• 반도체디스플레이기술학회지
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• 제8권4호
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• pp.1-5
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• 2009

This investigation is applied Taguchi method and the analysis of variance(ANOVA) to the reactive ion etching(RIE) characteristics of $SiO_2$ film coated on a wafer with Experimental Analysis and Optimization of $CF_4/O_2$ Plasma Etching Process mixture. Plans of experiments via nine experimental runs are based on the orthogonal arrays. A $L_9$ orthogonal array was selected with factors and three levels. The three factors included etching time, RF power, gas mixture ratio. The etching rate of the film were measured as a function of those factors. In this study, the etching thickness mean and uniformity of thickness of the RIE are adopted as the quality targets of the RIE etching process. The partial factorial design of the Taguchi method provides an economical and systematic method for determining the applicable process parameters. The RIE are found to be the most significant factors in both the thickness mean and the uniformity of thickness for a RIE etching process.

• 청정기술
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• 제23권2호
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• pp.181-187
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• 2017

반도체 및 디스플레이 산업에서 배출되는 과불화합물은 연소, 열, 플라즈마, 촉매 등의 다양한 방법이 적용된 스크러버에 의해 분해 과정을 거친 후 배출되나, 운영 스크러버의 대부분이 과도한 에너지의 사용, 낮은 저감 효율을 보임으로써 이러한 단점의 극복이 요구된다. 압력순환흡착법과 다공성 매체 연소법의 두 가지 기술이 연계된 새로운 형태의 과불화합물 저감 스크러버를 개발하고 특성을 알아보았다. 분해 대상인 $CF_4$의 흡착비와 손실계수는 흡착 컬럼의 입구와 출구에서 농도 측정을 통해 계산하였으며, 연소기의 입구와 출구의 유량과 농도 측정을 통해 처리 효율을 계산하였다. 기존 스크러버와의 에너지 사용량 및 처리효율 비교를 위하여 다양한 유량에 대한 성능 평가가 진행되었다. 1412 ppm, 204 LPM의 $CF_4$가 유입된 흡착 컬럼에서의 흡착비는 1.65였으며, 유입되는 $CF_4$의 손실 계수는 8.2%였다. 이때 연소기로 유입되는 $CF_4$의 유량과 농도는 각각 91 LPM과 2335 ppm이었으며, $CF_4$ 19 LPM, $O_2$ 40 LPM을 사용한 연소 반응시 약 96%의 저감 효율을 나타내었다. 상용 스크러버와의 동일 운전 조건에서의 다공성 매체 연소에서의 $CF_4$ 저감 효율과 전체 에너지 사용 효율 비교시 각각 16%, 41% 이상의 저감 효율 상승과 에너지 절감 효과를 보였다.

• 한국초지조사료학회지
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• 제11권4호
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• pp.244-251
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• 1991

초지의 유지관리용 2종 복합비료를 개발코자 경기화학(주)의 시제품(N-P$_2$O$_{5}$-K$_2$O-MgO-B$_2$O$_3$: 14-10-12-3-0.2)을 일반단비와 공시하여 겉뿌림 혼파초지에서 유지관리용 비료로서 비효를 구명하였다. 본 시험에서 토양화학성 및 무기염기의 상호균형(I보), 수량, 식생구성비율 및 목초의 영양성분(II보)에 미치는 영향을 검토하였다. 1. 시험후 토양화학성 변화를 보면 복비구가 단비구보다 Mg함량이 약간 높고 Ca함량은 낮은 경향을 보였으나 적정함량에는 모두 미달하였다. 초지적성등급수준과 비교하면 K함량을 제외하고는 CEC, Ca, Mg 수준이 매우 낮았다. 그러나 유효 P$_2$O$_{5}$ 함량은 단비 및 복비구의 보비수준에서 적정함량(200ppm)에 달하였다. 2. 토양중 치환성 Mg함량은 K보다 낮은 수준이었다. 복비보비구만 일반작물의 critical level(0.29 me Mg/100g)에 달하였으나 목초 및 방목우를 위한 critical level(0.41 me Mg/100g)에는 전시험구가 크게 미달하였다. 3. 염기포화도에서 Ca 및 Mg함량이 바람직한 수준에 크게 미흡하였으나 상대적으로 복비구는 Mg비가높았다. 또한 Mg/K, Ca/Mg, Ca : Mg : K당량비, %Mg of CEC는 바람직한 수준에 대체로 미흡하였으나 복비구가 단비구보다 상대적으로 양호한 특성을 보였다. 4. 본 토양화학성과 연관하여 볼때 초지조성시 석회일약토 비료(토양개량제)의 시용으로 Ca 및 Mg의 기본함량의 제고가 필요하였다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2001년도 춘계학술대회 논문집 반도체재료
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• pp.8-11
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• 2001

