수평 전기로에서 $CdIn_2S_4$ 다결정을 합성하여 HWE(Hot Wall Epitaxy)방법으로 $CdIn_2S_4$ 단결정 박막을 반절연성 GaAs (100)기판에 성장시켰다. $CdIn_2S_4$ 단결정 박막의 성장 조건은 증발원의 온도 $630^{\circ}C$, 기판의 온도 $420^{\circ}C$였고 성장 속도는 $0.5\;{\mu}m/hr$였다. $CdIn_2S_4$ 단결정 박막의 결정성의 조사에서 10 K에서 광발광(photoluminescence) 스펙트럼이 463.9 nm (2.6726 eV)에서 exciton emission 스펙트럼이 가장 강하게 나타났으며, 또한 이중 결정 X-선 요동 곡선(DCRC)의 반폭치(FWHM)도 127 arcsec로 가장 작아 최적 성장 조건임을 알 수 있었다. Hall 효과는 van der Pauw 방법에 의해 측정되었으며, 온도에 의존하는 운반자 농도와 이동도는 293K에서 각각 $9.01{\times}10^{16}/cm^3$, $219\;cm^2/V{\cdot}s$였다. $CdIn_2S_4$/SI(Semi-Insulated) GaAs(100) 단결정 박막의 광흡수와 광전류 spectra를 293K에서 10K까지 측정하였다. 광흡수 스펙트럼으로부터 band gap $E_g(T)$는 Varshni 공식에 따라 계산한 결과 $2.7116eV-(7.74{\times}10^{-4}eV/K)T^2$/(T+434K)이었으며 광전류 스펙트럼으로부터 Hamilton matrix(Hopfield quasicubic mode)법으로 계산한 결과 crystal field splitting ${\Delta}cr$값이 0.1291 eV이며 spin-orbit ${\Delta}so$값은 0.0248 eV임을 확인하였다. 10K일 때 광전류 봉우리들은 n = 1일때 $A_1$-, $B_1$-와 $C_1$-exciton 봉우리임을 알았다.
$CdS_{0.67}Se_{0.33}$ 단결정을 승화법으로 성장시켜 Laue 배면 반사법 (back refection Laue method)으로 결정성과 면의 방향이 (0001)임을 알아보았고, EDS(Energy Dispersive X-ray Spectrometer)를 이용하여 소성비가 $CdS_{0.67}Se_{0.33}$ 임을 확인하였다. Van der Pauw 법으로 Hall 효과를 측정하여 운반자 농도(carrier density)와 이동도(mobility)의 온도의존성을 연구하였으며, 이동도는 30 K에서 150 K까지는 불순물에 의한 산란 (impurity scattering)에 기인하고 있으며, 150 K에서 293 K까지는 격자 산란 (lattice scattering)에 따라 감소하였다. 또한 운반자 농도의 In n 대 (1/T)에서 구한 활성화 에너지는 0.21 eV였다. 광전도 셀(cell)의 특성으로 spectral response, 최대 허용 소비전력(maximum allowable power dissipation: MAPD), 광전류와 암전류(photocurrent/darkcurrent: pc/dc) 및 응답시간을 측정하였다. Cu 증기분위기에서 열처리한 광전도 셀의 경우 ${\gamma}$ = 0.99, pc/dc = $1.84{\times}10^{7}$, MAPD : 323mW, rise time : 9.3ms, decay time : 9.7ms로 가장 좋은 특성을 얻었다.
Chemical bath deposition 방법으로 다결정 CdSe 박막을 세라믹 기판 위에 성장시킨 다음 온도를 변화시켜 열처리하고 X-선 회절무늬를 측정하여 결정구조를 밝혔다. $450^{\circ}C$로 열처리한 시료가 X-선 회절무늬로 부터 외삽법에 의해 $a_{o}$와 $c_{o}$는 각각 $4.302{\AA}$과 $7.014{\AA}$인 육방정계임을 알았다. 이 때 낱알크기는 약 $0.3{\mu}m$이었다. Van der Pauw 방법으로 Hall 효과를 측정하여 운반자 농도와 이동도의 온도의존성을 연구하였다. 이동도는 33 K에서 200 K까지는 압전산란에 의하여, 200K에서 293 K까지는 극성광학산란에 의하여 감소하는 경향을 나타냈다. 광전도 셀의 특성으로 스텍트럼 응답, 감도(${\gamma}$), 최대허용소비전력 및 응답 시간을 측정하였다.
Chemical bath deposition 방법으로 다결정 CdS 박막을 세라믹 기판 위에 성장시킨 다음 온도를 변화시켜 열처리하고 X-선 회절무늬를 측정하여 결정구조를 밝혔다. $550^{\circ}C$로 열처리한 시료의 경우 X-선 회절무늬로부터 외삽법에 의해 $a_{o}$와 $c_{o}$는 각각 $4.1364{\AA}$과 $6.7129{\AA}$인 육방정계임을 알았다. 이 때 낱알크기는 약 $0.35{\mu}m$이었다. Van der Pauw 방법으로 Hall 효과를 측정하여 운반자 농도와 이동도의 온도의존성을 연구하였다. 이동도는 33 K에서 150 K까지는 압전산란에 의하여, 150 K에서 293 K 까지는 곽성광학산란에 의하여 감소하는 경향을 나타냈다. 광전도 셀의 특성으로 스펙트럼 응답, 감도(${\gamma}$), 최대허용소비전력 및 응답 시간을 측정하였다.
