• Korean Journal of Materials Research
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• v.13 no.8
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• pp.503-508
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• 2003

The purpose of this study is to investigate the effect of $V_2$$O_{5}$ addition on the Ag and Cu precipitation in the NiCuZn ferrite layers of 7.7${\times}$4.5${\times}$1.0 mm sized multi-layer chip inductors prepared by the screen printing method using 0∼0.5 wt% $V_2$$O_{5}$ -doped ferrite pastes. With increasing the $V_2$$O_{5}$ content and sintering temperature, Ag and Cu oxide coprecipitated more and more at the polished surface of ferrite layers during re-annealing at $840^{\circ}C$. It was thought that during the sintering process, V dissolved in the NiCuZn ferrite lattice and the Ag-Cu liquid phase of low melting point was formed in the ferrite layers due to the Cu segregation from the ferrite lattice and Ag diffusion from the internal electrode. During re-annealing at $840^{\circ}C$, the Ag-Cu liquid phase came out the polished surface of ferrite layers, and was decomposed into the isolated Ag particles and the Cu oxide phase during the cooling process.

• Korean Journal of Materials Research
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• v.7 no.10
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• pp.856-862
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• 1997

박막형 CdTe/CdS 태양전지의 배면전극(back contacts)물질로서 Cu도핑된 ZnTe 박막(ZnTe:Cu)을 전착법(electroplating)으로 제조하는 연구를 수행하였다. Sulfate계의 전해질 수용액에서 CdTe 기판과 투명전극으로 코팅된 유리(In$_{2}$O$_{3}$: Sn, ITO)기판 위에 ZnTe 박막을 코팅하는 방법으로써 potentiostat와 기판(cathode), Pt counter electrode, Ag/AgCI 표준전극으로 구성된 장치를 사용하여 pH=2.5-4, T=70-8$0^{\circ}C$, 0.02M $Zn^{2+}$ 1x$10^{-4}$M TeO$_{2}$, 0.2M $K_{2}$SO$_{4}$조건에서 -0.800 Vs~-0.975 V 범위의 전압(V$_{a}$ )에 걸쳐 실험하였다. ITO박막을 기판으로 사용하여 cyclic voltammogram을 작성한 결과 약 -0.50 V 에서 Te환원 peak이 나타났다. Auger electron spectroscopy (AES)로 조성분석한 결과 표면에서 Zn signal이 강하게 나왔고 시편의 두께에 따라 Zn의 signal감소하는 반면 Cd signal은 증가하는 것이 확인되었다. SEM 사진으로부터 ZnTe의 표면이 작은 입자 (0.2$\mu\textrm{m}$ 이하)로 구성되어 있으며 낮은 V$_{a}$ 에서는 입자가 작아지면서 조직이 치밀해짐이 관찰되었다. Optical transmission방법에 의하여 ITO기판위에 입혀진 박막의 밴드갭은 2.5 eV으로 측정되었다. 수용액중의 Cu$_{2+}$와 triethanolamine(TEA)은 산성용액에서 착물형성이 이루어지지 않았으며 1,10-phenanthroline과는 pH=2에서도 착물이 형성되었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2008.07a
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• pp.1289-1290
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• 2008

Programmable Metallization Cell (PMC) is a memory device based on the electrolytical characteristic of chalcogenide materials. In this study, we investigate the nature of thin films formed by photo doping of Cu ions into chalcogenide materials for use in solid electrolyte of programmable metallization cell devices. We were able to do more economical approach by using copper which play an electrolyte ions role. The results imply that a Cu-rich phase separates owing to the reaction of Cu with free atoms from chalcogenide materials.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2014.11a
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• pp.107-107
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• 2014

p형 자원 친화형 산화물 기반 능동형 층 성장에 대한 연구는 아직 개발 초기 단계이다. $Cu_2O$는 이러한 자원 친화형 저가 p형 산화물 중 하나로서 다양한 광학 응용분야에 있어 적용되고 있으며 특히 저가형 증착법인 전기증착법을 통해 형성시킨다면 가격 절감을 극대화 시킬 수 있다. 하지만 낮은 전도성으로 인해 전자소자에는 적용시키기 어렵다는 단점이 있기 때문에 본 연구팀은 5족 물질인 Antimony 를 $Cu_2O$의 p형 도펀트로 적용시켜 전기적 구조적 특성을 개선시키고자 하였다. 결과적으로 [111] 방향으로 높은 우선배향성을 갖고 전도성이 향상된 Sb-Cu2O 박막을 확인하였다.

• Journal of the Semiconductor & Display Technology
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• v.19 no.4
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• pp.94-98
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• 2020

The core/shell of nanowires (NWs) with Cu-doped CdSe quantum dots were fabricated as an electron transport layer (ETL) for perovskite solar cells, based on ZnO/TiO2 arrays. We presented CdSe with Cu2+ dopants that were synthesized by a colloidal process. An improvement of the recombination barrier, due to shell supplementation with Cu-doped CdSe quantum dots. The enhanced cell steady state was attributable to TiO2 with Cu-doped CdSe QD supplementation. The mechanism of the recombination and electron transport in the perovskite solar cells becoming the basis of ZnO/TiO2 arrays was investigated to represent the merit of core/shell as an electron transport layer in effective devices.

