• 제목/요약/키워드: C.V.A.

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탄화규소 휘스커의 합성(I) : 반응기구의 율속반응 (Synthesis of Silicon Carbide Whiskers (I) : Reaction Mechanism and Rate-Controlling Reaction)

  • 최헌진;이준근
    • 한국세라믹학회지
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    • 제35권12호
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    • pp.1336-1336
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    • 1998
  • 2단계 열탄소환원법으로 탄화규소 휘스커를 Ar과 H2분위기에서 기상-고상, 2단계, 기상-액상-고상 성장기구를 통해 각각 합성하였다. Ar분위기에서 탄화규소 휘스커는 다음과 같은 반응기구로 성장하였다. SiO2(S)+C(s)-SiO(v)+CO(v) SiO(v)3CO(v)=SiC(s)whisker+2CO2(v) 2C(s)+2CO2(v)=4CO(v) 이때 전체 반응속도는 세번째 반응에 참여하는 탄소에 의해 지배되었다. 따라서 이 반응이 휘스커 합성의 율속반응으로 판단되었다. 한편 H2 분위기에서 탄화규소 휘스커는 다음과 같은 반응기구로 성장하였다.SiO2(s)+C(s)=SiO(v)+CO(v) 2C(s)+4H2(v)=2CH4(v) SiO(v)+2CH4(v)=SiC(s)whisker+CO(v)+4H2(v) 이때 전체 반응속도는 SiO(v) 기체의발생 속도에 의해 지배되었다. 따라서 첫번째 반응이 휘스커 합성의 율속 반응인 것으로 판단되었다.

INTRINSIC THEORY OF Cv-REDUCIBILITY IN FINSLER GEOMETRY

  • Salah Gomaa Elgendi;Amr Soleiman
    • 대한수학회논문집
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    • 제39권1호
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    • pp.187-199
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    • 2024
  • In the present paper, following the pullback approach to Finsler geometry, we study intrinsically the Cv-reducible and generalized Cv-reducible Finsler spaces. Precisely, we introduce a coordinate-free formulation of these manifolds. Then, we prove that a Finsler manifold is Cv-reducible if and only if it is C-reducible and satisfies the 𝕋-condition. We study the generalized Cv-reducible Finsler manifold with a scalar π-form 𝔸. We show that a Finsler manifold (M, L) is generalized Cv-reducible with 𝔸 if and only if it is C-reducible and 𝕋 = 𝔸. Moreover, we prove that a Landsberg generalized Cv-reducible Finsler manifold with a scalar π-form 𝔸 is Berwaldian. Finally, we consider a special Cv-reducible Finsler manifold and conclude that a Finsler manifold is a special Cv-reducible if and only if it is special semi-C-reducible with vanishing 𝕋-tensor.

A MASCHKE-TYPE THEOREM FOR THE GRADED SMASH COPRODUCT C⋊kG

  • Kim, Eun-Sup;Park, Young-Soo;Yoon, Suk-Bong
    • 대한수학회보
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    • 제36권2호
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    • pp.337-342
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    • 1999
  • M. Cohen and S. Montgomery showed that a Maschke-type theorem for the smash product, which unlike the corresponding result for group actions, does not require any assumptions about the characterstic of the algebra. Our purpose in this paper is a Maschke-type theorem for the graded smash coproduct C⋊kG: let V be a right C⋊kG-comodule and W a C⋊kG-subcomoduleof V which is a C-direct summand of V. Then W is a C⋊kG-direct summand of V. Also this result is equivalent to the following : let V be a graded right C-comodule and W a graded subcomodule of V which has a complement as a C-subcomodule of V. Then W has a graded complement.

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기판 bias 전압이 a-C:H 박막의 특성에 미치는 영향 (Effect of substrate bias voltage on a-C:H film)