Sensitivity and calibration considerations are most important in the design and implementation of real control systems. Ideally parameter changes due to various causes should not appreciably affect the system's performances. But all the values of physical components of the plants and controllers as well as the relevant environmental conditions change in time, thus the output performance can be deteriorated during the operating span of the system. Naturally the duty of calibration or the prevention of performance deterioration due to excessive component sensitivity should be provided to the control system. In this paper, we propose a digital controller which has the capability of calibration and gain adjustment as well as the execution of control law. Specifically the problems of gain adjustment and offset calibration in the light source and CdS sensor module for position measurement in a flexible link system are considerably resolved. The parameters of measurement module are prone to change due to environmental brightness conditions resulting in poor steady state performance of the overall control system. Thus a proper method is necessary to provide correction to the changed values of gain and offset in the position measurement module. The proposed controller, whenever necessary, measures the open-loop characteristics, andthen calculates the offset and sensor gain correction values based on the prepared standard measurements. It is applied to the control of a flexible link system with the gain and offset calibration porblems in the light sensor module for position to show the applicability.
본 연구에서는 AVR 마이크로 컨트롤러를 사용하여 임베디드 태양추적장치를 개발하였다. 본 시스템은 Atmega128 마이크로 컨트롤러, 스텝 모터, 스텝 드라이브 모듈, CdS 센서 그리고 GPS 모듈 및 기타 부품들로 구성되어 있다. 태양추적장치는 광학적 방법과 천문학적인 방법에 의해 작동된다. 최초 태양추적은 천문학적인 계산방법에 의해 얻어진 결과에 따라 이루어지고 CdS에 의해 미세 조정이 이루어진다. 태양추적장치가 설치된 지점에서 GPS는 UTC(Universal Time Coordinated)와 위도 및 경도 데이터를 마이크로 컨트롤러에 전송한다. 전송되어진 데이터에 의해 실시간으로 태양위치, 일출 및 일몰시간이 계산되어 진다. 태양 추적에 필요한 데이터들은 범용 비동기화 송수신기(UART)를 통하여 컴퓨터로 전송 받을 수 있다.
한국결정성장학회 1998년도 PROCEEDINGS OF THE 14TH KACG TECHNICAL MEETING AND THE 5TH KOREA-JAPAN EMGS (ELECTRONIC MATERIALS GROWTH SYMPOSIUM)
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pp.169-172
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1998
A phyaical model of the Czochralski method for silicon single crystals is designed to measure the change of velocities and temperature profilles in the melt. Wood's metal(Bi 50%, Pb 26.7%, Sn 13.3%, Cd 10%, m.p. 70℃) is used to simulate the silicon melt in the crucible. To measure the local velocity change, electromagnetic probe is adopted as a velocity sensor. The output voltage of the sensor shows linear relationship to the velocity of the melt.
본 연구의 목적은 형상계수와 태양추적장치를 이용하여 헬리오스타트에서 흡수기로 복사열전달이 최대화 될 수 있는 시스템을 개발하는 것이다. 헬리오스타트에서 타워 상단에 위치한 흡수기로의 열전달은 대부분 복사에 의해 일어나기 때문에, 복사 열전달에서 사용되는 형상계수를 헬리오스타트 제어에 이용하였다. 태양 추적 및 태양 위치 계산은 CdS 센서와 시뮬링크 프로그램을 이용하였다. 시뮬링크 프로그램을 이용하여 실시간으로 헬리오스타트, 흡수기, 태양 사이의 형상계수가 최대화되는 알고리즘을 적용함으로서, 헬리오스타트에서 흡수기로의 복사 열전달이 최대화 될 수 있도록 하였다. 또한 다양한 조건에 따른 헬리오스타트 제어에 필요한 각을 시뮬레이션 함으로서 각 조건에 필요한 각을 도출할 수 있었다.
주위 밝기 및 환경에 따라서 LED 조명등의 밝기를 조절하기 위한 장치를 PWM 기술과 전력 소자를 이용하여 구현하였다. 주위의 광량 측정을 위하여 CdS 센서를 사용하였으며, PWM 신호 생성을 위하여 MCU를 사용하여 제어 보드를 설계한 다음 광량에 따라 듀티비를 조절하였다. 고전압, 대전류를 필요로 하는 LED 조명등을 디밍하기 위하여 전력 소자를 사용하여 DC 전원장치의 출력을 스위칭하였으며, PowerMOSFET, IGBT, PowerBJT를 각각 사용하여 특성을 서로 비교하였다. 실험결과 선형성 면에서는 IGBT가 양호하였으나, 효율 및 가격 면까지 고려하면 PowerBJT도 우수한 특성을 보였다.
We synthesized new dye sensor based on indole compound. Through the UV-vis absorptions, we analyzed chemosensing properties to explain metal binding properties. The peak absorptions increased at 472 nm when added metal cations($Cd^{2+}$, $Cu^{2+}$, $Hg^{2+}$, $Fe^{2+}$, $Zn^{2+}$, $Ni^{2+}$ and $Cr^{3+}$) and gradually decreased the peak at 516 nm. Thus, this UV-Vis absorption behavior clearly showed the metal binding reaction. To measure energy level of used dye sensor, HOMO/LUMO energy value was calculated with cyclovaltagramm(CV) and using computational calculation method, in which we estimated the optimum structure of dye sensor. CV and computational calculation method, both compared to find suitable geometric structure. (with almost same energy values.) From the computational calculation, dye sensor has plane structure. So, Amine and ketone in the dye sensor faced each other and makes position to bind metal cations. In addition, these positions was supported pull-push electron system and generated MLCT process, when the dye sensor was bonded with the metal cations and resulted chemosensing properties. Through the electrochemical and computational calculation method analyze, we proposed the chemosensing principles that the dye sensor bind the metal cation between ketone and amine. Finally, the formation type of metal ion bindings was determined by Job's plot measurements.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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