The hematite the magetite and the maghemite thin film were prepared by oxidation and reductino of the vaccum-evaporated iron thin film. Interre;atoms between film preparation process and the electrical properties were investigated. At room temperature the electrical conductivity of the iron the hematite the magnetite and the maghemite thin film were $1{\times}10^4\Omega^{-1}cm^{-1}$, 2{\times}10^{-5}\Omega^{-1}cm^{-1}$, $3{\times}10^{-5}\Omega^{-1}cm^{-1}$, and $4{\times}10^{-5}\Omega^{-1}cm^{-1}$, resp-ectively. The surface of each thin film was dense and homogeneous. At the temperature that the iron thin film was converted into the hematite thin film the electrical conductivity decreased rapidly and the electrical con-ductivity of the hematite thin film increased as temperature increased. The hematite thin film was reduced to the magnetite thin film in H2 atmosphere. The electrical conductivity decreased rapidly at the temperature that the maghemite thin film is formed by oxidation of the magnetite thin film and the electrical conductivity of the maghemite thin film increased as temperature increased.
The amorphous chalogenide semiconductors are new material in semiconductor physics. Their properties, especially electronic and optical properties are main motives for device application. Amorphous As$_{10}$Ge$_{15}$ Te$_{75}$material has the stable ac conductivity at high frequency and the dc memory switching property. At higher frequency than 10MHz, ac conductivity of As$_{10}$Ge$_{15}$ Te$_{75}$ thin film is much higher than below frequency and independent of temperature and frequency. If the dc voltages are applied between edges of thin film, one can see the dc memory switching phenomenon, in other words the dc conductivity increases quite a few of magnitude after the threshold voltage is applied. Using the stable ac conductivity at high frequency and the increase of conductivity after dc memory switching, As$_{10}$Ge$_{15}$ Te$_{75}$thin film is considered as new material for microwave switch devices.vices.es.vices.
The present article investigates experimentally and theoretically thermal and optical characteristics of thin film structures through measurement of thermal conductivity of Pyrex 7740 and reflectance in silicon thin film. The $3{\omega}$ method is used to measure thermal conductivity of very thin film with high accuracy and the optical characteristics in thin films are studied to examine the influence of incidence angle of light on reflectance by using the CTM(Characteristics Transmission Method) and the 633 nm He-Ne laser reflectance measurement system. It is found that the estimated reflectance of silicon show good agreement with experimental data. In particular, the present study solves the EPRT(Equation of Phonon Radiative Transport) which is based on Boltzmann transport equation for predicting thermal conductivity of nanoscale film structures. From the results, the measured thermal conductivity is in good agreement with the previous published data. Moreover, thermal conductivities are estimated for different film thickness. It indicates that as film thickness decreases, thermal conductivity decreases substantially due to internal scattering.
The thermal stability of polyaniline-camphorsulfonic acid(PANI-CSA) film was studied as a function of temperature and time. A decrease in electrical conductivity of PANI-CSA film occurred when PANI-CSA film is subjected to temperature above 60$^{\circ}C$. From the result of thermogravimetry (TG), it was thought that the deterioration in electrical conductivity of PANI-CSA film was due to evaporation of water and residual solvent.
Polyaniline free standing films cast from N-methyl-2-pyrrolidinone(NMP) solution, camphorsulfonic acid(HCSA), dodecylbenzensulfonic acid(HDBSA), inorganic matter(carbon black, graphite) and metal(silver) were prepared by processings. The properties of these films such as crystallinity, near-infrared absorption spectra and conductivity were investigated. The HCSA and HDBSA doped polyaniline films cast from m-cresol and chloroform solvents showed the metallic property and high crystallinity, respectively. The value of conductivity in the HCSA doped polyaniline film obtained 180 S/cm. We have obtained the value of conductivity 200 S/cm in the metal(silver) doped polyaniline film, which is higher than that of the HCSA doped polyaniline film. The metal(silver) doped polyaniline film shows good properties as a electromagnetic shielding material.
