Cu has been used for metallic interconnects in ULSI applications because of its lower resistivity according to the scaling down of semiconductor devices. The resistivity of Cu lines will affect the RC delay and will limit signal propagation in integrated circuits. In this study, we investigated the characteristics of electroplated Cu films according to the variation of concentration of organic additives. The plating electrolyte composed of $CuSO_4{\cdot}5H_2O$, $H_2SO_4$ and HCl, was fixed. The sheet resistance was measured with a four-point probe and the material properties were investigated with XRD (X-ray Diffraction), AFM (Atomic Force Microscope), FE-SEM (Field Emission Scanning Electron Microscope) and XPS (X-ray Photoelectron Spectroscopy). From these experimental results, we found that the organic additives play an important role in formation of Cu film with lower resistivity by EPD.
철강연속주조용 Cu몰드의 내마모성 향상을 위한 Ni-Co/SiC 복합도금을 실행하였다. 우선, Ni, Co의 설파민산 및 황산 Precursor로부터 생성된 피막의 내마모성을 평가하여, Ni-Co 최적 합금도금액을 선정하였다. 이 도금액에 마이크로 및 나노미터 크기의 SiC분말을 분산시켜 복합도금을 진행하였다. 이 때 생기는 문제점은 공정조건을 개선하여 해결하였으며, 그 결과 우수한 내마모성의 Ni-Co/SiC 복합도금 방법을 제안하고자 하였다.
Through-silicon-via (TSV) is a major technology in microelectronics for three dimensional high density packaging. The 3-dimensional TSV technology is applied to CMOS sensors, MEMS, HB-LED modules, stacked memories, power and analog, SIP and so on which can be employed to car electronics. The copper electroplating is widely used in the TSV filling process. In this paper, the various Cu filling methods using the control of the plating process were described in detail including recent studies. Via filling behavior by each method was also introduced.
전기동도금의 경우 도금후 박막의 구조와 특성이 변화하는 단점이 있다. 공정조건 중 인가전류 밀도에 따른 우선결정성장방위, 미세조직, 혼입불순물 및 인장강도 변화를 조사하였다. 혼입불순물이 적은 저전류 밀도($2A/dm^2$)에서는 동도금후 시간이 지남에 따라 초기 인장강도를 유지하였으나, 고전류 밀도(5, $8A/dm^2$)로 갈수록 혼입불순물이 많아지며 동도금후 인장강도 또한 초기값에 비해 약 60%이상 감소하였다.
In this study , fluoborte solution consisting of lead fluoborate, tin fluoborate and cupric acetate was used. By addition of small amount of Cu+= ion to the solution, the Cu content of deposition layer was almost controlled less than 5%. The amount of Cu in deposition layer was almost constant without any influence of Pb++ & Sn++ in the solution, and the amount of Pb was increased by the increase of total concentration of Pb++ +Sn++ in the solution, and the amount of Pb was increased by the increase of total concentration of Pb++ +Sn++ in the solution . Agitation of plating solution & low current density result in the increase of Cu content. Analyzing of microscopic structures and etching tests of the deposited alloy, it was believed that the alloy had a lamellar structure consisting of copper rich lamellar and lead rich layer.
In chromium electrodeposition, crack is inevitably accompanied by chromium layer. Behavior of crack formation and crack density were different from the plating conditions such as current density, temperature, waveform of applied current and so on. And cracks have an influence on the corrosion resistance of chromium deposit, because corrosion occurs through the network of cracks between deposit and substrate. Therefore, many researches have been achieved in order to remove the cracks in chromium deposit. Formation of double layers, Cr/Cr and Ni/Cr were investigated to increase corrosion resistance of chromium deposit in this study. As pretreatment prior to outer chromium coating, acid pickling and current control method were examined. Cracks in cross-section of each sample were observed with SEM and CASS(Copper modified acetic acid salt spray) test was performed to evaluate corrosion resistance. It was found that corrosion resistance of Cr/Cr and Ni/Cr double layers were superior to Cr or Ni single layer from the results of CASS test.
