• 한국지열·수열에너지학회논문집
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• 제14권2호
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• pp.15-22
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• 2018

As heat pump application has been extending to residential, commercial, and industrial fields, the heat pump should have many operation modes. It is required to optimize refrigerant charge amount at all operation modes in order to enhance the annual performance of heat pumps. In this study, the performance analysis of the heat pump which has cooling, heating, cooling-hot water, heating-hot water, and hot water modes was executed with the variation of refrigerant charge amount. As the refrigerant charge amount changed, the maximum COPs of the heat pump at different operation modes were changed within ${\pm}10%$. Therefore, it is highly recommended to select optimum charge amount for the heat pump based on the analysis of annual load for each operation modes.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2007년도 추계종합학술대회
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• pp.776-780
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• 2007

본 논문에서는 저전압 DRAM용 VPP Generator의 전하펌프회로(Charge Pump Circuit)를 새롭게 제안하였다. 제안된 전하펌프회로는 2-Stage 크로스 커플 전하펌프회로(Cross-Coupled Charge Pump Circuit)이다. 4개의 비중첩 클럭신호들을 이용하여 전하전달 효율을 향상시켰고, 각 전하펌프단 마다 Oscillation 주기를 줄일 목적으로 Distributed Clock Driver인 Inverter 4개를 추가하여 펌핑전류(Pumping Current)를 증가시켰다. 그리고 전하전달 트랜지스터의 게이트단에 프리차지회로 (Precharge Circuit)를 두어 대기모드진입 시 펌핑된 전하를 방전하지 못하고 고전압을 유지하여 소자의 신뢰성을 떨어트리는 문제를 해결하였다. 모의실험결과 펌핑전류, 펌핑효율(Pumping Efficiency), 파워효율(Power Efficiency) 모두 향상된 것을 확인하였고, $0.18{\mu}m$ Triple-Well 공정을 이용하여 Layout 하였다.

• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제9권4호
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• pp.419-427
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• 2016

본 논문에서는 저면적 64bit MTP IP를 설계하였다. 저면적 설계기술로는 MTP cell의 inhibit voltage를 기존의 VPP/3과 VNN/3 전압 대신 모두 0V를 사용하므로 VPPL(=VPP/3) regulator 회로와 VNNL(VNN/3) charge pump 회로를 제거하였다. 그리고 external pad를 이용하여 VPP program voltage를 forcing하므로 VPP charge pump 회로를 제거하였다. 또한 VNN charge pump는 VPP 전압을 이용하여 1-stage negative charge pump 회로로 pumping해서 -VPP의 전압을 공급하도록 설계를 하였다. 설계된 64bit MTP IP size는 $377.585{\mu}m{\times}328.265{\mu}m$(=0.124mm2)이며, DC-DC converter관련 layout size는 기존의 회로 대비 76.4%를 줄였다.

• 센서학회지
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• 제17권2호
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• pp.114-119
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• 2008

Wide dynamic range active pixel sensor(APS) using a charge pump circuit has been designed by using 2-poly 4-metal $0.35{\mu}M$ standard CMOS technology. The structure of the proposed APS is similar to the structure of the conventional 3-Tr APS. The proposed unit pixel consists of one photodiode and three MOSFETs. Using a charge pump circuit, the dynamic range of the proposed APS is increased, compared to the conventional 3-Tr APS.

• 한국전자통신학회논문지
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• 제6권1호
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• pp.118-122
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• 2011

플래시메모리의 쓰기나 소거 등의 프로그래밍 동작을 위해서는 각기 다른 고전압이 필요하며, 이를 위해서 차지펌프회로가 사용되어 왔다. 본 논문에서 제안되는 차지펌프회로는 VCO를 이용하여 외부에서 인가되는 기준전압과 차지펌프의 출력이 일치하도록 클락 주파수를 조절해줌으로서 공정에 의한 오차뿐만 아니라 차지펌프의 각 단을 구성하는 MOSFET의 바디효과에 관계없이 예측 가능한 출력을 발생하는 회로이다.

