회귀에 기인하는 부정맥의 발생 기전 분석을 위해 심장 전도 계통의 변경된 Hidden Markov Model을 세우고 모의 실험을 하였다. 먼저, 심근의 탈분극 시간과 전도 속도, 탈분극의 자율성(autonomicity)을 매개 변수로 한 모의 실험을 통해 시간적인 심장 진도와 피에 따른 심전도 결과를 얻었다. 결과는 연속된 심전도 파형과 그 발생 시간이었다. 매개변수는 율동의 속도, 각 파형간의 간격, 이상 파형의 발생 빈도등을 결정한다. 정상 동율격 및 심실상성/심실성 정맥, 심방/심실 조기 박동등을 모의 실험할 수 있는 매개변수의 세트를 구하였다. 다음으로 Hidden Markov Model의 확률적 추정 방법을 응용하여 심전도 결과를 가지고 최적 확률의 심장 전도 경로를 추정하였다. 변경된 추정 방법을 이용하여, 모의 실험한 전도경로와 추정한 경로가 유사함을 확인하였다.
Understanding the thermal conductivity and heat transfer processes in superlattice structures is critical for the development of thermoelectric materials and optoelectronic devices based on quantum structures. $Chen^{(1)}$ developed ballistic diffusive equation(BDE) for alternatives of the Boltzmann equation that can be applied to the complex geometrical situation. In this study, a simulation code based on BDE is developed and applied to the 1-dimensional transient heat conduction across a thin film and transient 2-dimensional heat conduction across the film with heater. The obtained results are compared to the results of the $Chen^{(1)}$ and Yang and $Chen^{(1)}$. Finally, steady 2-dimensional heat conduction in the quantum dot superlattice are solved to obtain the equivalent thermal conductivity of the lattice and also compared with the experimental data from $Borca-Tasciuc^{(2)}$.
Amorphous $Sb_{2-x}Bi_xTe_3$ (x = 0.0, 0.5 and 1.0) thin films were prepared by vacuum evaporation. The resistivity of 7he films decreases from 1.4{\times}10^{-2}$ to $8.84{\times}10^{-5}\Omega cm$ and the type of conductivity changes from p to n with the increase of the x value of the films. D.C. conduction studies on these films ate performed at various electric fields in the temperature range of 303-403 K. At low electric fields, two types of conduction mechanisms, i.e. the variable range hopping and the phonon assisted hopping are found to be responsible for the conduction, depending upon the temperature. The activation energy decreases from 0.082 to 0.076 eV in the temperature range of 303-363 K and from 0.47-0.456 eV in the second range of 363-403 K, indicating the shift of the Fermi level towards the conduction band edge and hence the change of the conduction from P to n type with the increase of the Bi concentration. Poole-Frankel emission dominates at high fields. The shape of the potential well of the localized centre is deduced and the mean free path of the charge carriers is also calculated.
In this paper, we analyze the characteristics of Motor Noise according to PWM method, especially in the case of 2-phase conduction method. There are two types of PWM methods used usually. One is Lower-PWM and the other is Upper&Lower PWM. Because there is a difference between freewheeling path of both methods, Current profiles of two methods are different. This makes the difference of Torque Ripple and so difference of Noise Performance. In this paper, the path will be analyzed and the comparison of Noise performance of two types of PWM methods will be showed by experiment results.
Direct immersion cooling has been considered as one of the promising methods to cool high power density chips. A fluorocarbon liquid such as FC-72, which is chemically and electrically compatible with microelectronic components, is known to be a proper coolant for direct immersion cooling. However, boiling in this dielectric fluid is characterized by its small value of the critical heat flux. In this experimental study, we tried to enhance the critical heat flux by increasing the nucleate boiling area in the heat spreader (Conductive Immersion Cooling Module). Heat nux of 2 MW/㎡ was successfully removed at the heat source temperature below 78$^{\circ}C$ in FC-72. Some modified boiling curves at high heat flux were obtained from these modules. Also, the concept of conduction path length is very important in enhancing the critical heat flux by increasing the heat spreader surface area where nucleate boiling occurs.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제10권2호
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pp.107-117
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2010
An analytical subthreshold swing model is presented for symmetric double-gate (DG) MOSFETs with Gaussian doping profile in vertical direction. The model is based on the effective conduction path effect (ECPE) concept of uniformly doped symmetric DG MOSFETs. The effect of channel doping on the subthreshold swing characteristics for non-uniformly doped device has been investigated. The model also includes the effect of various device parameters on the subthreshold swing characteristics of DG MOSFETs. The proposed model has been validated by comparing the analytical results with numerical simulation data obtained by using the commercially available $ATLAS^{TM}$ device simulator. The model is believed to provide a better physical insight and understanding of DG MOSFET devices operating in the subthreshold regime.
