• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2000년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.298-301
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• 2000

We investigated the etch rate of SiO$_2$ in E-ICP, ICP system and the addition gas (O$_2$H$_2$) effect on SiO$_2$ etch characteristics. In all conditions, E-ICP shows higher etch rate than ICP. Small amount of O$_2$ addition increase F atom and O$\^$*/ concentration. at optimized condition (30％ O$_2$ in CF$_4$, 70Hz) E-ICP system shows highest etch rate (about 6000${\AA}$). H$_2$addition in CF$_4$ Plasma make abrupt decrease Si etch rate and moderate decrease SiO$_2$ etch rate.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 2008년도 제39회 하계학술대회
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• pp.1354-1355
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• 2008

교류 펄스전압을 이용한 글라이딩 아크 플라즈마를 이용하여 PFCs(Perfluoro compounds) 가스의 일종인 $CF_4$ $SF_6$, $NF_3$를 가스분해하는 연구를 실시하였다. 반응기 양전극 사이에 인가되는 전압은 10kV로 고정하고 각각의 가스의 유량을 조절하여 분해한후 FT-IR을 통해 각각의 가스의 분해율과 분해후 가스내 성분을 스펙트럼을 이용하여 분석하였다. 유량이 낮아질수록 분해율은 좋아졌고 $SF_6$와 $NF_3$의 경우 99%이상의 높은 분해율에 도달하였을 뿐 아니라 대표적인 난분해 가스로 손꼽히는 $CF_4$의 경우 82%이상의 분해율을 확인하였다.

• 한국진공학회지
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• 제7권s1호
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• pp.134-139
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• 1998

Amorphous fluorocarbon (a-C:F) is of interest for low dielectric interlayer material, but in this work we applied this material to FED field emitter. N-doped a-C:F films were deposited by inductively coupled plasma chemical vapor deposition (ICPCVD). The Raman spectra were measured to study the film structure and inter-band optical absorption coefficients were measured using Perkin-Elmer UV-VIS-IR spectrophotometer and optical band gap was obtained using Tauc's plot. XPS spectrum and AFM image were investigated to study bond structure and surface morphology. Current-electric field(I-E) characteristic of the film was measured for the characterization of electron emission properties. The optimum doping concentration was found to be [N2]/[CF4]=9% in the gas phase. The turn-on field and the emission current density at $[N_2]/[CF_4]$=9% were found to be 7.34V/$\mu\textrm{m}$ and 16 $\mu\textrm{A}/\textrm{cm}^2$ at 12.8V/$\mu\textrm{m}$, respectively.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2000년도 하계학술대회 논문집
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• pp.612-615
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• 2000

The etch rate of $SiO_2$ in Enhanced - Inductive Coupled Plasma (E-ICP) and CW-ICP systems are investigated. As addition of $O_2$ to $CF_4$ gas increases oxide etch rate, E-ICP etching shows the highest etch rate (about 6000A) at an optimized condition with 30% $O_2$ in $CF_4$ 70Hz at the modulation frequency of 70Hz. E-ICP also shows better etch profile than CW-ICP.

• 한국진공학회지
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• 제20권6호
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• pp.422-429
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• 2011

식각공정에 주로 사용되는 $Cl_2$/Ar, $CF_4$, $CF_4/O_2$, $CF_4/H_2$, $C_2F_6$, $C_4F_8$, 그리고 $SF_6$ 가스 방전에서 이온, 중성종 및 활성종 밀도의 전자밀도와 온도에 대한 의존성을 수치해석적으로 분석하였다. 이온, 중성종 및 활성종 밀도에 대한 공간평균 유체방정식을 정상상태로 가정하여 상대적으로 측정이 용이한 전자밀도와 온도에 대한 식으로 표현하였고, 이 식을 수치해석적인 방법으로 풀었다. 계산에 사용된 반응계수들은 여러 문헌에서 수집되거나 산란단면적으로부터 계산되었고, 같은 반응에 대해 다른 값을 보일 경우, 계산 결과를 실험 결과와 비교하여 높은 일치도를 보이는 값이 선택되었다.

• 방사성폐기물학회지
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• 제6권1호
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• pp.17-23
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• 2008

이 연구에서는 플라즈마 제염 기술의 실용화를 위해 $CF_4/O_2$, $SF_6/O_2$, $NF_3$ 등의 반응성 플라즈마 기체를 이용하여 원자력 시설의 주요 오염원인 코발트 핵종에 대한 표면 제염 모의실험을 수행하였다. 디스크 형태의 금속코발트에 대하여 시편 표면 온도를 변수로 플라즈마 식각 실험을 수행한 결과 반응율은 $420^{\circ}C$에서 $NF_3$ 기체의 경우 $17.2\;{\mu}m/min.$ 그리고 $SF_6$와 $CF_6/O_2$ 기체의 경우 각각 $2.56\;{\mu}m/min.$과 $1.14\;{\mu}m/min.$이었으며, 이들 반응의 활성화에너지는 각각 39.4 kJ/mol, 42.1 kJ/mol, 116.0 kJ/mol이었다. 이와 함께 AES (Auger Electron Spectroscopy)를 이용하여 반응 생성물 성분 분석 결과 이들 반응의 주요 반응 기구는 코발트의 불화 반응임이 밝혀졌다. 이 연구를 통해 확보된 $17\;{\mu}m/min.$의 금속 표면 식각율은 주요 반도체 공정의 식각율을 뛰어넘는 높은 식각율로 플라즈마 제 염 기술의 실용화를 앞당길 수 있는 고무적인 결과라 할 수 있을 것이다.

