co, La/Ce, Th/Yb, Th/U, La/Th, ${La_N}/{Yb_N}$, Co/Th, La/Sc 및 Sc/Th)들은 비교적 좁은 범위를 보이며 균질한 조성을 갖는다. 이는 광산의 모암인 셰일의 근원암이 중성 또는 염기성 화성암에서 기원한 퇴적물이 우세하였던 것임을 지시하는 것이다. 토양과 퇴적물의 대표적인 광물종은 석영, 운모, 장석, 각섬석, 녹니석 및 점토광물 등이나, 함량비는 시료에 따라 다소 차이가 있다. 독성원소의 함량이 높은 토양과 퇴적물에서는 황철석, 유비철석, 섬아연석, 황동석, 방연석, 침철석 등의 중광물과 다양한 종류의 수산화물이 많이 산출된다. 기반암의 조성으로 표준화한 주원소의 부화지수는 퇴적물 = 1.0, 침전물 = 1.7, 밭 토양 =0.9, 논 토양 = 0.8이다. 이 광산 수계에서 검출된 중금속의 최대함량은 Ag = 186 ppm, As = 17,100 ppm, Bi = 127 ppm, Cd = 77 ppm, Cu = 12,299 ppm, Pb = 8,897 ppm, Sb = 1,350 ppm, W = 599 및 Zn = 12,250 ppm 이다. 이 독성원소들은 광폐석 야적장 주변의 퇴적물과 침전물에서 특히 높고, total FeO의 함량과 밀접한 관계가 있다. 기반암의 조성을 기준으로 이 독성원소(As, Bi, Cd, Cu, Pb, Sb, W, Zn)들의 부화지수를 구하면, 퇴적물 = 106.0, 침전물 = 279.6, 밭토양 = 3.5, 논 토양 = 1.6 이나, EPA의 기준치로 표준화된 부화지수는 각각 40.7, 121.4, 1.3 및 0.6 이다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2007년도 하계학술대회 논문집 Vol.8
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• pp.45-45
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• 2007

Capacitors among the embedded passive components are most widely studied because they are the major components in terms of size and number and hard to embed compared with resistors and inductors due to the more complicated structure. To fabricate a capacitor-embedded PCB for in-line process, it is essential to adopt a low temperature process (<$200^{\circ}C$). However, high dielectric materials such as ferroelectrics show a low permittivity and a high dielectric loss when they are processed at low temperatures. To solve these contradicting problems, we studied BMN materials as a candidate for dielectric capacitors. processed at PCB-compatible temperatures. The morphologies of BMN thin films were investigated by AFM and SEM equipment. The electric properties (C-F, I-V) of Pt/BMN/Cu/polymer were evaluated using an impedance analysis (HP 4194A) and semiconductor parameter analyzer (HP4156A). $Bi_2Mg_{2/3}Nb_{4/3}O_7$(BMN) thin films deposited on copper clad laminate substrates by sputtering system as a function of Ar/$O_2$ flow rate at room temperature showed smooth surface morphologies having root mean square roughness of approximately 5.0 nm. 200-nm-thick films deposited at RT exhibit a dielectric constant of 40, a capacitance density of approximately $150\;nF/cm^2$, and breakdown voltage above 6 V. The crystallinity of the BMN thin films was studied by TEM and XRD. BMN thin film capacitors are expected to be promising candidates as embedded capacitors for printed circuit board (PCB).

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1998년도 추계학술대회 논문집 학회본부 C
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• pp.838-840
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• 1998

$BiNbO_4$ ceramics with 0.06wt% CuO, 0.1wt% $V_{2}O_{5}$ sintered at $900^{\circ}C$. The strip line chip filter has been design and fabricated by screen printing with silver electrode after tape casting. The characteristics of the fabricated filters were compared with the simulated results. In the strip line chip filter, insertion loss value of band pass width was 3.65[dB] and return loss was 8.9[dB] and center frequency was similar that simulation results.

• 자원환경지질
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• 제42권3호
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• pp.177-193
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• 2009

삼광광상은 선캠브리아기 경기육괴의 화강편마암내에 발달된 단열대(NE, NW)를 따라 충진한 8개의 괴상맥으로 구성된 중열수 석영맥광상이다. 이 광상의 광화작용은 여러번의 단열작용에 의해 형성된 두시기의 석영+방해석시기(광화I시기)와 방해석시기(광화II시기)로 구성된다. 광화I시기의 열수작용에 의한 변질작용은 견운모화, 녹니석화, 탄산염화, 황철석화, 규화, 및 점토화작용등이 관찰되며 견운모대는 석영맥과 접촉한 부분에서 녹니석대는 석영맥으로부터 멀어짐에 따라 관찰된다. 견운모대의 모암변질광물은 대부분이 견운모 및 석영이며 일부 일라이트, 탄산염광물, 녹니석으로 구성된다. 녹니석대의 모암변질광물은 주로 녹니석, 석영과 소량 견운모, 탄산염광물 및 녹염석으로 구성된다. 견운모의 Fe/(Fe+Mg) 값은 0.45${\sim}$0.50(0.48$\pm$0.02)이며 백운모-펜자이트족에 해당되고 녹니석의 Fe/(Fe+Mg) 값은 0.74${\sim}$0.81(0.77$\pm$0.03)이고 대부분 브런스비자이트에 해당된다. 견운모와 녹니석에 대한 $Al_{IV}$-FE/(FE+Mg)의 다이어그램은 변질시 같은 광종의 견운모와 녹니석의 형성온도를 나타내는 지시자로써 유용하다. 이것은 계산된 녹니석 단종의 활동도가 $a3(Fe_5Al_2Si_3O_{10}(OH)_6$=0.0275${\sim}$0.0413, $a2(Mg_5Al_2Si_3O_{10}(OH)_6$=1.18E-10${\sim}$7.79E-7, $a1(Mg_6Si_4O_{10}(OH)_6$=4.92E-10${\sim}$9.29E-7로서 삼광광상의 녹니석은 iron-rich 녹니석으로 비교적 고온 (T>450$^{\circ}C$에서 모암과 평형상태에서 온도가 감소함에 따라 형성되었음을 알 수 있다. 모암변질시 ${\alpha}Na^+$, ${\alpha}K^+$, ${\alpha}Ca^{2+}$ 및 ${\alpha}Mg^{2+}$는 각각 ${\alpha}Na^+$=0.0476($400^{\circ}C$), 0.0863($350^{\circ}C$), ${\alpha}K^+$=0.0154($400^{\circ}C$), 0.0231($350^{\circ}C$), ${\alpha}Ca^{2+}$=2.42E-11($400^{\circ}C$), 7.07E-10($350^{\circ}C$), ${\alpha}Mg^{2+}$=1.59E-12($400^{\circ}C$), 1.77E-11($350^{\circ}C$)이며 열수용액의 pH는 5.4${\sim}$6.4($400^{\circ}C$), 5.3${\sim}$5.7($350^{\circ}C$)로서 모암변질시 열수용액는 약산성이었음을 알 수 있다. 모암변질시 이득원소(부화원소)는 $TiO_2$, $Fe_2O_3(T)$,CaO, MnO, MgO, As, Ag, Cu, Zn, Ni, Co, W, V, Br, Cs, Rb, Sc, Bi, Nb, Sb, Se, Sn 및 Lu 등이며 특히 대부분의 광상에서 Ag, As, Zn, Sc, Sb, S,$CO_2$ 등의 원소가 현저하게 증가하므로 중열수 및 천열수 금-은광상의 탐사에 지시원소로서 활용될 수 있을 것이다.