The morphologies of eutectic cell formed during solidification affect on the mechanical properties in high Cr cast iron. In order to investigate the influence of Si on the structure, five kinds of specimen containing 16.42% Cr with varying amount of Si (0.51%, 1.17%, 2.22%, 2.71%, 3.56%) were poured into shell mould preheated $330^{\circ}C$ at $1510^{\circ}C$. The effect of Si on matrix in hypo-eutctic Cr cast iron (2.48% C, 16.42%) were studied through its mechanical tests and observation of microstructure using of metallurgical microscope, EPMA, SEM and Image analyzer systematically. The results obtained from the above studies are as follows: 1. Because of ${\Delta}T$ decreasing with increasing Si content, the morpologies of colony change into uniform bar-type carbide from plate-type ones, moreover eutectic colony size (Ew) becomes narrow and spacing of carbide wider. 2. As Si content increases, the amount of carbides also increases and most of Cr were dissolved in carbides while Si in matrix. 3. The hardness, tensile strength and wear resistance were increasing while impact value decreased with increasing Si content. 4. In fracture section, small amount of dimple pattern was observed in less than 1.17% Si but more than 2.22% Si river pattern was presented.
Purpose: Dental casting #Gr I (Co-25Cr-5Mo-3Sn-1Mn-1Si), #Gr II (Co-25Cr-5Mo-5Cu-1Mn -1Si) and #Gr III (Co-25Cr-5Mo-3Sn-5Cu-1Mn-1Si) master alloys of granule type were manufactured the same as manufacturing processes for dental casting Ni-Cr and Co-Cr-Mo based alloys of ingot type. These alloys were analyzed melting processes with heating time of high frequency induction centrifugal casting machine using infrared thermal image analyzer. Methods: These alloys were manufactured such as; alloy design, the first master alloy manufatured using vacuum arc casting machine, melting metal setting in crucible, melting in VIM, pouring in the mold of bar type, cutting the gate and runner bar and polishing. These alloys were put about 30g/charge in the ceramic crucible of high frequency induction centrifugal casting machine and heat, Infrared thermal image analyzer indicated alloys in the crucible were set and operated. Results: The melting temperatures of these alloys measuring infrared thermal image analyzer were decreased in comparison with remanium$^{(R)}$ GM 800+, vera PDI$^{TM}$, Biosil$^{(R)}$ f, WISIL$^{(R)}$ M type V, Ticonium 2000 alloys of ingot type and vera PDS$^{TM}$(Aabadent, USA), Regalloy alloys of shot type. Conclusion: Co-Cr-Mo based alloy in addition to Sn(#Gr I alloy) were decreased the melting temperature with heating time of high frequency induction centrifugal casting machine using infrared thermal image analyzer.
본 연구는 segment target을 사용하여 unbalanced magnetron sputtering을 활용하여 고 CrZr-Si-N 박막을 합성하고 박막의 미세구조 및 마모 특성을 연구하는데 그 목적이 있다. 박막의 Si 함량을 조절하기 위하여 각 segment target은 Cr,Zr을 일정vol% 유지하며 Si vol%만 변화하여 설계하였다. Si 함량별로 제작된 마모실험 시편의 미세구조는 XRD, FE-SEM, AFM, TEM을 통하여 분석하였으며, ball on disk type의 마모 시험기를 통해 그 마모 특성을 분석하였으며,
연자성 금속재료인 $Fe_{94}Si_5Cr_1$을 30시간 볼밀 한 후 주사전자현미경을 사용하여 관찰한 결과 볼밀 가공한 FeSiCr의 입자들이 구형에서 편상으로 변함을 확인하였다. FeSiCr을 실리콘 고무와 혼합하여 핸드폰용 전파흡수체를 제조하고 network analyzer을 이용하여 두께에 따른 FeSiCr-고무 전파흡수체의 전파흡수특성 및 재료정수를 측정하였으며, 그들의 상관관계를 비교 조사하였다. 그 결과 sheet형 전파흡수체 두께에 따라서 정합주파수가 낮은 주파수 대역으로 shift 됨을 알 수 있고, 1.3 mm의 두께로 제조한 전파흡수체에서는 이동통신주파수 대역인 1.86 GHz에서 -8.3 dB의 반사손실을 보여주었다.
