SiOC 박막의 유전상수가 낮아지는 원인에 대하여 굴절계수와 C-V 측정법을 이용하여 얻은 파라미터를 사용하여 연구되었다. SiOC 박막은 해리된 가스의 재결합을 통하여 이온결합에 의해서 형성된다. 전통적으로 유전상수는 굴절률의 제곱으로 얻을 수 있거나 혹은 금속/절연체/실리콘 구조에서 C-V 측정법을 이용하여 얻어진다. 유전상수는 이온과 전자 성분으로 이루어졌다. 그래서 이온과 전자성분을 포함한 SiOC 박막의 평균적인 유전상수에 대하여 조사되었다. 유전상수는 열처리 후 감소되었다. 증착한 박막은 대부분이 이온효과에 의하여 유전상수가 구성되는 경향성이 있으며, 반대로 열처리한 박막에서는 전자에 의한 효과가 컸다. 왜냐하면, 이온의 효과가 열처리에 의해 감소되기 때문이다. 결과적으로 열처리 공정을 통하여 SiOC 박막의 이온효과는 감소하고 전자의 효과는 증가된다는 것을 확인하였다.
This paper designed a voltage feedback driving circuit to compensate for the characteristic deviation of the Active Matrix Organic Light Emitting Diode driving Thin Film Transistor. This paper describes a stable and fast circuit by applying charge sharing and polar stabilization methods. A 12-inch Organic Light Emitting Diode with a Double Wide Ultra eXtended Graphics Array resolution creates a screen distortion problem for line parasitism, and charge sharing and polar stabilization structures were applied to solve the problem. By applying Charge Sharing, all data lines are shorted at the same time and quickly positioned as the average voltage to advance the compensated change time of the gate voltage in the next operation period. A buffer circuit and a current pass circuit were added to lower the Amplifier resistance connected to the line as a polar stabilization method. The advantage of suppressing the Ringing of the driving Thin Film Transistor can be obtained by increasing the stability. As a result, a circuit was designed to supply a stable current to the Organic Light Emitting Diode even if the characteristic deviation of the driving Thin Film Transistor occurs.
Researches about micro technology travel lively in these days. Such many researches are concentrated in the field of materials and a process field. But properties of micro materials should be known to give results of research developed into still more. In these various material properties, mechanical property such as tensile strength, elastic modulus, etc is the basic property. To measure mechanical properties in micro or nano scale, actuating must be very precise. PZT is a famous actuator which becomes a lot of use to measure very precise mechanical properties in micro research field. But PZT has a nonlinearity which is called as hysteresis. Not precision result is caused because of this hysteresis property in PZT actuator. Therefore feedback control method is used in many researches to prevent this hysteresis of PZT actuator. Feedback control method produce a good result in processing view, but cause a loss in a resolution view. In this paper, hysteresis is compensated by open loop control method. Hysteresis property is modeled in Mathematical function and compensated control input is constructed using inverse function of original data. Reliability of this control method can be confirmed by testing nickel thin film that is used in MEMS material broadly.
The influence of Au/Ni-based contact formed on a lightly-doped (7.3×1017cm−3, Zn-doped) InGaAsP layer for electrical compensation of surface plasmon polariton (SPP) propagation under various rapid thermal annealing (RTA) conditions has been studied. The active control of SPP propagation is realized by electrically pumping the InGaAsP multiple quantum wells (MQWs) beneath the metal planar waveguide. The metal planar film acts as the electric contact layer and SPP waveguide, simultaneously. The RTA process can lower the metal-semiconductor electric contact resistance. Nevertheless, it inevitably increases the contact interface morphological roughness, which is detrimental to SPP propagation. Based on this dilemma, in this work we focus on studying the influence of RTA conditions on electrical control of SPPs. The experimental results indicate that there is obvious degradation of electrical pumping compensation for SPP propagation loss in the devices annealed at 400℃ compared to those with no annealing treatment. With increasing annealing duration time, more significant degradation of the active performance is observed even under sufficient current injection. When the annealing temperature is set at 400℃ and the duration time approaches 60s, the SPP propagation is nearly no longer supported as the waveguide surface morphology is severely changed. It seems that eutectic mixture stemming from the RTA process significantly increases the metal film roughness and interferes with the SPP signal propagation.
후막형 암모니아 가스센서를 제조하여 가스 감지특성을 조사하였다. 저농도의 암모니아 가스에 감도가 우수한 산화물 반도체 감지물질은 $FeO_{x}-WO_{3}-SnO_{2}$ 이었으며 100 ppm 이하의 암모니아 가스에 노출될 때 감지막의 저항이 증가하는 특이한 경향을 나타내었다. 반면 암모니아 외의 일반적인 환원성 가스에 노출될 때는 저항이 감소하는 경향을 보였다. 이러한 암모니아 가스 감지소자와 감지물질이 Pt-doped $WO_{3}-SnO_{2}$ 로 구성된 보상소자를 결합하여 센서어레이를 제조하였으며 그 특성을 조사하였다. 보상소자는 암모니아 가스와 일반적인 환원성 가스모두에 의해 저항이 감소하는 경향이 있다. 센서 어레이는 감지소자와 보상소자를 하나의 기판위에 형성하여 제조되었으며 우수한 선택성을 얻을 수 있었다. 이러한 개념의 센서어레이를 이용하면 가스센서의 선택성 향상을 기할 수 있음을 확인할 수 있었다.
