• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.385-385
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• 2010

Copper oxide thin films were deposited on the p-type Si(100) by r.f. magnetron sputtering as a function of different oxygen concentration. The deposited copper oxide thin films were investigated by atomic force microscopy (AFM), scanning electron microscopy (SEM), spectroscopic ellipsometry (SE), X-ray diffraction (XRD), and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The SEM and SE data show that the thickness of the copper oxide films was in the range of 100-400 nm. AFM images show that the surface morphology was depended on the oxygen ratio. The crystal structure of copper oxide films was changed from metallic copper to copper oxide with increasing oxygen concentration. The oxidation states of Cu 2p and O 1s resulted from XPS were consistent with XRD results.

• 한국재료학회지
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• 제13권9호
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• pp.631-634
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• 2003

To fabricate W-Cu nanocomposite powder, $WO_3$-CuO powder mixture was high-energetically ball-milled and subsequently hydrogen-reduced. The effect of ball-milling on the hydrogen-reduction behavior of$ WO_3$-CuO was investigated with non-isothermal hygrometric analysis during hydrogen-reduction. Increasing the ball-milling time, the reduction peak temperatures of humidity curves were shifted to low temperature. It was considered that the reduction temperature should be decreased because the specific surface area of each oxide considerably increased with increasing the ball-milling time. In case of ball-milling for 0 h, $WO_3$and CuO were independently hydrogen-reduced and W particles were nucleated on the surface of Cu adjacent to W by CVT. However, in case of ball-milling for 50 h, the aggregates of about 200-300 nm were observed. W particles of size below 30-50 nm were homogeneously distributed with Cu in the aggregates.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제19권2호
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• pp.29-33
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• 2012

The demand for 3D wafer level integration has been increasing significantly. Although many technical challenges of wafer stacking are still remaining, wafer stacking is a key technology for 3D integration due to a high volume manufacturing, smaller package size, low cost, and no need for known good die. Among several new process techniques Cu-to-Cu wafer bonding is the key process to be optimized for the high density and high performance IC manufacturing. In this study two main challenges for Cu-to-Cu wafer bonding were evaluated: misalignment and bond quality of bonded wafers. It is demonstrated that the misalignment in a bonded wafer was mainly due to a physical movement of spacer removal step and the bond quality was significantly dependent on Cu bump dishing and oxide erosion by Cu CMP.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제35권6호
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• pp.622-625
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• 2022

YBa₂Cu₃O_7-y bulk as a high temperature oxide superconducting conductor has the high critical temperature of 92 K. YBa₂Cu₃O_7-y bulk superconductors have been fabricated by a seeded melting growth. Magnetic properties were studied by using superconductor of melted YBa₂Cu₃O_7-y oxides. It was demonstrated that Y₂BaCuO₅ particles acts as a pinning center which plays an important role on the magnetic properties. The thickness of the upper and lower pellets of the YBa₂Cu₃O_7-y bulk was formed at 40 mm with 55 g of the composition, and the YBa₂Cu₃O_7-y superconductor was manufactured through a heat treatment process. Manufacturing the superconducting bulk, it is possible to improve the pore density of the superconducting bulk by providing a path through which oxygen could be emitted.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제19권3호
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• pp.37-41
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• 2012

Cu 본딩을 이용한 웨이퍼 레벨 적층 기술은 고밀도 DRAM 이나 고성능 Logic 소자 적층 또는 이종소자 적층의 핵심 기술로 매우 중요시 되고 있다. Cu 본딩 공정을 최적화하기 위해서는 Cu chemical mechanical polishing(CMP)공정 개발이 필수적이며, 본딩층 평탄화를 위한 중요한 핵심 기술이라 하겠다. 특히 Logic 소자 응용에서는 ultra low-k 유전체와 호환성이 좋은 Ti barrier를 선호하는데, Ti barrier는 전기화학적으로 Cu CMP 슬러리에 영향을 받는 경우가 많다. 본 연구에서는 웨이퍼 레벨 Cu 본딩 기술을 위한 Ti/Cu 배선 구조의 Cu CMP 공정 기술을 연구하였다. 다마싱(damascene) 공정으로 Cu CMP 웨이퍼 시편을 제작하였고, 두 종류의 슬러리를 비교 분석 하였다. Cu 연마율(removal rate)과 슬러리에 대한 $SiO_2$와 Ti barrier의 선택비(selectivity)를 측정하였으며, 라인 폭과 금속 패턴 밀도에 대한 Cu dishing과 oxide erosion을 평가하였다.

