• 대한금속재료학회지
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• 제47권9호
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• pp.586-590
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• 2009

The effects of additives on the surface morphology and physical properties of copper electrodeposited on polyimide(PI) film were investigated here. Two kinds of additives, an activator(additive A) and a leveler(additive B),were used in this study. Electrochemical experiments, in conjunction with scanning electron microscopy(SEM), X-ray diffraction(XRD) and a four-point probe, were performed to characterize the morphology and mechanical characteristics of copper electrodeposited in the presence of the additives. The surface roughness, crystal growth orientation and resistivity could be controlled using various quantities of additive B. High resistivity and lower peel strength were observed on the surface of the copper layer electroplated onto the electrolyte with no additive B. However, a uniform surface, lower resistivity and high flexibility were obtained with a combination of 20 ppm of additive A and 100 ppm of additive B.

• 박물관보존과학
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• 제23권
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• pp.1-16
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• 2020

이 논문에서는 부여 규암리 출토 '금동관음보살입상(국보 제293호, M335번)' 1점을 현미경으로 확대 관찰하여 제작기법을 확인하였고, XRF 성분분석과 Hard X-선 조사로 구성 성분과 불상 표면 처리 방법, 주조법을 확인하였다. 이 불상은 연화대좌 위에 직립하는 보살상이다. 불상 양 측면으로 흘러내린 천의와 대좌에 표현된 연화문의 모양을 볼 때 7세기 이후에 만들어진 불상의 특징을 하고 있다. 대좌 안쪽에서 내형과 외형을 고정시키기 위한 틀잡이와 주물의 주입 흔적이 관찰되었다. 또한, 주조기법은 팔과 대좌 부분에 청동 주물시 형성된 기포가 확인되어 이를 종합해 볼 때 고대 중소형 금동불 제작에 많이 사용되는 밀납주조법으로 제작한 것으로 판단된다. 성분분석 결과, 불상 내부에서는 시기적으로 6~7세기에 많이 나타나는 구리(Cu)-주석(Sn)-납(Pb) 계열의 3원계 합금을 사용한 것으로 확인되며 이는 금속을 합금하여 주조를 쉽게 하고 불상에 표현된 문양 및 장식을 선명하게 표현하고자 하는 의도로 추정된다. 불상 표면에서는 수은(Hg)이 검출되어 금(Au)을 수은(Hg)에 용해시켜 도금하는 방식인 아말감도금기법을 사용했던 것으로 추정되며 이러한 도금방법은 고대 한반도에서 제작된 소형 금동불에서 주로 확인되는 불상의 도금 방식이다.

• 한국표면공학회지
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• 제49권1호
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• pp.54-61
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• 2016

Screen printing of commercially available Ag paste is the most widely used method for the front side metallization of Si solar cells. However, the metallization using Ag paste is expensive and needs high temperature annealing for reliable contact. Among many metallization schemes, Ni/Cu/Sn plating is one of the most promising methods due to low contact resistance and mass production, resulting in high efficiency and low production cost. Ni layer serves as a barrier which would prevent copper atoms from diffusion into the silicon substrate. However, Ni based schemes by electroless deposition usually have low thermal stability, and require high annealing process due to phosphorus content in the Ni based films. These problems can be resolved by adding W element in Ni-based film. In this study, Ni-W-P alloys were formed by electroless plating and properties of it such as sheet resistance, resistivity, specific contact resistivity, crystallinity, and morphology were investigated before and after annealing process by means of transmission line method (TLM), 4-point probe, X-ray diffraction (XRD), and Scanning Electron Microscopy (SEM).

• 전기화학회지
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• 제25권2호
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• pp.81-87
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• 2022

본 연구에서는, 알킬아민이 구리전해도금에 미치는 영향을 cyclic voltammetry를 이용해 분석해보았다. 수용액상 용해도를 갖는 알킬아민을 도금액에 첨가할 경우, Cu²⁺의 환원반응이 억제되는 것을 확인할 수 있었다. 다양한 알킬아민 중 1,12-diaminododecane에 대해 다양한 농도 및 도금액 조건에서 억제 효과를 관찰하였다. 1,12-diaminododecane은 산성 도금액상에서 protonation 되어, Cu²⁺의 착화제로써 작용하지 않았으며, 따라서 1,12-diaminododecane의 억제 효과는 Cu 표면상 흡착에 의한 것임을 확인할 수 있었다. 1,12-diaminododecane는 (i) protonation에 의한 양이온화와 그에 따른 Cu 표면상 기흡착한 음이온과의 정전기적 인력에 의한 흡착과 (ii) amine에 의한 Cu 표면상 직접 흡착의 두가지 특성을 모두 가지고 있었다. 흡착한 1,12-diaminododecane은 도금 반응을 억제할 뿐만 아니라, 구리도금막 형성시 3차원적 성장과 표면 미세화를 야기하였다.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제22권4호
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• pp.57-63
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• 2015

내산화 특성을 가지는 저가격 도전성 필러 소재로의 적용을 위해 Ag 코팅 Cu 플레이크의 제조를 수행하면서 Cu 플레이크 표면의 산화층 제거를 위한 암모니아수 기반 전처리 용액의 적용법에 따른 영향을 분석해 보았다. 1회 전처리법 적용 시 전처리 시간이 2분을 초과하면서 플레이크 표면에서 홀 형태의 결함들이 생성되었으며, 유지시간에 비례하면서 그 개수와 크기가 점차 증가하였다. 또한 2분간의 전처리 후 Ag 도금 용액을 투입한 결과 도금 반응 중에 결함 발생이 다시 진행되어 플레이크 입자의 손상을 막을 수 없었다. 이에 비해 2분간의 1차 전처리 후 전처리 용액을 제거하고 저농도의 전처리 용액을 투입하여 2차 전처리를 실시하면서 Ag 도금 용액을 투입한 공정법에서는 상기 결함의 발생 빈도를 크게 줄일 수 있었다. 그 결과 1회 전처리법으로 제조된 15 wt% Ag 코팅 Cu 시료의 경우 약 $166^{\circ}C$의 온도부터 산화가 시작되었지만, 2회 전처리법으로 제조된 시료는 약 $224^{\circ}C$에서 산화가 시작되어 월등히 향상된 내산화 특성을 나타내었다.