본 연구에서는 분석학적 모델을 이용하여 DGMOSFET의 전류-전압을 고찰하고자 한다. 분석학적 모델을 유도하기 위하여 포아송 방정식을 이용하였다. 드레인 전류가 $10^{-7}A$일 때 상단게이트전압을 문턱전압으로 정의하였다. 채널의 길이를 20nm에서 100nm까지 변화시켜 채널길이에 따른 전류-전압특성을 분석하였다. 또한 본 연구에서 제시한 모델을 사용하여 DGMOSFET 설계시 중요한 도핑농도와 채널두께 등의 요소변화에 대한 전류-전압의 변화를 관찰하였다. 구조적 파라미터의 변화에 따라 전도중심의 변화와 전도중심이 전류-전압에 미치는 영향을 분석하였다.
본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 채널길이와 채널두께의 비에 따른 문턱전압이하 스윙의 변화를 분석하고자한다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 상하단 게이트 구조를 달리 제작할 수 있어 단채널효과를 제어할 수 있는 요소가 증가한다는 장점이 있다. 특히 채널길이를 감소하였을 경우 문턱전압이하 스윙의 급격한 증가로 인한 특성저하 현상을 감소시킬 수 있다. 그러나 스켈링 이론에 따라 채널길이 감소에 따라 채널두께도 변화되어야하며 이에 문턱전압이하 스윙이 변화하게 된다. 그러므로 채널길이와 채널두께의 비가 문턱전압이하 스윙을 결정하는 중요 요소가 된다. 해석학적으로 문턱전압이하 스윙을 분석하기 위하여 해석학적 전위분포를 포아송방정식을 통하여 유도하였으며 다양한 채널길이 및 채널두께에 대하여 전도중심과 문턱전압이하 스윙을 계산한 결과 채널길이와 채널두께의 비에 따라 전도중심과 문턱전압이하 스윙이 변화한다는 것을 알 수 있었다.
Kim, Seokho;Sangkwon Jeong;Jin, Hong-Beom;Kideok Sim
한국초전도ㆍ저온공학회논문지
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제5권1호
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pp.76-80
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2003
A contractible heat pipe is designed and tested to improve cooling performance of conduction cooled superconducting magnet. When the heat pipe temperature drops below the triple point temperature, heat pipe working fluid freezes to create low pressure. From this moment the heat pipe does net work any more (OFF state) and it just works as a heat leak path when the temperature of the first stage is higher than that of the second stage. Considering small cooling capacity of the second stage around 4.2 K, the conduction loss is not negligible. Therefore, the contractible heat pipe, made of a metal bellows and copper tubes, was considered to eliminate the conduction loss. Nitrogen and argon are as working fluid of heat pipe. The copper block is cooled down with these heat pipe and the cooling performance for each heat pipe is compared. At off state, the bellows is contracted due to the low pressure of heat pipe and the evaporator section of the heat pipe is detached about 3 mm from the second stage cold head of the cryocooler. In this way, we tan eliminate the conduction loss through the heat pipe wall.
The ionic conductivity of NASICON solid electrolytes was simulated by using Monte Carlo Method (MCM). There were included two conduction paths: (1) Na1-Na2 and (2) Na1-Na2 including Na2-Na2. We assumed that mid-Na ions provde an additional driving force for Na mobile ions due to the interionic repulsion between Na1 and Na2 ions. The inflection point of vacancy availability factor, V has been shown at nearby x=2, the maximum mid-Na ions. The inflection point of vacancy availability factor, V has been shown at nearby x=2, the maximum mid-Na sites are occupied. The effective jump frequency factor, V has been shown at nearby x=2, the maximum mid-Na sites are occupied. The effective jump frequency factor, W increased rapidly with the composition at low temperature, but decreased at high temperature region. On Na1-Na2 conduction path, the minimum of charge correlation factor, fc and the maximum of $\sigma$T were appeared at x=2.0. this indicated that mid-Na ions affect on the high ionic conductivity behavior. At the whole range of NASICON composition, 1n $\sigma$T vs. 1/T* plots have been shown Arrhenius behavior but 1n (VWFc) vs. 1/T* have been shown the Arrhenius type tendency at x=2, which mid-Na is being the maximum. The results of MCM agreed with the experimental one when the chosen saddle point value was 6$\varepsilon$ : 3$\varepsilon$. Here the calculated characteristic parameter of materials, K and the phase transition temperature were -4.001$\times$103 and 178$^{\circ}C$ (1/T*=1.92, 1000/T=2.22), respectively.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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