연속 동판재 생산을 위하여 전주도금 기술과 고속동도금 기술을 응용하여 동도금 공정을 개발하였다. 동 연속 전주 장비를 개발하고 적절한 동도금 조건의 개발을 통하여 연속적인 동도금 판재의 생산이 가능하게 하였다. 연속 전주 장치에서 제작된 동판재의 최종 물성을 살펴보면 두께 형성 속도는 $20{\mu}m/min$. 속도이고, 동판재의 두께 편차는 5%이내의 두께 편차를 나타내었다. 제작된 동 판재의 비저항은 $2.2{\times}10-6\;{\Omega} cm$를 나타내었으며, SEM을 이용한 표면관찰에서 void-free한 형태를 나타내었다. 판재상의 피막의 불순물은 500ppm 이하의 물성을 나타내었다.
본 실험에서는 PET 위 무전해 도금을 위한 대안 공정 개발을 목적으로 은(Ag)와 과망간산염($MnO_4{^-}$)를 사용하여 기존에 일반적으로 사용된 Sn/Pd의 Sensitization과 Activation process를 대체하는 기술을 연구했다. Palladium(Pd)의 경우 공정비용에서 높은 부분을 차지하기 때문에 이를 대신하여 Ag를 사용했으며, PET 표면의 전처리를 위해 Ultra Violet과 과망간 산염을 이용하여 표면의 친수성을 높였다. 과망간산염을 사용하여 표면을 전처리하는 과정에서 이산화망간($MnO_2$)과 알코올 작용기가 생성되는데 Ag activation 단계에서 촉매 생성에 중간 매개체 역할을 하는 것으로 사료된다. 이와 같은 결론을 도출 하기 위해서 표면 위 Ag의 화학적 구조 및 상 분석을 위해 XPS와 TEM이 사용되었으며 표면에서 Ag는 Ag-O와 같은 Silver oxide의 형태와 Ag-Mn-O와 같은 Compound로 무전해 도금을 위한 촉매 역할 하는 것으로 판단된다.
무전해 도금법을 이용하여 고분자섬유의 형태를 가진 전도성 필러를 제조하였다. 나일론 6과 레이온 섬유 분체에 니켈과 구리를 도금한 복합 전도성 필러를 제조하였다. 입도 분석기를 이용하여 필러의 입자크기분포를 측정하였으며, 전도성 필러의 전도성을 측정하기 위해 전도성 분석기를 이용하였으며, 본 연구의 전도성 필러와 유사한 용도로 사용되는 탄소섬유의 전도성을 측정하여 전도성의 차이점을 비교하였다. ABS 수지에 제조된 전도성 필러를 주입하여 필름을 만들어서 1MHz$\sim$1GHz 주파수 대역에서 전자파 차폐 특성을 측정하였다. 제조된 전도성 필러가 첨가된 필름의 전자기파 차폐 특성을 측정하기 위하여 ASTM(D4935-89) 규격의 플랜지형 동축전송선 측정기구를 사용하였다. 제조된 전도성 필러는 기존의 탄소계 필러에 비해 전도성이 커서 전자파 차폐용 재료로 적합하였다.
SiC 보강재 표면에 도금된 Cu금속층이 Al/SiC복합재료의 젖음성에 미치는 영향을 검토하였다. 보강재에 대한 금속층의 도금은 무전해도금법을 이용하였으며, Al/SiC 복합재료의 제조는 텅스텐 발열체 진공로의$ 670^{\circ}C$~$900^{\circ}C$에서 제조하여 보강재와 기지간의 접촉부위를 촬영하여 젖음성을 측정하였다 젖음성 측정 결과 보강재에 도금된 Cu층은 젖음성을 향상시켰고, 젖음성의 개선은 보강재에 도금된 금속층과 기지간의 반응에 의해 계면에너지를 변화시킴으로서 나타난 결과이며. 반응을 통한 산화피막의 배제도 영향을 미친 것으로 판단된다
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[게시일 2004년 10월 1일]
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