• 제목/요약/키워드: Chip stack height

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슬릿빔을 이용한 반도체의 칩 적층 높이 측정 (Chip stack height measurement of semiconductor using slit beam)

  • 신균섭;조태훈
    • 한국정보통신학회:학술대회논문집
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    • 한국해양정보통신학회 2009년도 추계학술대회
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    • pp.422-424
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    • 2009
  • 본 논문은 반도체 제조 장비 중 몰드 장비에서 슬릿빔을 이용하여 칩 적층 높이를 측정하는 방법을 연구하였다. 본 논문에서는 슬릿빔을 이용한 높이 측정 방법의 기본 원리를 응용하여 반도체 제조 장비 안에 적용하면서 칩의 적층높이 측정 성능을 높이기 위하여 두 가지 방법을 연구하였다. 첫째로, 카메라 노출 시간과 높이 측정 반복성의 관계이며, 둘째는 PCB(Printed Circuit Board)휨 현상에 대한 측정 오류 최소화를 위하여 최소자승법을 응용하여 측정 성능을 향상 시킬 수 있었다.

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와이어 본더에서의 초저 루프 기술 (The Low Height Looping Technology for Multi-chip Package in Wire Bonder)

  • 곽병길;박영민;국성준
    • 반도체디스플레이기술학회지
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    • 제6권1호
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    • pp.17-22
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    • 2007
  • Recent new packages such as MCP(Multi-Chip Package), QDP(Quadratic Die Package) and DDP(Dual Die Package) have stack type configuration. This kind of multi-layer package is thicker than single layer package. So there is need for the low height looping technology in wirebonder to make these packages thinner. There is stiff zone above ball in wirebonder wire which is called HAZ(Heat Affect Zone). When making low height loop (below $80\;{\mu}m$) with traditional forward loop, stiff wire in HAZ(Heat Affected Zone) above ball is bended and weakened. So the traditional forward looping method cannot be applied to low height loop. SSB(stand-off stitch) wire bonding method was applied to many packages which require very low loops. The drawback of SSB method is making frequent errors at making ball, neck damage above ball on lead and the weakness of ball bonding on lead. The alternative looping method is BNL(ball neckless) looping technology which is already applied to some package(DDP, QDP). The advantage of this method is faster in bonding process and making little errors in wire bonding compared with SSB method. This paper presents the result of BNL looping technology applied in assembly house and several issues related to low loop height consistence and BNL zone weakness.

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휴대용 이동 통신기기의 슬림화를 위한 파워 칩 인덕터의 제품화 (A Product of Power Chip Inductor for Slim Mobile Communication Set)

  • 엄재현;조일제;서종고;김성일;김두일;박준형
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2006년도 제37회 하계학술대회 논문집 B
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    • pp.891-892
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    • 2006
  • An obstacle is an element for power to small and slim the existing portable communication set. Developed Inductor for Chip-type electric power in needs to solve this. Stack applied Process, and used gap of a magnetic path, and made a height of an element to 1.0T or below, and this development commodity did product for saturation prevention to materials of silver. Saturation current characteristic of Chip-type inductor was low compare with winding-type inductors, but bulk against performance were had superior excellence. Chip-type inductor can raise performance per unit volume compared with the existing inductors at these papers. Therefore, acceleration can get growth of small and slim of a mobile product done, and expect.

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$75{\mu}m$ Cu via가 형성된 3D 스택 패키지용 interconnection 공정 및 접합부의 전기적 특성 (Interconnection Process and Electrical Properties of the Interconnection Joints for 3D Stack Package with $75{\mu}m$ Cu Via)

  • 이광용;오택수;원혜진;이재호;오태성
    • 마이크로전자및패키징학회지
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    • 제12권2호
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    • pp.111-119
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    • 2005
  • 직경 $75{\mu}m$ 높이 $90{\mu}m$$150{\mu}m$ 피치의 Cu via를 통한 삼차원 배선구조를 갖는 스택 시편을 deep RIE를 이용한 via hole 형성공정 , 펄스-역펄스 전기도금법에 의한 Cu via filling 공정, CMP를 이용한 Si thinning 공정, photholithography, 금속박막 스퍼터링, 전기도금법에 의한 Cu/Sn 범프 형성공정 및 플립칩 공정을 이용하여 제작하였다. Cu via를 갖는 daisy chain 시편에서 측정한 접속범프 개수에 따른 daisy chain의 저항 그래프의 기울기로부터 Cu/Sn 범프 접속저항과 Cu via 저항을 구하는 것이 가능하였다. $270^{\circ}C$에서 2분간 유지하여 플립칩 본딩시 $100{\times}100{\mu}m$크기의 Cu/Sn 범프 접속저항은 6.7 m$\Omega$이었으며, 직경 $75 {\mu}m$, 높이 $90{\mu}m$인 Cu via의 저항은 2.3m$\Omega$이었다.

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Micro Stacked Spiral Inductor를 이용한 6Gbps 1:2 Demultiplexer 설계 (A 6Gbps 1:2 Demultlplexer Design Using Micro Stacked Spiral inductor in CMOS Technology)

  • 최정명;범진욱
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제45권5호
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    • pp.58-64
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    • 2008
  • CMOS $0.18{\mu}m$ 공정을 이용하여 1.8V supply voltage에서 6Gbps 이상의 처리속도를 가지는 1:2 demultiplexer(DEMUX)를 구현하였다. 높은 동작속도를 위하여 Current mode logic(CML)의 Flipflop을 사용하였으며 추가적인 동작속도 향상을 위하여 On-chip micro stacked spiral inductor($10{\times}10{\mu}m^2$)를 사용하였다. 총 12개의 인덕터를 사용하여 $1200{\mu}m^2$의 면적증가만으로 Inductive peaking의 효과를 나타낼 수 있었다. Chip의 측정은 wafer상태로 진행하였고 Micro stacked spiral inductor가 있는 1:2 demultiplexer와 그것이 없는 1:2 demultiplexer를 비교하여 측정하였다. 6Gbps에서 측정결과 Micro stacked spiral inductor를 1:2 demultiplexer가 inductor를 사용하지 않은 구조보다 Eye width가 약3%정도 증가하였고 또한 Jitter가 43%정도 감소하여 개선효과가 있음을 확인하였다. 소비전력은 76.8mW, 6Gbps에서의 Eye height는 180mV로 측정되었다.

Advances in Package-on-Package Technology for Logic + Memory Integration

  • Scanlan Christopher
    • 한국마이크로전자및패키징학회:학술대회논문집
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    • 한국마이크로전자및패키징학회 2005년도 ISMP
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    • pp.111-129
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    • 2005
  • Pop provides OEMs and EMS with a platform to cost effectively expand options for logic + memory 3D integration - Expands device options by simplifying business logistics of stacking - Integration controlled at the system level to best match stacked combinations with system requirements - Eliminates margin stacking and expands technology reuse - Helps manage the huge cost impacts associated with increasing demand for multi media processing and memory. PoP is well timed to enable and leverage: - Mass customization of systems for different use (form, fit and function) requirements o Bband and apps processor + memory stack platforms - Logic transition to flip chip enables PoP size reduction o Area and height reduction. Industry standardization is progressing. Amkor provides full turn-key support for base package, memory package and full system integration.

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