• Applied Chemistry for Engineering
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• v.26 no.6
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• pp.681-685
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• 2015

In this study, pure $BiVO_4$ powder and metal-doped $M-BiVO_4$ (M = Mg, Cu) powder, well known as thermochromic materials, were prepared from a mixed aqueous solution of bismuth nitrate ($Bi(NO_3)_3$) and ammonium vanadate ($NH_4VO_3$) in autoclave by hydrothermal method. The crystal structure, microstructure, and thermochromic property of samples were analyzed using FE-SEM, FT-IR, XRD, DSC, UV-Vis-NIR spectroscopy and colorimeter. When heating samples above phase transition temperature, the color of $M-BiVO_4$ (M = Mg, Cu) sample was thermally changed more clearly than that of using only pure $BiVO_4$ sample.

• Journal of the Korean Magnetics Society
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• v.13 no.3
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• pp.109-114
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• 2003

The purpose of this study Is to investigate the effect of $V_2$O$_{5}$ addition on the microstructures and magnetic properties of 7.7${\times}$4.5${\times}$1.0 mm sized multi-layer chip inductors prepared by the screen printing method using 0∼0.5 wt％ $V_2O_{5}$-doped NiCuZn ferrite pastes. With increasing the $V_2O_{5}$ content, the exaggerated grain growth of ferrite layers was developed due to the promotion of Ag diffusion and Cu segregation into the grain boundaries oi ferrites, which affected significantly the magnetic properties of the chip inductors. After sintering at $900^{\circ}C$, the inductance at 10 MHZ of the 0.5 wt％ $V_2O_{5}$-doped chip inductor was 3.7 ${\mu}$H less than 4.2 ${\mu}$H of the 0.3 wt% $V_2O_{5}$-doped one, which was thought to be caused by the residual stress at the ferrite layers increased with the promotion of Ag diffusion and Cu segregation. The quality factor of the 0.5 wt% $V_2O_{5}$-doped chip inductor decreased with increasing the sintering temperature, which was considered to be caused by the electrical resistivity of the ferrite layer decreased with the promotion of Ag/cu segregation at the grain boundaries and the growth of the mean grain size of ferrite due to exaggerated grain growth of ferrite layers.

• Electrical & Electronic Materials
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• v.5 no.3
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• pp.278-283
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• 1992

123 초전도체에 마그네틱 모멘트가 큰 Ni불순물을 도핑하여 제작한 $Y_{1}$ Ba(C $u_{2.9}$ $N_{0.1}$) $O_{7-{\delta}}$ 초전도체의 X-ray diffraction pattern, susceptibility, 온도변화등에 따른 전류-전압관계, 임계온도 등에 대하여 연구하였다. 제작된 시료는 매우 뚜렷한 orthorhombic 피크를 가진 123상을 나타내고 있었다. N=0.1의 시료에서는 적은 양의 Ni 불순물과 단면적인 무정형상태의 잘 반응된 YBa(Cu, Ni)$_{3}$ $O_{7-{\delta}}$의 orthorhombic구조를 나타내고 있다. 전반적인 실험 결과로 부터 Ni는 Y-Ba-Cu-O 초전도 시스템에서 초전도에 중요한 역할을 담당하지 않는다는 결론을 얻었다.얻었다.다.

• Proceedings of the Korean Institute of Surface Engineering Conference
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• 2001.06a
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• pp.13-13
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• 2001

현재 초고속 가공 공구의 국내 시장은 150억원이며 향후 3년 내에 1500억원으로 급성 장활 전망이다. 무윤활 초고속 가공을 실현하기 위해서는 윤활특성이 우수한 초고경도 코팅의 개발이 필요하며 이를 통해 기계설비의 수명향상과 폐유문제 해결을 기대할 수 있다. 기존의 고체윤활 코팅은 초고경도 코팅의 상부에 $MoS_2$, Graphite 등 윤활성 박막을 합성하였으나, 이들은 Hexagonal 구조의 연질 박막이며 수분이 존재하는 대기중에서는 윤활 및 내마모 특성이 급격히 저하된다. 환경친화 대체소재 개발의 일원으로 TiN, ZrN 박막 등이 이미 개발되었고 기계적 특성이 우수하여 널리 응용되고 있으나 아직 경도(약 20GPa 내외) 및 윤활성의 한계 (마찰계수 $\mu=O.6$)를 극복하지 못하고 있다. TiN박막 위의 Cu의 첨가는 TiN의 구조와 성질을 크게 변화시키는 것으로 알려져 있다. 따라서 본 연구에서는 TiN 기지 위에 Cu를 도핑함으로써 경도의 상승을 통환 내구력의 향상과 마찰계수의 감소를 통한 윤활성의 향상을 보고자하였다. TiN합성의 안정화를 위하여 magnetron sputtering과 arc ion pIatingd을 병용한 hybrid 공정을 이용하였다. Cu첨가에 따른 결정 성장 거동의 변화를 보기 위해 XRD 분석을 실행하였고, EDS 분석을 통해 Cu target 전류밀도에 의한 기지내의 Cu의 함량변화를 고찰하였으며, 경도 및 윤활특성을 고찰하기 위해서 경도 시험과 마모 시험(ball-on disc type test)를 하였다.

• Proceedings of the KIEE Conference
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• 2000.07c
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• pp.1488-1490
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• 2000

ZnO:Cu thin films are deposited by using an RF magnetron co-sputtering system with Cu chips attached on ZnO target. Structural and electrical properties are analyzed as a function of deposition conditions, such as Cu chip areas, $O_2/(Ar+O_2)$ ratios, and working pressures, The results show that a higher electrical resistivity above $10^{10}$ ${\Omega}cm$ along with an excellent c-axial growth can be easily achieved by Cu-doping. SAW filters based on the ZnO:Cu films are also fabricated to estimate the electric-mechanical coupling coefficient($K^{2}_{eff}$). Higher $K^{2}_{eff}$ and lower insertion losses are observed for ZnO:Cu films, compared with those for ZnO films.