• 전기화학회지
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• 제5권3호
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• pp.153-158
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• 2002

전해전착법을 이용한 상감(damascene)구리 배선 충전시 레벨러 효과에 대해 연구하였다. 레벨러를 첨가한 도금액과 첨가하지 않은 도금액을 제조하여 선 폭이 $0.37{\mu}m,\;0.18{\mu}m$인 선형 트렌치를 충전한 후 field emission scanning electron microscope(FE-SEM)로 트렌치 단면을 관찰하였다. 레벨러로 Janus Green B를 사용하였으며, 억제제로서 polyethylene glycol(PEG), 촉진제로서 3-mercapto-1-propansulfonic acid를 사용하였다 레벨러를 첨가하지 않은 경우 $0.37{\mu}m$(종횡비 2.7:1) 트렌치를 공극 없이 충전할 수 있었으나 $0.18{\mu}m$(종횡비 5.25:1) 트렌치에서는 공극(void)이 형성되었다. 레벨러를 첨가한 경우에는 $0.18{\mu}m$ 트렌치를 공극 없이 충전할 수 있었다. 레벨러를 첨가하지 않은 경우 트렌치 모서리에서의 전착속도를 충분하게 억제하지 못하고 거칠게 전착되어 미세한 트렌치 충전시 공극을 형성한 반면, 레벨러를 첨가한 경우는 트렌치 상부모서리에서의 전착속도를 억제하고 균일한 전착을 유도하여 미세한 트렌치를 공극 없이 채울 수 있었다.

• 한국진공학회지
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• 제12권3호
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• pp.193-199
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• 2003

아크-마그네트론 복합 공정법에 의해 Cu, Ag 도핑된 TiN 나노 복합 화합물 박막을 합성하고 각 금속원소 종류 및 함량에 따른 기계적 특성 및 나노 구조로의 상변화 거동을 관찰하였다. 합성된 박막은 약 40 ㎬의 높은 경도치를 나타내었으며 2 at% 미만의 낮은 금속 원소 함량에서 최대 경도간을 나타내었다. 금속 원소 함량이 증가할수록 결정립 미세화 및 다결정화가 진행되어 초고경도 특성을 나타내는 나노구조 박막이 합성되었으며 도핑되는 금속원소 종류에 따라 나노 구조로의 상변화 기구가 상이함을 관찰하였다. TiN 박막내 도핑된 Cu는 Ti와 일부 결합을 이루면서 Ti의 자리를 치환하는 것으로 나타났으나, Ag는 Ti와 결합을 이루거나 Ti 격자 자리를 치환하는 것이 아니라 독립적으로 결정립계에 존재하여 charge transfer만을 발생시키는 것으로 관찰되었다.

• 한국표면공학회지
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• 제49권5호
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• pp.416-422
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• 2016

We have investigated the effects of applied potential, deposition time and electrolyte types on shapes and physical properties of Cu dendrites by potentiostatic electrodeposition. Finer shape of dendrites was observed at less cathodic potential by 100mV than at the limiting current, due to 'effective overpotential'. The shape of copper dendrite is related to the deposition time, too. The dendrite depositing for 10 min showed the finest shape. The finer dendrite has the less apparent density and the larger specific surface area. Dendrite from chloride solution has the lowest density and the largest surface area among three plating solutions, sulfate, chloride and pyrophosphate.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제10권3호
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• pp.71-74
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• 2009

Electroplated Cu is a cost efficient metallization method in microelectronic packaging applications. Typically in 3-D chip staking technology, utilizing through silicon via (TSV), electroplated Cu metallization is inevitable for the throughput as well as reducing the cost of ownership (COO).To achieve a comparable film quality to sputtering or CVD, a pre-cleaning process as well as plating process is crucial. In this research, atmospheric plasma is employed to reduce the usage of chemicals, such as trichloroethylene (TCE) and sodium hydroxide (NaHO), by substituting the chemical assisted organic cleaning process with plasma surface treatment for Cu electroplating. By employing atmospheric plasma treatment, marginally acceptable electroplating and cleaning results are achieved without the use of hazardous chemicals. The experimental results show that the substitution of the chemical process with plasma treatment is plausible from an environmentally friendly aspect. In addition, plasma treatment on immersion Sn/Cu was also performed to find out the solderability of plasma treated Sn/Cu for practical industrial applications.

• 한국재료학회지
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• 제18권3호
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• pp.117-122
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• 2008

Micro-sized bumps on a multi-layered build-up PCB were fabricated by pulse-reverse copper electroplating. The values of the current density and brightener content for the electroplating were optimized for suitable performance with maximum efficiency. The micro-bumps thus electroplated were characterized using a range of analytical tools that included an optical microscope, a scanning electron microscope, an atomic force microscope and a hydraulic bulge tester. The optical microscope and scanning electron microscope analyses results showed that the uniformity of the electroplating was viable in the current density range of $2-4\;A/dm^2$; however, the uniformity was slightly degraded as the current density increased. To study the effect of the brightener concentration, the concentration was varied from zero to 1.2 ml/L. The optimum concentration for micro-bump electroplating was found to be 0.6 ml/L based on an examination of the electroplating properties, including the roughness, yield strength and grain size.