본 실험에서는 리튬이차전지의 고용량 음극활물질로 주목받는 Si 합금의 부피팽창을 억제하기 위한 방법의 하나인 비활성-matrix상을 이용하고, 상태도를 이용하여 동일한 용량을 발현하는 Si계 이원계 합금 (Cr-Si, Ni-Si) 조성에서의 미세구조 및 전기화학적 특성을 비교/분석하였다. 급속응고공정(Rapid Solidification Process, Melt-spinning법)를 이용하여 동일조건하에서 리본 모양의 합금을 제작하였고, 제작된 리본합금은 동일조건에서 분쇄하여 X-선회절 (X-Ray Diffraction) 분석을 실시하였다. XRD 분석 결과, 상태도에서 예측된 것과 같이, 두 합금 모두 Si 상 및 비활성-matrix상($CrSi_2$ 및 $NiSi_2$)이 관찰되었으며, 이외의 제3의 상은 관찰되지 않았다. 또한, 주사전자현미경(SEM, Scanning Electron Microscope) 및 투과전자현미경-에너지분산분광법(TEM-EDS, Transmission Electron Microscopy - Energy Dispersive X-ray Spectroscopy)으로 미세구조를 살펴본 결과 Cr-Si 합금의 미세구조가 Ni-Si 합금보다 fine한 것을 알 수 있었고 이것은 상태도로부터 예측 가능하였다. 두 합금 조성에서 미세구조에 따른 전기화학적 특성을 비교 평가하기 위해 코인형 하프셀과 풀셀로 충방전 실험을 진행하였고 이와 별도로, 전극의 두께변화 측정이 가능하게 설계된 시험셀을 이용하여 반응 중 Si의 수축팽창을 측정하였다. coarse한 미세구조를 가진 Ni-Si 합금보다 fine한 미세구조를 갖는 Cr-Si 합금의 전극팽창이 비교적 잘 억제됨을 확인하였고, 충방전에 따른 수명 내구성도 우수함을 확인하였다. 이런 결과들로부터 합금의 조성에 따른 미세구조, 체적변화 및 전기화학적 열화와의 연관성을 유추할 수 있었다.
The hydraulic pump for a Electro-hydrostatic Actuator for aircrafts should be able to quickly feed large volume of oil into hydraulic cylinder in order to reduce the response time. On the other hand, it should be also able to precisely dispense small amount of oil by low-speed operation so that the steady state position control error of the EHA can be accurately compensated. This paper is focused on the investigation how the plasma coating surface treatment of cylinder barrel with CrSiN can contribute to the reduction of low-speed friction torque of a bent-axis type piston pump. The results showed that the reduction of the friction torque was not remarkable, but that the anti-wear characteristics of the CrSiN-coated cylinder barrel were much better that those of the original one.
The 200 nm thick-NiCr films grew on $SiO_2$/Si substrates at various deposition temperatures by a dc magnetron co-sputtering technique were characterized for the variation of film texture. The resistivity of the films decreases with increasing deposition temperature and temperature coefficient of electrical resistance (TCR) varies from negative value to a positive one with increasing deposition temperature. The NiCr films deposited at $300^{\circ}C$ exhibit 4 ppm/K being near zero TCR, resulting in TCR suitable for $\pi$-type attenuator applications.
최근에 3 ㎓이상의 고주파용 전자부품과 소자의 제조에 낮은 저항온도계수(TCR)값과 높은 정밀도를 갖는 박막저항이 사용되고 있다. Ni-Cr 박막저항은 낮은 TCR 값과 저항에 대한 높은 안정성 때문에 저항 물질로 사용되는 가장 일반적인 물질이다. 본 연구에서는 $Ni_{72}Cr_Al_3Mn_4Si$(wt%)이 첨가된 우수한 저항특성을 갖는 S-type의 Evanohm 합금 타겟과 스퍼터링 장비를 이용하여 박막 저항을 제조하였다. 또한 열처리 조건을 $200^{\circ}C$, 300$300^{\circ}C$, $400^{\circ}C$, $500^{\circ}C$로 변화시키면서 고주파 박막 저항의 미세구조와 전기적 특성을 관찰하여 최상의 열처리 조건을 알아보았다.
최근에 3 GHz이상의 고주파용 전자부품과 소자의 제조에 낮은 TCR 값과 높은 정밀도를 갖는 박막저항이 사용되고 있다. Ni-Cr 박막저항은 낮은 TCR 값과 저항에 대한 높은 안정성 때문에 저항 물질로 사용되는 가장 일반적인 물질이다. 본 연구에서는 $Ni_{72}Cr_{20}Al_3Mn_4Si(wt\%)$ 첨가된 우수한 저항특성을 갖는 s-type의 Evanohm 합금 타겟과 스퍼터링 장비를 이용하여 박막 저항을 제조하였다. 또한 열처리 조건을 $200^{\circ}C,\;300^{\circ}C,\;400^{\circ}C,\;500^{\circ}C$로 변화시키면서 고주파 박막저항의 미세구조와 전기적 특성을 관찰하여 최상의 열처리 조건을 알아보았다.
NiCr thin films prepared on $SiO_2/Si$ substrates at room temperature by magnetron co-sputtering technique and then annealed in a vacuum ambient $(3{\times}10^{-6}\;Torr)\;at\;400^{\circ}C$. The grain size and crystallinity of the films increased with film thickness. The resistivity of the films slightly decreases as the film thickness increases, Temperature coefficient resistance (TCR) exhibits positive values irrespective of film thickness and TCR in the range of 50 to 400 nm thickness shows suitable values for the application of 10 dB in ${\pi}-type$ attenuators.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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