Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2013.02a
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pp.429-429
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2013
We present a systematic study of the electrical, optical and electromechanical properties of flexible graphene/metal grid hybrid transparent conductive electrodes using 4-point prove method, ultraviolet/visible spectrometer and inner/outer bending test system. The hybrid electrodes were synthesized by depositing a silver grid on a graphene surface. The sheet resistance of hybrid electrodes was as low as 30 Ω/square, while the transmittance was 90%. The electromechanical properties as a function of the change of bending radius were evaluated by measuring the change in resistance. The result will be presented in detail. We believe that these results will provide useful information for the flexible optoelectronic devices based on graphene transparent electrodes.
Carbon nanotubes are considered as the most ideal nano filler in the field of composites with their excellent electrical, mechanical, and thermal properties. Therefore carbon nanotubes composites are increasingly utilized in conductive materials, structural material with high strength and low weight and multifunctional material. This review article describes recent research trend of carbon nanotubes synthesis, modification, various properties of the carbon nanotubes composites and their application. Furthermore the future development direction for the commercialization of carbon nanotubes composites is proposed.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2005.07a
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pp.254-255
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2005
In this work, the effects of plasma treatment on surface properties of semi conductive silicone rubber were investigated in terms of X-ray photoelectron spectroscopy(XPS). The adhesion characteristics of semiconductive-insulating interface layer of silicone rubber were studied by measuring the T-peel strengths. As a result, semiconductive silicone rubber surfaces treated with plasma discharge led to and increase in oxygen-containing functional groups, resulting in improving the degree of adhesion of the semiconductive-insulating interface layer of silicone rubber. these results are probably due to the modifications of surface functional groups or polar component of surface free energy of the semi conductive silicone rubber.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.27
no.12
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pp.841-846
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2014
It found that the maximum temperature of the arc discharge occurred on the Silicone rubber sample significantly decreased with increasing the reinforcing agent. It was confirmed that the current value decreased with increasing the aluminium trihydrate($Al(OH)_3$) and the current value increased with reducing the primary resistance over time. Regarding these results, may be it is because the degradation due to the electro-conductive carbonization was improved and the properties of dielectric breakdown was reduced by the flame retardant reinforcing agent. It found that the electro-conductive carbonized road has not happened by increasing the flame retardant reinforcing agent. Regarding to the arc discharge, this study show that the arc arising near the lower electrode of sample has disappeared.
Shielding effects in conductive and magnetic materials were investigated as a function of properties, thickness and diameter. In this work, evaluations on passive conductive and magnetic shield specimens were achieved through experimentation set-up using 50 Hz single and three phase induction field sources. Analysis on material microstructure properties and characteristics of shielding specimens were performed with the use of vibrating sample magnetometer (VSM) and field emission scanning electron microscopy (FESEM). An induction field at $136{\mu}T$ of single phase system and $50{\mu}T$ of three phase systems were observed to the shield specimens with the thickness ranged of 0.2 mm to 0.4 mm. It is observed that shield specimen efficiency becomes inversely proportionate to the increment of induction fields. The decrease was attributed to the surface structure texture which relates to the crystallization and non-crystallization geometrical effects.
The properties of the IZTO thin films on the glass were studied with a variation of the $SiO_2$ buffer layer thickness. $SiO_2$ buffer layers were deposited by plasma-enhanced chemical vapor deposition (PECVD) on the glass, and the In-Zn-Tin-Oxide (IZTO) thin films were deposited on the buffer layer by RF magnetron sputtering. All the IZTO thin films with the $SiO_2$ buffer layer are shown to be amorphous. Optimum $SiO_2$ buffer layer thickness was obtained through analyzing the structural, morphological, electrical, and optical properties of the IZTO thin films. As a result, the IZTO surface roughness is 0.273 nm with a sheet resistance of $25.32{\Omega}/sq$ and the average transmittance is 82.51% in the visible region, at a $SiO_2$ buffer layer thickness of 40 nm. The result indicates that the uniformity of surface and the properties of the IZTO thin film on the glass were improved by employing the $SiO_2$ buffer layer and the IZTO thin film can be applied well to the transparent conductive oxide for display devices.
The Journal of the Institute of Internet, Broadcasting and Communication
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v.9
no.3
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pp.173-178
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2009
We have investigated the electrical properties of oxide metal thin film device. The device has been fabricated top-top electrode structure and its transport properties are measured in order to study the resistance change. Electrical properties with linear voltage sweep on a electrodes are used to show the variation of resistance of oxide metal thin film device. Fabricated oxide metal thin film device with MIM structure is changed from a low conductive Off-state to a high conductive On-state by the external linear voltage sweep. The $Si/SiO_2/MgO$ device is switched from a high resistance state to a low resistance state by forming. Consequently, we believe oxide metal is a promising material for a next-generation nonvolatile memory and other electrical applications.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.02a
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pp.454-454
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2010
In order to achieve a high efficient a-Si solar cell, the TCO (transparent conductive oxide) substrates are required to be a low sheet resistivity, a high transparency, and a textured surface with light trapping effect. Recently, a zinc oxide (ZnO) thin film attracts our attention as new coating material having a good transparent and conductive for TCO of solar cells. In this paper the optical properties of $H_2$ post-treated BZO (boron doped ZnO, ZnO:B) thin film are investigated with $O_2$-plasma treatment. The BZO thin films by MOCVD (Metal Organic Chemical Vapor Deposition) are investigated and the samples of $H_2$ post-treated BZO thin film are tested with $O_2$-plasma treatment by plasma treatment system with 13.56 MHz as RIE (Reactive Ion Etching) type. We measured the optical properties and surface morphology of BZO thin film with and without $O_2$-plasma treatment. The optical properties such as transmittance, reflectance and haze are measured with integrating sphere and ellipsometer. This result of the BZO thin film with and without $O_2$-plasma treatment is application to the TCO for solar cells.
Lead frame which has a high thermal conductivity and high mechanical strength is one of core technology for ultra-thin electronics such as LED lead frames, memory devices of semiconductors, smart phone, PDA, tablet PC, notebook PC etc. In this paper, we fabricated a Cu/STS/Cu 3-layered clad metal for lead frame packaging materials and characterized the mechanical properties and thermal conductive properties of the clad metal lead frame material. The clad metal lead frame material has a comparable thermal conductivity to typical copper alloy lead frame materials and has a reinforced mechanical tensile strength by 1.6 times to typical pure copper lead frame materials. The thermal conductivity and mechanical tensile strength of the Cu/STS/Cu clad metal are 284.35 W/m K and $52.78kg/mm^2$, respectively.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2010.08a
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pp.85-85
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2010
Graphene, the building block of graphite, is one of the most promising materials due to their fascinating electronic transport properties. The pseudo-two-dimensional sp2 bonding in graphene layers yields one of the most effective solid lubricants. In this poster, we present the correlation between electrical and nanomechanical properties of graphene layer grown on Cu/Ni substrate with CVD (Chemical Vapor Deposition) method. The electrical (current and conductance) and nanomechanical (adhesion and friction) properties have been investigated by the combined apparatus of friction force microscopy/conductive probe atomic force microscopy (AFM). The experiment was carried out in a RHK AFM operating in ultrahigh vacuum using cantilevers with a conductive TiN coating. The current was measured as a function of the applied load between the AFM tip and the graphene layer. The contact area has been obtained with the continuum mechanical models. We will discuss the influence of mechanical deformation on the electrical transport mechanism on graphene layers.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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