• 농촌의학ㆍ지역보건
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• 제16권2호
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• pp.141-153
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• 1991

Free amino acid(FAA), free fatty acid(FFA), and amino acid obtained by hydrolysis of protein components of cystic fluid(CF) of Cysticercus cellulosae in pig and man were analyzed. FFA was analyzed by gas chromatography using Varian model 2700, and flame ionization detector with 6 feet${\times}$1/4inch glass column. Flow rate of $N_2$ was 30 ml/min, $H_2$ was 30 ml/min, air was 350 ml/min respectively and chart speed was 1 cm/min. Amino acid was analyzed by high performance liquid chromatography using Waters model 441, and fluorescence detector at 338nm/425nm with column of amino acid analyzer. Buffer A of mobile phase was pH 3.05 and pH of buffer B was 9.6 respectively. The results obtained were as follows : Seven FFAs containing 12~18 carbons were detected : Saturated fatty acids were lauric acid ($C_{12}$), myristic acid($C_{14}$), palmitic acid($C_{16}$), Stearic acid($C_{18}$). Unsaturated fatty acids were oleic acid($C_{12}^{=1}$), linoleic acid($C_{12}^{=2}$), and one unidentified fatty acid was detected. Generally much more quantity of FFA was determined in CF obtained from pig than that from man. FFA of the largest quantity was palmitic acid; 0.078 mg/ml. Eighteen FAAs were detected and the largest quantity was alanine. Ouantity of alanine was 386 ug/ml in CF from pig 108 ug/ml in CF from man respectively. while histidine in CF from pig was 273 ug/ml, that from man was only 4.3 ug/ml. Eighteen amino acids were identified by hydrolysis of protein in CF from man. But, histidine was not identified in CF from pig. Amino from pig and ug/ml from man.

• 공업화학
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• 제32권6호
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• pp.653-658
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• 2021

Polyvinylidene fluoride (PVDF)는 우수한 가공성을 가지고 있어 코팅 재료로 유망하지만 다른 불소계 고분자에 비하여 소수성이 약하여 부식 방지 등 그 응용에 제한이 있다. 본 연구에서는 PVDF의 부식방지 특성을 향상시키고자 사불화탄소(CF₄) 가스를 이용하여 플라즈마 불소화를 수행하였고, 유량에 따른 불소 함량 및 소수성 변화를 고찰하고 부식방지 특성을 확인하였다. PVDF 막 표면의 불소 함량은 사불화탄소 유량이 증가함에 따라 46.70%로 증가하였으나 그 표면자유에너지는 불소함량의 증가와 일치하지 않았다. 한편, PVDF 표면의 표면 거칠기는 불소화 유량에 따라 최대 150% 증가하다가 다시 감소하는 경향을 보였다. 이는 플라즈마 불소화는 불소화 기능기 도입 및 표면식각으로 인하여 표면자유에너지에 영향을 주는 것으로 판단된다. 또한, PVDF 코팅된 철판의 부식 정도는 미처리 철판에 비하여 표면 산소 함량이 49.2%에서 19.0% 이하로 크게 개선되었으며, 특히, 불소화 처리된 PVDF의 산소함량은 13.6%으로 불소화 처리되지 않은 PVDF보다 28.4 % 정도 낮아져 우수한 부식방지 특성을 보이는 것으로 관찰되었다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제4권2호
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• pp.29-34
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• 2003

Ferroelectric YMnO$_3$ thin films were etched with Ar/C1$_2$ and CF$_4$/C1$_2$ Plasma. The maximum etch rate of YMnO$_3$ thin film was 300 $\AA$/min at a Cl$_2$/Ar gas mixing ratio of 8/2, an RF power of 800 W, a do bias of-200 V, a chamber pressure of 15 mTorr, and a substrate temperature of 3$0^{\circ}C$. From the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis, yttrium was not only etched by chemical reactions with Cl atoms, but also assisted by Ar ion bombardments in Ar/C1$_2$ plasma. In CF$_4$/C1$_2$ plasma, yttrium formed nonvolatile YF$_{x}$ compounds and remained on and the etched surface of YMnO$_3$. Manganese etched effectively by forming volatile MnCl$_{x}$ and MnF$_{y}$. From the X-ray diffraction (XRD) analysis, the (0004) diffraction peak intensity of the YMnO$_3$ thin film etched in Ar/Cl$_2$ plasma shows lower than that in CF$_4$/Cl$_2$ plasma. It indicates that the crystallinty of the YMnO$_3$ thin film is more easily damaged by the Af ion bombardment than the changes of stoichiometry due to nonvolatile etch by-products.cts.s.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2008년도 하계학술대회 논문집 Vol.9
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• pp.245-246
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• 2008

고밀도 트렌치 공정을 위해 HBr 가스를 주로하고 $CF_4$, $SiF_4$, $NF_3$, He-$O_2$ 등을 첨가 가스로 이용하여 트렌치 공정을 하였다. 트렌치 공정시 첨가가스 비에 따라 트렌치 형상이 다양하게 되었다. 이러한 형상은 트렌치 소자 제조시 트렌치 내부를 채울 경우 여러 가지 어려움이 발생되는데, 특히 트렌치 내부가 잘 채워지지 않고 void가 생길 경우 소자의 신뢰성에 많은 영향을 미칠 수 있다. 본 연구에서는 고밀도 트렌치를 병렬로 형성한 후 형성된 트렌치 내부를 잘 채울수 있는 고밀도 트렌치 공정을 연구하였다. 트렌치 형성시 HBr을 주가스로 하고, $NF_3$, $CF_4$, $SiF_4$ 를 비율을 각각 59:27:7:7로 했을 때 수십만 트렌치 형성 각도가 약 $89^{\circ}$로 매우 좋은 형상을 얻었다.