Plasma etching of $SiO_2$ using dielectric barrier discharge in atmospheric pressure

Dielectric Barlier Discharge type 대기압 플라즈마 발생장치를 이용한 $SiO_2$ 식각에 관한 연구

  • 오종식 (성균관대학교 신소재공학부) ;
  • 박재범 (성균나노과학기술원) ;
  • 길엘리 (성균관대학교 신소재공학부) ;
  • 염근영 (성균관대학교 신소재공학부)
  • Published : 2009.05.27

Abstract

대기압 플라즈마 발생장치를 이용한 식각장비 개발은 낮은 공정단가, 저온 공정, 다양한 표면처리 응용 효과와 같은 이점을 가지고 있어 현재, 많은 분야에서 연구되고 있다. 본 연구에서는, dielectric barrier discharge(DBD) 방식을 이용한 대기압 발생장치를 통해 평판형 디스플레이 제작에 응용이 가능한 $SiO_2$ 층의 식각에 대한 연구를 하였다. $N_2/NF_3$ gas 조합에 $CF_4$ 또는 $C_{4}F_{8}$ gas를 부가적으로 첨가하였다. 이때 N2 60 slm / NF3 600 sccm/CF4 7 slm/Ar 200 sccm의 gas composition에서 최대 260 nm/min의 식각 속도를 얻을 수 있었다.

Keywords