  • 유영조;김효근;장홍규;오재석;김근식
    • 한국진공학회지
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    • 제6권4호
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    • pp.348-353
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    • 1997
  • DC saddle-field plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) 장치를 이용 하여 상온에서 p-type Si(100) 기판위에 hydrogenated amorphous carbon(a-C:H) 박막을 증 착하고 기판의 bias 전압 변화에 따른 박막의 미세구조 변화와 광학적 특성을 연구하였다. 본 실험시 CH4 가스의 유량은 5sccm, 진공조의 $CH_4$ 가스압력은 90mtorr로 일정하게 유지 하였으며 기판의 bias 전압($V_s$)은 0V에서 400V까지 변화시켰다. Rutherford backscattering spectroscopy(RBS)와 elastic recoil detection(ERD) 측정결과 증착된 a-C:H박막의 증착율은 $V_s$=0V에서 $V_s$=400V로 증가함에 따라 45$\AA$/min에서 5$\AA$/min으로 크게 감소하였지만 박막 내의 수소 함유량은 15%에서 52%까지 크게 증가하였다. a-C:H박막내의 수소 함유량이 증 가함에 따라 a-C:H박막은 sp3CH3구조의 polymer like carbon(PLC) 구조로 변환되는 것을 FT-IR로 확인하였으며 Raman 측정 결과 $V_s$=100V와 $V_s$=200V에서 증착한 a-C:H 박막에서 만 C-C결합에 의한 disorder 및 graphite peak를 볼 수 있었다. Photoluminescence(PL) 측 정 결과 $V_s$=200V까지는 기판의 bias 전압이 증가함에 따라 PL세기는 증가하였으나 그 이 상의 인가전압에서는 PL세기가 점점 감소하였다. 특히 $V_s$=200V에서 제작한 a-C:H박막의 PL특성은 상온에서도 눈으로 보일 만큼 우수한 발광 특성을 보였으며, 기판 bias전압이 증 가함에 따라 PL peak 위치가 청색으로 편이하는 경향을 보였다. 이러한 발광 세기의 변화 는 $V_s$=0V부터 $V_s$=200V까지는 기판의 bias전압이 증가함에 따라 상대적으로 박막의 표면에 충돌하는 이온에너지의 감소로 인해 a-C:H박막내에 비발광 중심으로 작용하는 dangling bond가 감소하여 발광의 세기가 증가하였으며 $V_s$=300V이상에서는 박막내의 수소 함유량이 증가함에 따라 dangling bond수는 감소하나 발광 중심으로 작용하는 탄소간의 $\pi$결합을 포 함하는 cluster가 줄어들어 PL세기가 감소한 것으로 생각된다.

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MOSFET의 Effective Channel Length를 추출하기 위한 C-V 방법의 타당성 연구 (A Study on the Validity of C-V Method for Extracting the Effective Channel Length of MOSFET))

  • 이성원;이승준;신형순
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제39권10호
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    • pp.1-8
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    • 2002
  • C-V 방법은 소형화된 MOSFET에서 effective channel length(L/sub eff/)를 추출하기 위한 방법 중 한가지이다. 이 방법은 critical gate bias point에서 channel length에 영향을 받지 않는 extrinsic overlap 영역의 길이(△L)를 구하여 L/sub eff/를 추출하게 된다.본 논문에서는 서로 다른 두 개의 C-V 방법에 대해 실험을 수행하였다. 그리고 실험으로 추출한 값과 2차원 소자 시뮬레이터의 결과를 비교하여 C-V 방법의 정화도를 분석하였다.

Weakly Complementary Cycles in 3-Connected Multipartite Tournaments

  • Volkmann, Lutz;Winzen, Stefan
    • Kyungpook Mathematical Journal
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    • 제48권2호
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    • pp.287-302
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    • 2008
  • The vertex set of a digraph D is denoted by V (D). A c-partite tournament is an orientation of a complete c-partite graph. A digraph D is called cycle complementary if there exist two vertex disjoint cycles $C_1$ and $C_2$ such that V(D) = $V(C_1)\;{\cup}\;V(C_2)$, and a multipartite tournament D is called weakly cycle complementary if there exist two vertex disjoint cycles $C_1$ and $C_2$ such that $V(C_1)\;{\cup}\;V(C_2)$ contains vertices of all partite sets of D. The problem of complementary cycles in 2-connected tournaments was completely solved by Reid [4] in 1985 and Z. Song [5] in 1993. They proved that every 2-connected tournament T on at least 8 vertices has complementary cycles of length t and ${\mid}V(T)\mid$ - t for all $3\;{\leq}\;t\;{\leq}\;{\mid}V(T)\mid/2$. Recently, Volkmann [8] proved that each regular multipartite tournament D of order ${\mid}V(D)\mid\;\geq\;8$ is cycle complementary. In this article, we analyze multipartite tournaments that are weakly cycle complementary. Especially, we will characterize all 3-connected c-partite tournaments with $c\;\geq\;3$ that are weakly cycle complementary.