In this study. the recovery of plasma induced damage in the etched PZT thin film with $O_2$ re-annealing have been investigated. The PZT thin films were etched as a function of $Cl_2/Ar$ and additive $CF_4$ into $Cl_{2}(80%)/Ar(20)%$. The etch rates of PZT thin films were $1600\dot{A}/min$ at $Cl_{2}(80%)/Ar(20)%$ gas mixing ratio and $1970\dot{A}/min$ at 30 % additive $CF_4$ into $Cl_{2}(80%)/Ar(20)%$. The etched profile of PZT films was obtained above 70 by SEM. In order to recovery properties of PZT thin films after etching, the etched PZT thin films were re-annealed at various temperatures in $O_2$ atmosphere. From the hysteresis curves, ferroelectrical properties are improved by $O_2$ re-annealing process. The improvement of ferroelectric behavior at annealed sample is consistent with the increase of the (100) and (200) PZT phase revealed by x-ray diffraction (XRD). From XPS analysis, intensity of Pb-O, Zr-O and Ti-O peak are increased and the chemical residue peak is reduced by $O_2$ re-annealing. The ferroelectric behavior consistent with the dielectric nature of TixOy is recovered by $O_2$ recombination during rapid thermal annealing process. From AFM images, it shows that the surface roughness of re-annealed sample after etching is improved.

• 한국결정성장학회지
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• 제30권2호
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• pp.66-72
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• 2020

본 연구에서는 CaO-Al₂O₃-SiO₂(CAS) 계 유리 벌크와 유리 분체를 알루미나 소결체 표면에 스프레이 코팅막 적용 시 내플라즈마 특성에 대하여 비교하였다. CAS 유리 벌크와 유리 코팅막을 CF₄/O₂/Ar 플라즈마 가스에 노출시켰을 때의 식각율과 표면의 미세구조 분석을 통해 내플라즈마 특성을 확인하였다. CAS 유리 소성막은 유리 벌크와 비교하여 에칭속도가 최대 25배 빠른 것을 확인하였다. 유리 소성막의 표면 조도 값과 식각율 간의 통계학적으로 높은 상관성을 도출하였고, 이에 따라 소성막의 높은 표면조도가 빠른 식각을 유발하는 것으로 판단하였다. 그리고 유리 소성막은 Ca 성분의 함량이 적고, Si 함량이 많은 크리스토발라이트(cristobalite) 결정의 형성으로 인하여 Ca과 Ca 불화물에 의한 내플라즈마 효과가 감소한 것으로 판단된다. 따라서 CAS 유리 소성막은 유리 벌크에 비해 낮은 내플라즈마 특성을 갖는 것으로 판단된다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제4권2호
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• pp.29-34
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• 2003

Ferroelectric YMnO$_3$ thin films were etched with Ar/C1$_2$ and CF$_4$/C1$_2$ Plasma. The maximum etch rate of YMnO$_3$ thin film was 300 $\AA$/min at a Cl$_2$/Ar gas mixing ratio of 8/2, an RF power of 800 W, a do bias of-200 V, a chamber pressure of 15 mTorr, and a substrate temperature of 3$0^{\circ}C$. From the X-ray photoelectron spectroscopy (XPS) analysis, yttrium was not only etched by chemical reactions with Cl atoms, but also assisted by Ar ion bombardments in Ar/C1$_2$ plasma. In CF$_4$/C1$_2$ plasma, yttrium formed nonvolatile YF$_{x}$ compounds and remained on and the etched surface of YMnO$_3$. Manganese etched effectively by forming volatile MnCl$_{x}$ and MnF$_{y}$. From the X-ray diffraction (XRD) analysis, the (0004) diffraction peak intensity of the YMnO$_3$ thin film etched in Ar/Cl$_2$ plasma shows lower than that in CF$_4$/Cl$_2$ plasma. It indicates that the crystallinty of the YMnO$_3$ thin film is more easily damaged by the Af ion bombardment than the changes of stoichiometry due to nonvolatile etch by-products.cts.s.