In the present study, the thermal conductivity of a silicon nitride($Si_3N_4$) thin-film is evaluated using the dual-wavelength pump-probe technique. A 100-nm thick $Si_3N_4$ film is deposited on a silicon (100) wafer using the radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition technique and film structural characteristics are observed using the X-ray reflectivity technique. The film's thermal conductivity is measured using a pump-probe setup powered by a femtosecond laser system of which pump-beam wavelength is frequency-doubled using a beta barium borate crystal. A multilayer transient heat conduction equation is numerically solved to quantify the film property. A finite difference method based on the Crank-Nicolson scheme is employed for the computation so that the experimental data can be curve-fitted. Results show that the thermal conductivity value of the film is lower than that of its bulk status by an order of magnitude. This investigation offers an effective way to evaluate thermophysical properties of nanoscale ceramic and dielectric materials with high temporal and spatial resolutions.
In this paper, we fabricated organic compounds detector using the MWCNT/PMMA (multi-walled carbon nanotube / polymethylmethacrylate) composite film. We used polymer film as a matrix material for the device framework, and introduced CNTs for reacting with the organic compounds resulting in changing electrical conductivity. Spray coating method was used to form the MWCNT/PMMA composite film detector, and pattern formation of the detector was done by shadow mask during the spray coating process. We investigated changes of electrical conductivity of the detector before and after the organic compounds exposure. Electrical conductivity of the detector tended to decrease after the exposure with various organic compounds such as acetone, tetrahydrofuran (THF), toluene, and dimethylformamide (DMF). Finally we conclude that organic compounds detection by the MWCNT/PMMA composite film detector was possible, and expect the feasibility of commercial MWCNT/PMMA composite film detector for various organic compounds.
In this study, measurement of thermal conductivity of multilayer thin dielectric film has been conducted via differential 3$\omega$ method. Also, verification of differential 3$\omega$ method has been accomplished with various proposed criteria. The target film for measurement is 300 nm silicon dioxide and this thin film is covered with various thicknesses of upper protective layer. The upper protective layer is inserted between the target film and the heater line for purpose of electrical insulator or anti-oxidation barrier since the target film may be a good electrical conductor or a well-oxidizing material. However, the verification of differential 3$\omega$ method has not been conducted. Thus we have shown that the measurement of thermal conductivity of thin films with upper protective layer via differential 3$\omega$ method is verified to be reliable as long as the proposed preconditions are satisfied. Experimental results show that the experimental errors tend to increase with aspect ratio between upper protective layer thickness and width of the heater line due to heat spreading effect.
Conductive honeycomb-patterned polystyrene (PS) thin films were prepared by the formation of a polyaniline (PANI) thin layer on the surface of the patterned PS thin films using simple one-step chemical oxidative polymerization of aniline. The in situ chemical oxidation polymerization of aniline hydrochloride solution on the patterned structure of the PS films was conducted in the presence of multiwalled carbon nanotubes (MWCNT) to prepare the PANI-MWCNT/PS composite film. The concentration (wt %) of MWCNT was varied in the range of 1%-3% by weight. The dependence of surface morphology of the PANI/PS and PANI-MWCNT/PS composite film to the polymerization time was observed by scanning electron microscopy. The room temperature DC conductivity was obtained by the four-probe technique. The conductivity of the PANI-MWCNT/PS composite film was affected both by the MWCNT concentration and polymerization time. In addition, DC electrical field was loaded during the oxidative polymerization to affect the distribution of the MWCNT included in the composite film, varying the loading voltage in the range of 0.1-3.0 V. The conductivity of the PANI-MWCNT/PS composite film was increased as loading voltage rose. However, this increase stops at a voltage higher than the critical value.
In this paper, we investigated the relations between dispersion of CNTs (carbon nanotubes) and electrical conductivity in the CNT/PVDF (polyvinylidene fluoride) composite film. By adding hydrophobic CNTs as filler into the PVDF matrix, we fabricated hydrophobic and electrically conducting polymer coating film. Dispersion of CNTs in the CNT/PVDF composite film plays a significant role in terms of electrical conductivity and wetting property. Spray coating method was used to form the CNT/PVDF composite films by injecting the dispersed CNTs in the PVDF solution with different weight ratios from 0.7 wt% to 7 wt%. We investigated the electrical properties and contact angles of the CNT/PVDF composite films with the CNT concentration. Finally we discussed the conducting mechanism and feasibility of the CNT/PVDF composite film for the conducting polymer films.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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