[r, s, t; f]-COLORING OF GRAPHS

  • Yu, Yong;Liu, Guizhen
    • 대한수학회지
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    • 제48권1호
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    • pp.105-115
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    • 2011
  • Let f be a function which assigns a positive integer f(v) to each vertex v $\in$ V (G), let r, s and t be non-negative integers. An f-coloring of G is an edge-coloring of G such that each vertex v $\in$ V (G) has at most f(v) incident edges colored with the same color. The minimum number of colors needed to f-color G is called the f-chromatic index of G and denoted by ${\chi}'_f$(G). An [r, s, t; f]-coloring of a graph G is a mapping c from V(G) $\bigcup$ E(G) to the color set C = {0, 1, $\ldots$; k - 1} such that |c($v_i$) - c($v_j$ )| $\geq$ r for every two adjacent vertices $v_i$ and $v_j$, |c($e_i$ - c($e_j$)| $\geq$ s and ${\alpha}(v_i)$ $\leq$ f($v_i$) for all $v_i$ $\in$ V (G), ${\alpha}$ $\in$ C where ${\alpha}(v_i)$ denotes the number of ${\alpha}$-edges incident with the vertex $v_i$ and $e_i$, $e_j$ are edges which are incident with $v_i$ but colored with different colors, |c($e_i$)-c($v_j$)| $\geq$ t for all pairs of incident vertices and edges. The minimum k such that G has an [r, s, t; f]-coloring with k colors is defined as the [r, s, t; f]-chromatic number and denoted by ${\chi}_{r,s,t;f}$ (G). In this paper, we present some general bounds for [r, s, t; f]-coloring firstly. After that, we obtain some important properties under the restriction min{r, s, t} = 0 or min{r, s, t} = 1. Finally, we present some problems for further research.

탄화규소 휘스커의 합성(I) : 반응기구의 율속반응 (Synthesis of Silicon Carbide Whiskers (I) : Reaction Mechanism and Rate-Controlling Reaction)

  • 최헌진;이준근
    • 한국세라믹학회지
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    • 제35권12호
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    • pp.1329-1336
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    • 1998
  • A twt -step carbothermal reduction scheme has been employed for the synthesis of SiC whiskers in an Ar or a H2 atmosphere via vapor-solid two-stage and vapor-liquid-solid growth mechanism respectively. It has been shown that the whisker growth proceed through the following reaction mechanism in an Ar at-mosphere : SiO2(S)+C(s)-SiO(v)+CO(v) SiO(v)3CO(v)=SiC(s)whisker+2CO2(v) 2C(s)+2CO2(v)=4CO(v) the third reaction appears to be the rate-controlling reaction since the overall reaction rates are dominated by the carbon which is participated in this reaction. The whisker growth proceeded through the following reaction mechaism in a H2 atmosphere : SiO2(s)+C(s)=SiO(v)+CO(v) 2C(s)+4H2(v)=2CH4(v) SiO(v)+2CH4(v)=SiC(s)whisker+CO(v)+4H2(v) The first reaction appears to be the rate-controlling reaction since the overall reaction rates are enhanced byincreasing the SiO vapor generation rate.

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유방암 Tumor bed 치료 시 혼합 전자선 치료 방법에 대한 고찰 (A Study on the Treatment of Combine Electron Beam in the Treatment of Breast Cancer Tumor Bed)