• 청정기술
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• 제21권1호
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• pp.39-44
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• 2015

본 연구에서는 다섯 종의 씨앗(춘채, 아욱, 양배추, 배추, 당근)을 이용하여 금속산화물 나노입자(CuO, NiO, Fe₂O₃, Co₃O₄, TiO₂, ZnO)들이 씨앗발아와 발아지수에 미치는 영향을 조사하였다. CuO, ZnO, NiO 나노입자는 씨앗 활성에 뚜렷한 독성 영향을 나타내었으며, 나노입자종류에 따라 상이한 민감도를 나타내었다. 각 나노입자에 대한 독성순서(EC₅₀ 범위)는 다음과 같다: CuO 6~27 mg/L > ZnO 16~86 mg/L > NiO 48~112 mg/L. 나머지 조사 대상 나노입자인 Co₃O₄, TiO₂, Fe₂O₃은 최대 1,000 mg/L 높은 농도 노출에도 뚜렷한 영향을 나타내지 않았다. 씨앗별 상이한 민감도를 나타내었으며, 가장 민감한 종인 아욱의 씨앗발아 EC₅₀은 CuO 5.5 mg/L ZnO 16.4 mg/L, NiO 53.4 mg/L로 조사되었다. 씨앗별 나노입자에 대한 독성 영향은 CuO > ZnO > NiO > Fe₂O₃ ≈ Co₃O₄ ≈ TiO₂ 나타났으나, 당근씨앗은 NiO [EC₅₀ 80.4(71.41~90.54) mg/L]와 ZnO [EC₅₀ 85.8(69.31~106.29) mg/L]가 유사한 독성을 나타내었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2016년도 제50회 동계 정기학술대회 초록집
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• pp.133.2-133.2
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• 2016

차세대 디스플레이로 유연하고 투명한 기능들이 요구되면서 Indium Tin Oxide(ITO)를 대체하기 위한 투명전극 개발 연구가 많이 수행되고 있다. ITO는 높은 투과도와 낮은 저항으로 현재 가장 많이 활용되고 있는 투명전극 소재이지만 유연성이 떨어져 유연 터치 패널 소재로 활용하기 어렵다. 이러한 문제 해결을 위해 ITO 대체 물질로 CNT, Graphene, Metal mesh, Ag nano wire, 전도성 고분자 등의 차세대 투명 전극 소재가 대두되고 있다. 본 연구에서는 메탈 메쉬 전극 소재로 사용하기 위해 Cu 박막 증착 시 플라즈마 표면처리를 통해 밀착력 및 저항을 개선하였다. Cu 금속 박막의 양산화를 위한 공정으로 자체 제작한 Linear Ion Source(LIS)가 부착된 roll to roll 시스템을 적용하여 플라즈마 전처리 공정 및 Ni buffer layer 도입 이후 Cu 박막을 형성하였다. 그 결과 PET 기판과 Cu 박막 사이의 밀착력을 0 degree에서 5 degree까지 향상시킬 수 있었고, 플라즈마 표면처리를 시행함으로써 저항 또한 감소되는 결과를 얻을 수 있었다. 본 연구를 통해서 폴리머 기판 소재에 in-situ로 표면처리 및 Cu 금속 박막을 증착함으로써 금속 박막의 밀착력 및 전기적 특성이 향상되는 공정 기술을 개발하였다.

• 한국분말재료학회지
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• 제19권5호
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• pp.367-372
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• 2012

Single crystalline Cu nanowires with controlled diameters and aspect ratios have been synthesized using electrochemical deposition within confined nanochannels of a porous anodic aluminium oxide(AAO) template. The diameters of nano-sized cylindrical pores in AAO template were adjusted by controlling the anodization conditions. Cu nanowires with diameters of approximately 38, 99, 274 nm were synthesized by the electrodeposition using the AAO templates. The crystal structure, morphology and microstructure of the Cu nanowires were systematically investigated using XRD, FE-SEM, TEM and SAED. Investigation results revealed that the Cu nanowires had the controlled diameter, high aspect ratio and single crystalline nature.

• 한국분말재료학회지
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• 제1권2호
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• pp.145-152
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• 1994

Atomizing mode and powder characteristics of CuA1Ni base shape memory alloy in rotating disk atomization were investigated in accordance with disk materials and additional elements. Produced powders were classified into two types of spherical and flake shape. In the case of CuAlNiBTi and CuAlNiZr alloy, high yield rate and fine powder were obtained. This tendency was same when we used oxide coated disks. We concluded that this results were steno from the wetting characteristics change between molten metal and disk surface. Especially, due to the reactive properties of Ti and Zr with ceramic disk, the change of atomizing appearance and powder characteristics were noticeable.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2014년도 추계학술대회 논문집
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• pp.107-107
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• 2014

p형 자원 친화형 산화물 기반 능동형 층 성장에 대한 연구는 아직 개발 초기 단계이다. $Cu_2O$는 이러한 자원 친화형 저가 p형 산화물 중 하나로서 다양한 광학 응용분야에 있어 적용되고 있으며 특히 저가형 증착법인 전기증착법을 통해 형성시킨다면 가격 절감을 극대화 시킬 수 있다. 하지만 낮은 전도성으로 인해 전자소자에는 적용시키기 어렵다는 단점이 있기 때문에 본 연구팀은 5족 물질인 Antimony 를 $Cu_2O$의 p형 도펀트로 적용시켜 전기적 구조적 특성을 개선시키고자 하였다. 결과적으로 [111] 방향으로 높은 우선배향성을 갖고 전도성이 향상된 Sb-Cu2O 박막을 확인하였다.