블록 기반 프레임 레이트 변환 (frame-rate conversion) 또는 필름 떨림 보상 (film judder compensation)을 수행하기 위해서는 참 움직임 벡터(true motion vector)를 찾아야 한다. 이를 위해서 현재 블록의 공간적 및 시간적 상관성을 최대로 하여 시각적으로 덜 부자연스럽게 느끼도록 하는 방법들이 연구되었다. 그러나 기존의 블록단위 절대값 차이의 합 (SAD)만으로는 비정형성 객체의 움직임 에러를 추정할 수 없었다. 본 논문에서는 비정형성 객체가 등속운동을 하는 경우 재귀적으로 기존의 움직임을 유지하도록 하는 방법을 제안하였다. 현재 블록의 등속움직임 추정값을 재귀평균으로 구하였으며 현재 블록 벡터의 신뢰도를 계산하여 원래의 움직임 벡터와 재귀평균 움직임 벡터중에서 가중치를 두도록 하였다. 실험결과 비정형성 등속운동 객체의 움직임을 블록기반으로 추정함을 확인할 수 있었다.
An inverter output power control based power factor correction (PFC) strategy is being extensively used for permanent magnet synchronous motor (PMSM) drives in appliances because such a strategy can considerably reduce the cost and size of the inverter. In this strategy, PFC circuits are removed and large electrolytic DC-link capacitors are replaced with small film capacitors. In this application, the PMSM d-q axes currents are controlled to produce ripples, the frequency of which is twice that of the AC main voltage, to obtain a high power factor at the AC mains. This process indicates that the PMSM operates under periodic magnetic saturation conditions. This paper proposes a back electromotive-force (back-EMF) estimator for the high-speed sensorless control of PMSM operating under periodic magnetic saturation conditions. The transfer function of the back-EMF estimator is analyzed to examine the effect of the periodic magnetic saturation on the accuracy of the estimated rotor position. A simple compensation method for the estimated position errors caused by the periodic magnetic saturation is also proposed in this paper. The effectiveness of the proposed method is experimentally verified with the use of a PMSM drive for a vacuum cleaner centrifugal fan, wherein the maximum operating speed reaches 30,000 rpm.
한국정보디스플레이학회 2006년도 6th International Meeting on Information Display
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pp.1701-1703
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2006
Here we describe a novel driving scheme in the form of negative AC bias stress (NAC) to compensate shift in the threshold voltage for hydrogenated amorphous silicon (${\alpha}$-Si:H) thin film transistor (TFT) for AMOLED applications. This scheme preserves the threshold voltage shift of ${\alpha}$-Si:H TFT for infinitely long duration of time(>30,000 hours) and thereby overall performance, without using any additional TFTs for compensation. We briefly describe about the possible driving schemes in order to implement for real time AMOLED applications. We attribute most of the results based on concept of plugging holes and electrons across the interface of the gate insulator in a controlled manner.
We have performed computer simulation to obtain electro-optic characteristics of reflective hybrid aligned nematic liquid crystal displays driven by fringe field. The results show that the optimal retardation value of the cell is $0.289{\mu}m$, which allows for the cell to have a practical cell gap of larger than $3{\mu}m$ when manufacturing. A reflectance of the dark state is only 0.114% for an incident light 550nm. At this condition, the light efficiency of white state reaches 92.7%. Further, we have studied a new reflective display with polarizer, optical compensation with half plate, LC plus reflector. The display with optimized cell parameters shows low wavelength dispersion and the contrast ratio greater than 5 over exists about $120^{\circ}$ in vertical direction and $160^{\circ}$ in horizontal direction.
Some segment or segments of the body must compensate for the heel, and the higher the heel the greater the compensation. Such compensation was once generally thought to take place in the lumbar region and therefore to increase the lumbar lordosis. The purpose of this study is to analyze changes of lumbar sagittal curvature in barefoot and 6cm 12cm high-heel stance. We selected 19 subjects(11 males, 8 females} without history of lower back pain, significant spinal abnormality. And lateral view X-ray of lumbar region from T12 to S1 was taken of each individual. On each X-ray film, lumbar lordotic angle lumbosacral angle and lumbar segmental angles were measured by Cobb method. We drew the following interpretations from the analysis of measured variables of the lumbar region. 1. In comparison of barefoot 6cm heel 12cm heel stance, lumbar lordotic angle had a tendency to decrease according as the heel height was higher. The change in lumbar lordosis measured in high-heel stance was inconsistent with clinical forkelord of hyperlordosis in wearers of high-heeled. 2. Lumbar lordotic angle from T12 to L5 showed sex difference, and was more lordotic in female(p<0.05). 3. There was no sex difference in lumbosacral angle and lumbar segmental angles(p>0.05). 4. There was a significant correlation between lumbar lordotic angle and lumbosacral angle(r>0.60).
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[게시일 2004년 10월 1일]
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