• 한국진공학회지
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• 제16권3호
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• pp.181-186
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• 2007

본 연구에서는 플라즈마 디스플레이 패널의 방전 특성과 MgO 보호막 물성에 영향을 미치는 MgO 증착률에 대해 분석을 하였다. 물성 특성으로 결정 방향과 표면 거칠기 결정 구조 및 음극선 발광을 XRD (X-ray Diffraction), AFM (Atomic Force Microscopy), Mono-CL (Mono Cathode Luminescence analysis)등을 이용하여 측정하였고, 방전 특성으로는 방전개시전압과 방전 전류, 휘도를 진공 챔버와 오실로스코프 (TDS 540C), 전류 프로브 (TCP 312A), 휘도 색차계 (CS-100A)를 이용하여 측정하였다. 실험 결과 $5{\AA}/sec$의 증착률이 최적의 증착률임을 확인하였고, 또한 MgO의 증착률에 따라서 MgO 보호막의 물성특성이 변화하고 이에 의해서 전기적 광학적 특징이 영향을 받는 것을 확인하였다. 즉, 증착률 $5{\AA}/sec$을 기준으로 증착률이 증가할수록 (200) 결정 방향 및 음극선 발광의 밀도가 감소되고, 동작 전압은 증가하며 점차 효율이 나빠지는 경향을 보인다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제19권8호
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• pp.749-753
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• 2006

The $ZnGa_2O_4$ phosphor thick films were fabricated using a screen printing method on Si(100) substrates at various sintering temperatures. The XRD patterns show that the $ZnGa_2O_4$ thick films have a (311) main peak and a spinel structure with increasing sintering temperatures. The particle sizes of $ZnGa_2O_4$ phosphor were about 100 nm and the thickness of $ZnGa_2O_4$ thick film was $10{\mu}m$. The CL and PL properties of $ZnGa_2O_4$ showed main peak of 420nm and maximum intensity at the sintering temperature of $900^{\circ}C$. These results indicate that $ZnGa_2O_4$ phosphor thick films hold promise for displays such as plasma display panel and field emission display.

• 한국방사선학회논문지
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• 제2권3호
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• pp.11-18
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• 2008

이 연구에서는 알코올과 증류수를 특정비율로 혼합한 특수용매를 사용하여 합성한 Gd2O3:Eu 나노 분말이 Europium(Eu)함량에 따라 어떤 입자특성과 발광특성을 가지게 되는지에 대하여 조사하였다. 액상법에 사용된 이 용매는 Gadolinium(Gd)과 Europium(Eu)의 용해되는 시간을 현저히 줄임으로써, 실험시간이 단축됨을 확인하였다. 이번 실험에서 Gd2O3:Eu 나노 powder 형광체의 입자특성은 SEM(scanning electron microscope)과 EDX(Energy Dispersive X-ray)를 사용하였으며, 나노 powder의 발광특성은 PL(Photoluminescence), CL(CathodeLuminescence)을 사용하여 측정하였다. 결정들은 30nm~40nm의 크기의 결정을 가졌고 발광특성은 약 620nm의 특정 파장에서 크게 반응함을 알 수 있었으며, Europium(Eu)함량이 1wt%에서 3wt%, 5wt%로 늘어날수록 Photon의 count가 증가하게 되어 발광효율이 증가함을 알 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제20권8호
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• pp.716-719
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• 2007

The effects of the evaporation rate of MgO films using an electron beam on the MgO properties and the discharge characteristics of a plasma display panel (PDP) were investigated and analyzed. MgO films were deposited with the various MgO evaporation rates. The MgO properties such as the crystal orientation, the surface roughness, and the film structure were inspected using XRD (X-ray diffraction), AFM (atomic force microscopy). From the experiments and Paschen law, the maximum value of the secondary electron emission coefficient $({\gamma})$ was obtained at the evaporation rate of $5{\AA}/sec$. The XRD results and cathode-luminescence (CL) spectra show the ${\gamma}$ values are correlated with F/F+ centers of the molecular structure of MgO films. The minimum firing voltage and the maximum luminous efficiency were obtained at an evaporation rate of $5{\AA}/sec$. In the MgO film deposited at $5{\AA}/sec$, the (200) orientation and F+ center were most intensive.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제44권12호
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• pp.12-17
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• 2007

본 연구에서는 전자빔 증착의 증착률이 MgO 보호막의 특성과 제작된 PDP의 방전 특성에 주는 영향에 대하여 연구, 분석 하였다. MgO 박막을 여러 조건의 증착률로 증착하였고, 이 후 결정 구조, 표면 거칠기, 박막 구조와 같은 특성을 XRD, AFM 등을 사용하여 측정, 평가하였다. 실험 결과와 Paschen law을 통해서 $5\AA/sec$의 증착률에서 이차전자방출이 최대가 되는 것을 확인할 수 있었으며, 동일 조건에서 방전 전압이 가장 작고, 발광 효율은 가장 큰 값을 갖는 것이 확인되었다. 또한 $5\AA/sec$의 (200) 결정 방향과 $F^+$ center 측정값도 가장 높게 측정되었다. XRD와 CL 스펙트럼의 결과를 통하여 이차전자방출계수가 MgO 박막의 분자 결정상의 $F/F^+$ centers구조와 관련 있음을 확인할 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제19권8호
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• pp.744-748
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• 2006