• Weed & Turfgrass Science
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• 제6권3호
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• pp.272-281
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• 2017

본 연구는 부식산 함유 액비(LFHA)의 시비에 따른 잔디의 생육과 품질의 변화를 평가하기 위해 수행하였다. 처리구는 대조구(CF), HA-1 ($CF+1ml\;m^{-2}LFHA$), HA-2 ($CF+2ml\;m^{-2}LFHA$), and HA-3 ($CF+4ml\;m^{-2}LFHA$)로 구분되었다. LFHA 처리 전후에 토양화학성은 차이를 나타내지 않았다. LFHA처리구와 대조구를 비교하였을 때, HA-2처리구와 HA-3처리구의 잔디 품질은 9월, 10월 및 11월 조사에서 높았고, 잔디예지물은 10월 27일 조사에서 증가하였다. 줄기 밀도, 뿌리 길이, 잎조직 내 질소, 인산 및 칼륨의 함량은 LFHA처리구에서 증가하였다. 잔디예지물은 잎 조직 내 인산 및 칼리함량이나 줄기 밀도와 정의 상관성을 보였고, 부식산 함유 액비는 잔디 밀도, 잔디예지물 및 잎조직 내 질소 및 인산함량과 각각 정의 상관성을 나타내었다. 이 결과들을 종합해 볼 때, 크리핑 벤트그래스에서 부식산 함유 액비의 시비는 잔디의 잎 조직 중 질소와 인산의 흡수가 증가하여 잔디예지물과 밀도가 증가하는 것을 확인 할 수 있었다.

• Applied Microscopy
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• 제34권1호
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• pp.61-69
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• 2004

복합 페로브스카이트 (1-x) $(Li_{1/2}Sm_{1/2})TiO_3-x (Na_{1/2}Sm_{1/2})TiO_3$ (LNST) system의 마이크로파 유전특성과 미세구조를 XRD와 SEM을 이용하여 연구하였다. 이 LNST는 산소팔면체의 antiphase tilting 뿐만 아니라, inphase tilting과 양이온의 antiparallel shift를 가지는 구조변화는 보인다. 또한 LNST계는 $0.0{\leq}x{\leq}0.4$에서 양이온($Li^{+1}$)의 휘발이 일어나서 A-site vacancy ordering에 의해 c축으로 cell doubling이 일어난다. 미세구조의 관찰을 통해 전 범위의 조성에서 비정상 입성장 현상을 관찰하였다. LNST계에서 A-site에 $Li^{+1}$을 치환한 LST의 공진주파수 온도계수는 큰 음의 값($-220ppm/^{\circ}C$)을 가지나, $Na^{+1}$을 치환한 NST는 큰 양의 값($+173ppm/^{\circ}C$)을 가진다. x=0.4일때 4 GHz에서 ${\varepsilon}_r=103,\;Q*f_{0}=3,700GHz$ 그리고 $T_{cf}=+50ppm/^{\circ}C$의 좋은 유전특성을 얻었다.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제14권2호
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• pp.67-70
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• 2013

In this study, we changed the input parameters (gas mixing ratio, RF power, DC bias voltage, and process pressure), and then monitored the effect on TiN etch rate and selectivity with $SiO_2$. When the RF power, DC-bias voltage, and process pressure were fixed at 700 W, - 150 V, and 15 mTorr, the etch rate of TiN increased with increasing $CF_4$ content from 0 to 20 % in $CF_4$/Ar plasma. The TiN etch rate reached maximum at 20% $CF_4$ addition. As RF power, DC bias voltage, and process pressure increased, all ranges of etch rates for TiN thin films showed increasing trends. The analysis of x-ray photoelectron spectroscopy (XPS) was carried out to investigate the chemical reactions between the surfaces of TiN and etch species. Based on experimental data, ion-assisted chemical etching was proposed as the main etch mechanism for TiN thin films in $CF_4$/Ar plasma.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.95-95
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• 2009

대기압 플라즈마 발생장치를 이용한 식각장비 개발은 낮은 공정단가, 저온 공정, 다양한 표면처리 응용 효과와 같은 이점을 가지고 있어 현재, 많은 분야에서 연구되고 있다. 본 연구에서는, dielectric barrier discharge(DBD) 방식을 이용한 대기압 발생장치를 통해 평판형 디스플레이 제작에 응용이 가능한 $SiO_2$ 층의 식각에 대한 연구를 하였다. $N_2/NF_3$ gas 조합에 $CF_4$ 또는 $C_{4}F_{8}$ gas를 부가적으로 첨가하였다. 이때 N2 60 slm / NF3 600 sccm/CF4 7 slm/Ar 200 sccm의 gas composition에서 최대 260 nm/min의 식각 속도를 얻을 수 있었다.