  • 이건호;강효석;최병준;박상준;정다이;이두상;안민우;전명수
    • 대한방사선치료학회지
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    • 제31권1호
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    • pp.51-56
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    • 2019
  • 목 적: 수술 후 유방암 환자의 1차 방사선치료 후 2차 방사선치료 시 단일전자선을 사용하는 것과 서로 다른 에너지의 전자선을 혼합하여 사용하는 방법에 대해 유용성을 평가하고자 한다. 대상 및 방법: 본 연구에서는 2018년 1월부터 10월까지 본원 유방암 방사선 치료 환자를 대상으로 하였으며, 혼합 전자선을 사용하여 2차 치료를 진행한 환자 59명 중 에너지 6 MeV, 9 MeV를 혼합 사용한 환자 40명(A그룹)과 9 MeV, 12 MeV를 혼합 사용한 환자 19명(B그룹)을 대상으로 진행하였다. 각 그룹의 환자마다 6 MeV, 9 MeV, Combine(6 MeV / 9 MeV)와 9 MeV, 12 MeV, Combine(9 MeV / 12 MeV) 각기 다른 방법으로 세 가지 치료계획을 세우고, 원발병소에 전달되는 최대선량, D95, D5과 폐의 전달되는 최대선량, 평균선량, $V_3$, $V_5$, $V_{10}$을 비교 분석하였다. 결 과: A그룹 치료계획의 D95 평균값은 6 MeV에서 $785.33{\pm}225.37cGy$, 9 MeV에서 $1121.79{\pm}87.02cGy$, SUM(6 MeV / 9 MeV)에서 $1010.98{\pm}111.17cGy$였으며, 6 MeV / 9 MeV에서의 평균값이 처방 선량에 가장 적합했다. 치료하는 유방 방향의 폐의 저선량 영역 $V_3$,$V_5$의 평균값은 6 MeV / 9 MeV에서 $3.24{\pm}3.49%$, $0.72{\pm}1.55%$였고, 9 MeV에서 $7.25{\pm}4.59%$, $3.07{\pm}2.64%$로 가장 높은 값을 보였고, 6 MeV에서 $0.21{\pm}0.45%$, $0.03{\pm}0.07%$로 가장 낮은 값을 보였다. 폐의 최대선량과 평균선량은 6 MeV / 9 MeV에서 $727.78{\pm}137.27cGy$, $49.16{\pm}24.44cGy$였으며, 9 MeV에서 $998.97{\pm}114.35cGy$, $85.33{\pm}41.18cGy$로 가장 높았고, 6 MeV에서 $387.78{\pm}208.88cGy$, $9.27{\pm}6.60cGy$로 가장 낮았다. $V_{10}$의 값은 모두 0에 가까웠다. B그룹도 A그룹의 패턴으로 나타났다. 결 론: 폐의 $V_3$, $V_5$의 저선량 영역에서 상대적인 차이가 나타났으며, 혼합 에너지 적용 시 원발병소의 선량 전달에 있어서 가장 효과적임을 알 수 있었다. 유방암 추가 방사선 치료 시 전자선 에너지를 combine하여 사용하는 방법이 에너지 재원으로부터 제한되는 에너지의 효과를 좀 더 효과적으로 사용할 수 있는 방법이라고 사료되며 비록 작은 선량차이이기 때문에 간과하고 넘어갈 수 있는 부분들도 다시 한번 생각해본다면 조금 더 환자에게 도움이 되는 방사선 치료가 될 수 있을 것으로 사료된다.

Metagonimus yokogawai 세르카리아의 감각유두에 관한 연구 (Study on Sensory Papillae of Metagonimus yokogawai Cercaria)

  • 김재진;민득영소진탁
    • Parasites, Hosts and Diseases
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    • 제22권1호
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    • pp.11-20
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    • 1984
  • A number of studies on the papillae of cercariae of trematodes reported that the papillar patterns (or chaetotaxy) of cercariae might be an excellent method to attain better understanding of the digenetic trematodes (Richard, 1971 ; Short and Cartrett, 1973; Bayssade-Dufour, 1979) . The present study was aimed to determine the number, distribution pattern and structure of the sensory papillae of Metagonimus yokogawai cercariae, and to elucidate the chaetotaxy of this digenetic trematode. M. yokogawai cercariae were pipetted from a vial in which infected snails (Semisulcospira libertina) had been kept for 3 hours. The snails were collected from an endemic area of M. yokogawai, Boseong river in west-southern part of Korea. Observations of papillae were based on light microscopy of those stained with silver nitrate, and on scanning electron microscopy The results are summarized as follows: 1, All papillae observed were uniciliated. 2. Cilia in anterior tip were shorter than the others in other portions. 3. The body papillae were arranged in essentially symmetrical patterns, Total number of the papillae was 126(63 pairs) in average; anterior tip 40(20 pairs), ventral 20(10 pairs), lateral 42(21 pairs), and caudal 8(4 pairs). 4. The chaetotany of M. yokogawai cercaria was: Ci cycle ($3+3C_{I}V,{\;}2+2C_{I}L,{\;}2+3C_{I}D),{\;}C_{II}{\;}cycle(2C_{II}V,{\;}1C_{II}L,{\;}2C_{II}D),{\;}C_{lll}{\;}cycle{\;}(1+lC_{III}V,{\;}1C_{IlI}L),{\;}C_{IV}{\;}cycle{\;}(1C_{IV}V,{\;}IC_{lV}L){\;}in{\;}cephalic{\;}region:{\;}A_I(1A_{IV}V,{\;}1+2A_{I}L,{\;}1A_{I}D),{\;}A_{II}(1A_{II}V,{\;}1+3A_{II}L,{\;}1A_{II}D),{\;}A_{III}(1A_{III}V,{\;}1+1A_{III}L,{\;}1A_{III}D){\;}and{\;}A_{IV}(1A_{IV}V,{\;}2A_{IV}L)$ in antacetabular region: $1M_{I}V{\;}and{\;}2M_{I}L$ in median: $1+1P_{I}L,{\;}1P_{II}L,{\;}1P_{II}D,{\;}1P_{III}L,{\;}1P_{IV}L{\;}and{\;}1P_{IV}D$ in postacetabular region: 2-2-2-2 in caudal region.

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