Emission characteristics of terbium-activated $InBO_3$ under cathode-ray(c.r.) and vacuum ultra violet(v.u.v.) irradiation have been investigated as a functions of norminal compositions and firing conditions. From the x-ray analysis, it was found that some of the synthesized samples contained excess $In_2O_3$ and the amount of the excess $In_2O_3$ varied with the norminal composition and heat treatment conditions. The samples with remanent excess $In_2O_3$ showed lower luminescence intensities than the ones free of excess $In_2O_3$. The phosphors of norminal composition of $InBO_3+10mol%B_2O_3:2mol%Tb$ synthesized at $1250^{\circ}C$ showed excellent CL and PL properties.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2005년도 하계학술대회 논문집 Vol.6
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• pp.463-465
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• 2005

The $ZnGa_2O_4$:Mn phosphor was synthesized through solid-state reactions at the various molar ratio of Mn from 0.002 % to 0.01 %. Structural and optical properties of the $ZnGa_2O_4$:Mn phosphor was investigated by using X-ray diffraction (XRD), and cathodoluminescence (CL) measurements. The XRD patterns show that the Mn-doped $ZnGa_2O_4$ has a (311) main peak and a spinel phase. Also the emission wavelength shifts from 420 to 510 nm in comparison with $ZnGa_2O_4$ when Mn is doped in $ZnGa_2O_4$. These results indicate that $ZnGa_2O_4$:Mn phosphors hold promise for potential applications in field-emission display devices with high brightness operating in green spectral regions.

• The Korean Journal of Ceramics
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• 제3권4호
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• pp.245-248
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• 1997

Photoluminescence (PL) and cathodoluminescence (CL) characteristics of Ce-activated $Y_{2-x}Ce_xSiO_5$ have been investigated as functions of Ce concentration and firing condition. According to the X-ray, PL and CL results, $Y_2SiO_5$ is found to have two phases depending on the firing temperature. For the specimen fired above 127$0^{\circ}C$, the emission band peaked at 395nm with a shoulder at 424 nm under ultraviolet (u.v.) and cathode-ray (c.r.) excitation. However, for the specimen fired below 120$0^{\circ}C$ in air the peak was observed at 424 nm and it shifted to longer wavelength with reduction level. The reduced specimen for x=0.02 showed the brightest emission under u.v. excitation whereas under c.r. excitation the brightest emission was observed for the reduced specimen for x=0.06.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제37권3호
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• pp.14-19
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• 2000

Seed crystal 로 bare (0001) 사파이어 기판을 사용하여 hydride vapor Phase epitaxy (HVPE)법을 이용하여 free-standing GaN 단결정기판을 성장시켰다. 일정한 두께의 GaN막을 성장한 후 사파이어 기판을 mechanical polishing 작업으로 제거하여 두께 200 ㎛, 10×10 ㎛ 크기의 free-standing GaN 기판을 얻을 수 있었으며, 성장 전 GaCl 전처리를 수행함으로써 crack이 없는 기판을 제작할 수 있었다. 이렇게 제작된 free-standing GaN 기판의 특성을 SiO/sub 2/ patterned sapphire위에 LEO (Lateral Epitaxial Overgrowth) 방법으로 성장된GaN박막과 double crystal x-ray diffraction (DC-XRD), cathode-luminescence (CL) 및 photoluminescence (PL) 방법으로 특성을 비교하였다.

• 한국재료학회지
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• 제19권3호
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• pp.163-168
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• 2009

$Eu^{3+}$-doped $Y_2O_3$ red phosphor was synthesized in a flux method using the chemicals $Y_2O_3,\;Eu_2O_3,\;H_3BO_3$ and $BaCl_2{\cdot}2H_2O$. The effect of a flux addition on the preparation of $Y_2O_3:Eu_{3+}$ red phosphor used as a cold cathode fluorescence lamp was investigated. $H_3BO_3$ and $BaCl_2{\cdot}2H_2O$ fluxes were used due to their different melting points. The crystallinity, thermal properties, morphology, and emission characteristics were measured using XRD, TG-DTA, SEM, and a photo-excited spectrometer. Under UV excitation of 254 nm, $Eu_2O_3$ 3.7 mol% doped $Y_2O_3$ exhibited a strong narrow-band red emission, peaking at 612 nm. From this result, the phosphor synthesized by firing $Y_2O_3$ with 3.7 mol% of $Eu_2O_3$, 0.25 mol% of $H_3BO_3$ and 0.5 mol% of $BaCl_2{\cdot}2H_2O$ fluxes at $1400^{\circ}C$ for 2 hours had a larger particle size of $4{\mu}m$ on average compared to the phosphor of the $H_3BO_3$ flux alone. In addition, a phosphor synthesized by the two fluxes together had a rounder corner shape, which led to the maximum emission intensity.