Kim, Kwang-Bok;Lee, Sun-Hee;Yu, Seung-Ho;Kim, Dae-Jun;Kim, Yong-Won
Proceedings of the Korean Institute of IIIuminating and Electrical Installation Engineers Conference
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2008.05a
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pp.21-24
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2008
Properties of carbon nano fiber (CNF) as field emitters were described. Carbon nano fiber (CNF) of herringbone was prepared by thermal chemical vapor deposition(CVD). Field emitters mixed with organic binders, conductive materials and were prepared by screen-printing process. In order to increase field emissions, the surface treatment of rubbing & peel-off was applied to the printed CNF emitters on cathode electrode. The measurements of field emission properties were carried out by using a diode structure inline vacuum chamber. CNF of herringbone type showed good emission properties that a turn on field was as low as 2.1 $V/{\mu}m$ and current density was as large as 0.15 $mA/cm^2$ of 4.2 $V/{\mu}m$ with electric field. Through the results. we propose that CNFs are suitable for application of electron emitters in Field Emission Devices.
In this paper, we proposed a new method to control the length of carbon nano tube in the single CNT probe. A single CNT probe was composed of a tungsten tip made by the electrochemical etching and carbon nano tube which was grown by CVD and prepared through the sonication. The two components were attached with the carbon tape. Since the length of CNT can not be controlled during the manufacturing, the post process is needed to shorten the CNT. In this paper, we proposed the method of electrochemical process. The process was done under the optical microscope and the results were checked by SEM. The diameter of the carbon nano tube used in this paper was about 130nm because the above process had to be done with the optical microscope. Using the method proposed in this paper, we can control the length of the nano tube tip.
We report a chemical vapor deposition approach and optimized growth condition to the synthesis of single layer molybdenum disulfide ($MoS_2$). Obtaining large grain size with continuous $MoS_2$ atomically thin films is highly responsible to the growth distance between molybdenum trioxide source and receiving silicon substrate. Experimental results indicate that triangular shape $MoS_2$ grain size could be enlarged up to > 80um with the precisely controlled the source-to-substrate distance under 7.5 mm. Furthermore, we demonstrate fabrication of a memory device by employing poly(methyl methacrylate) (PMMA) as insulating layer. The fabricated devices have a PMMA-$MoS_2$/metal configuration and exhibit a bistable resistance switching behavior with high/low-current ratio around $10^3$.
In this paper, a operation characteristics and analysis of the HB(half bridge) inverter for remote plasma system are studied. the remote plasma system is cleaning system for the chemical vapor deposition (CVD) chamber in semiconductor processing. The remote plasma system is powered by the RF generator The main power stage of the RF generator is used for the HB PWM inverter with an low pass filter in the secondary circuit of the transformer. The detailed mode analysis of HB invertor was described. The operation characteristics of Remote Plasma Source are verified by simulation and experimental results.
We have investigated the catalyst effect on the growth and structure of CNTs using thermal chemical vapor deposition. The respective growth rate of CNTs shows that the performance of catalysts is in the order of nickel (Ni)>cobalt (Co)>iron (Fe). The average diameter of CNTs follows the sequence of Fe, Co, and Ni catalysts. The structure of CNTs reveals almost same morphology regardless of catalyst but the crystallinity of CNTs is largely dependent on catalyst. The crystallinity of CNTs synthesized from Fe catalyst is higher than that from Ni or Co catalyst. We demonstrate that the growth rate, the diameter, and the crystallinity of CNTs can be manipulated by selecting the catalysts.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2005.11a
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pp.93-94
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2005
본 연구에서는 저온 공정에서 제작되는 소자에의 응용을 위하여 Inductively Coupled Plasma Chemical Vapor Deposition(ICP-CVD) 내에서 $N_2O$ 기체를 활용한 plasma oxidation을 통한 silicon 표면의 oxynitridation과 이로부터 tunnel gate dielectirics로 사용될 SiON 층을 형성하였으며, 형성된 SiOxNy 층의 전기적 특성을 측정하여 tunnel gate dielectrics로서 효과적인 기능을 수행함을 확인하였다. 형성된 박막의 성분 분석을 위하여 energy dispersive spectroscopy(EDS)를 이용하여 SiOxNy 층의 생성을 확인하였으며, 전기적인 특성을 통하여 tunnel gate dielectrics의 기능을 수행함을 알 수 있었다. 형성된 SiOxNy 층은 초박막 형태임에도 절연막으로서의 기능을 나타내었다.
Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
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2011.08a
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pp.114-114
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2011
Graphene is the hottest topic in condensed-matter physics due to its unusual electronic structures such as Dirac cones and massless linear dispersions. Graphene can be epitaxially grown on various metal surfaces with chemical vapor deposition (CVD) processes. Such epitaxial graphene shows modified electronic structures caused by substrates. In the method for removal of the effect of substrate, there are bi, tri-layer graphene, gold intercalation, and oxygen intercalation. Here, We will present the changes of geometric and electronic structure of graphene grown on Ru(0001) by oxygen intercalation between graphene and Ru(0001). Using Scanning tunneling microscopy (STM) and spectroscopy (STS), we observed the aspect that the band gap features near the fermi level of graphene on Ru(0001) system is shifted and narrow. Based on the observed results, two effects by intercalated oxygen were considered.
Journal of the Korean Graphic Arts Communication Society
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v.29
no.3
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pp.133-142
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2011
We produce a photosensitive convex plate to research a Nickel metal relief printing plate using galvanic process. A Method for preparing DLC convex plate that is metalized on Nickel metal relief printing plate using CVD(Chemical Vapor Deposition) process and $N_2DLC$-convex plate that is DLC metalized thin film layer of $N_2$ plasma surface treatment are comprised. DLC thin film layers on Nickel surface are fragile. The results of the research indicate that the coefficient of friction on DLC metalized thin film layer is relatively low than Nickel surface and the durability of Nickel surface coated DLC metalized thin film layer is superior to Nickel surface. A relative evaluation of three form plate wetting properties using varnish liquid-drop plate indicates superior printing aptitudes for $N_2DLC$, DLC, Nichel plate order as above.
The Transactions of the Korean Institute of Electrical Engineers C
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v.55
no.7
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pp.359-363
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2006
Single-walled carbon nanotubes (SWCNTs) with few defects and very small amount of amorphous carbon coating have been synthesized by catalytic decomposition of methane in $H_2$ over well-dispersed metal particles supported on MgO. The yield of SWCNTs was estimated to be 88.5% and the purities of SWCNTs thus obtained were more than 90%. Peak of the radial breathing mode in the Raman spectrum demonstrated that the diameters of synthesized CNTs are in the range 0.4-2.0 nm. Our results also indicated that MgO support materials are useful to a large-scale synthesis of high-quality SWCNTs. Increasing temperature could remarkably increase the yield and also improve the quality of SWCNTs from catalytic decomposition of methane. The morphologies and microstructures of the synthesized carbon materials were characterized by scanning electron microscopy (SEM), Thermogravimetric analysis (TGA), Raman spectroscopy, and X-ray diffraction (XRD).
Proceedings of the Optical Society of Korea Conference
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2003.02a
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pp.86-87
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2003
TiO$_2$ 박막은 높은 유전율과 우수한 화학적 안전성, 가시광선 영역에서 우수한 투과성 및 높은 굴절률을 가지고 있어 광범위한 분야에 중요한 물질로써 사용되어져 왔다. 일반적으로 TiO$_2$는 rutile, anatase, brookite의 세 가지 결정형태를 가진다. 이런 TiO$_2$ 박막을 제작하기 위해 sputtering, e-beam evaporation, sol-gel method, chemical vapor deposition(CVD) 등과 같은 물리적, 화학적인 방법이 이용되고 있다. 이러한 제조방법들 중에서 스퍼터링 방법은 박막을 형성하는 이온들의 이온에너지를 높여주어 덩어리에 가까운 성질을 가지기 때문에 조밀한 박막을 제작하는데 이용되며, 박막의 대면적 코팅과 표면 경도가 우수한 박막을 제작할 수 있는 장점을 가지고 있다. (중략)
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[게시일 2004년 10월 1일]
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