• 한국정보통신학회논문지
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• 제16권2호
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• pp.319-324
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• 2012

본 논문에서는 개선된 charge pump 회로를 이용하여 구성한 2-dimensional 터치스크린 패널 드라이버를 소개한다. 개선된 전정 센싱 회로는 charge pump 회로의 중간노드 전하 축적을 제거하여 출력 전압 표류 현상을 효과적으로 없앤다. 터치 패널 드라이버는 터치를 감지하는 아날로그 센싱 부분과 감지된 신호를 처리하는 디지털 신호 처리 부분으로 이루어진다. 제안된 터치스크린 드라이버의 동작을 확인하기 위하여 혼성 모드로 회로를 구성하고 Cadence Spectre를 이용하여 그 동작을 검증하였다. 디지털 회로 부분은 Verilog-A로 모델링하여 아날로그 회로와 인터페이스가 가능하게 하여 전체 회로 동작을 검증함으로써 혼성모드 회로 동작의 신뢰성을 확보하였고 시뮬레이션 시간을 단축할 수 있었다. 시뮬레이션 결과 개선된 전정 센싱 회로를 이용한 제안된 구조의 터치 패널 드라이버의 안정적인 동작을 확인하였다.

• 한국신재생에너지학회:학술대회논문집
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• 한국신재생에너지학회 2007년도 추계학술대회 논문집
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• pp.538-541
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• 2007

An expansion device plays an important role in optimizing the heat pumps by controlling refrigerant flow and balancing the system pressures. Conventional expansion devices are being gradually replaced with electronic expansion valves due to increasing focus on comfort, energy conservation, and application of a variable speed compressor. In addition, the amount of refrigerant charge in a heat pump is another primary parameter influencing system performance. In this study, the flow characteristics of the expansion devices are analyzed, and the effects of refrigerant charge amount on the performance of the heat pump are investigated at various operating conditions. Cooling capacity of the heat pump system is strongly dependent on load conditions. The heat pump system is very sensitive with a variation of refrigerant charge amount. But, the performance of it can be optimized by adjusting the flow rate through expansion device to maintain a constant superheat at all test conditions.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제6권4호
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• pp.257-263
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• 2006

New charge pump circuits with low area and high power efficiency are proposed and verified in this paper. These pump circuits do not suffer the voltage stress higher than $V_{DD}$ across their pumping capacitors. Thus they can use the thin-oxide MOSFETs as the pumping capacitors. Using the thin-oxide capacitors can reduce the area of charge pumps greatly while keeping their driving capability. Comparing the new pump (NCP-2) with the conventional pump circuit using the thick-oxide capacitors shows that the power efficiency of NCP-2 is the same with the conventional one but the area efficiency of NCP-2 is improved as much as 71.8% over the conventional one, when the $V_{PP}/V_{DD}$ ratio is 3.5 and $V_{DD}$=1.8V.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국해양정보통신학회 2002년도 춘계종합학술대회
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• pp.283-287
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• 2002

To remedy both the degradation and saturation of the output voltages in the modified Dickson pump. a new multi-stage charge pump circuit is presented in this paper. Here using PMOS charge-transfer switches instead of NMOS ones eliminates the necessity of diode-configured output stage in the modified-Dickson pump, achieving the improved voltage pumping gain and its output voltages proportional to the stage numbers. Measurement indicates that VOUT/3VDD of this new pump circuit with two stages reaches to a value as high as 0.94 even with low VDD=1.0 V, strongly addressing that this scheme is very favorable at low-voltage memory applications.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제46권12호
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• pp.80-86
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• 2009

전하펌프의 성능은 공급전압에 의해 크게 영향을 받는다. 본 논문에서는 표준 twin-well CMOS 로직 공정으로 제작 가능하며, 낮은 공급전압에서도 높은 효율을 갖는 새로운 전하펌프 회로를 제안하고 검증하였다. 제안한 전하펌프는 이중의 전하 전달 경로와 간단한 2-phase 클락을 사용한다. 한 주기의 펌핑 사이클 동안 각 펌핑 단에서 입력전압을 2배로 승압하며, 상보적으로 연결된 PMOS 트랜지스터를 전달 스위치로 사용하여 트랜지스터의 문턱전압에 의한 전압강하 없이 승압된 전압을 다음 승압 단으로 전달한다. 시뮬레이션과 측정을 통해 제안한 전하펌프를 검증하였으며, 동일한 공정조건에서 제작 가능한 기존 전하펌프들 보다 높은 출력전압과 큰 전류 구동능력 그리고 더 높은 전력효율을 가진다는 것을 확인하였다.