• 한국결정성장학회지
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• 제1권2호
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• pp.15-22
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• 1991

$YBa_2Cu_3O_x$ 초전도체를 $925^{\circ}C$, 산소 분위기에서 16시간 액상 소결할 때 액상-포켓이 결정립 내부에 포획되어 있는 것이 관찰되었다. 액상-포켓은 a, b 축의 길이가 같고 c축이 짧은 직육면체 모양의 판상형태를 갖고 있었으며, 같은 조건에서 16시간 동안 재열처리해도 액상-포켓의 모양은 그대로 유지되었다. 그리고 액상에 분산되어 있는 모든 결정립들이 액상-포켓과 같은 형태를 보였는데, 이것은 액상에 분산되어 있는 $YBa_2Cu_3O_x$ 결정립의 모양이 열역학적 평형 조건에 의해 결정됨을 의미한다. 그러나 $925^{\circ}C$, 질소 분위기에서 16시간 액상 소결한 경우에는 $YBa_2Cu_3O_x$ 결정립이 산소에서 액상소결한 것보다 c축이 다소 두터워진 직육면체 모양의 판상형태를 갖는 것이 관찰되었다. 이러한 결정립 형태(grain shape)의 차이는 tetragonal 결정구조의 $CuO_2$면 (a-b basal plane)에 존재하는 산소 공공의 농도가 열처리 분위기에 따라 차이가 있기 때문이며, 이로 인해 c축에 평행한 (결국 $CuO_2$면에 수직한 방향) 고상-액상 계면 에너지가 열처리 분위기에 따라 변하기 때문인 것으로 믿어진다. 그리고 산소와 질소 분위기에서 각각 액상 소결한 So와 $S_N$시편을 분위기를 바꾸어 재열처리하는 스위칭 실험을 하여, 분위기에 따른 결정립 형태의 변화를 명확하게 관찰할 수 있었다.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2002년도 하계학술대회 논문집
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• pp.273-280
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• 2002

The stochiometric mix of evaporating materials for the CuGaTe$_2$ single crystal thin films was prepared from horizontal furnance. For extrapolation method of X-ray diffraction patterns for the CuGaTe$_2$ polycrystal, it was found tetragonal structure whose lattice constant a$\_$0/ and c$\_$0/ were 6.025 ${\AA}$ and 11.931 ${\AA}$, respectively. To obtain the single crystal thin films, CuGaTe$_2$ mixed crystal was deposited on throughly etched semi-insulator GaAs(100) substrate by the Hot Wall Epitaxy (HWE) system. The source and substrate temperature were 670 $^{\circ}C$ and 410 $^{\circ}C$ respective1y, and the thickness of the single crystal thin films is 2.1 $\mu\textrm{m}$. The crystalline structure of single crystalthin films was investigated by the photoluminescence and double crystal X-ray diffraction (DCXD). Hall effect on this sample was measured by the method of van der Pauw and studied on carrier density and mobility dependence on temperature. The carrier density and mobility of CuGaTe$_2$ single crystal thin films deduced from Hall data are 8.72${\times}$10$\^$23/㎥, 3.42${\times}$10$\^$-2/㎡/V$.$s at 293K, respectively. From the photocurrent spectrum by illumination of perpendicular light on the c - axis of the CuGaTe$_2$ single crystal thin film, we have found that the values of spin orbit coupling Δs.o and the crystal field splitting Δcr were 0.0791 eV and 0/2463eV at 10K, respectively. From the PL spectra at 10K, the peaks corresponding to free bound excitons and D-A pair and a broad emission band due to SA is identified. The binding energy of the free excitons are determined to be 0.0470eV and the dissipation energy of the donor -bound exciton and acceptor-bound exciton to be 0.0490eV, 0.00558eV, respectively.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2004년도 추계학술대회 논문집 Vol.17
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• pp.171-174
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• 2004

The stochiometric $AgGaSe_2$ polycrystalline mixture of evaporating materials for the $AgGaSe_2$ single crystal thin film was prepared from horizontal furnace. To obtain the single crystal thin films, $AgGaSe_2$ mixed crystal and semi-insulating GaAs(100) wafer were used as source material and substrate for the Hot Wall Epitaxy (HWE) system, respectively. The source and substrate temperature were fixed at $630^{\circ}C$ and $420^{\circ}C$, respectively. The thickness of grown single crystal thin films is $2.1{\mu}m$. The single crystal thin films were investigated by photoluminescence and double crystal X-ray diffraction(DCXD) measurement. The carrier density and mobility of $AgGaSe_2$ single crystal thin films measured from Hall effect by van der Pauw method are $4.89{\times}10^{17}\;cm^{-3},\;129cm^2/V{\cdot}s$ at 293K, respectively. From the photocurrent spectrum by illumination of perpendicular light on the c - axis of the $AgGaSe_2$ single crystal thin film, we have found that the values of spin orbit splitting ${\Delta}S_o$ and the crystal field splitting ${\Delta}C_r$ were 0.1762 eV and 0.2494 eV at 10 K, respectively. From the photoluminescence measurement of $AgGaSe_2$ single crystal thin film, we observed free excition $(E_X)$ observable only in high quality crystal and neutral bound exciton $(D^o,X)$ having very strong peak intensity And, the full width at half maximum and binding energy of neutral donor bound excition were 8 meV and 14.1 meV, respectively. By Haynes rule, an activation energy of impurity was 141 meV.

• 한국진공학회지
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• 제16권4호
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• pp.267-272
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• 2007

라디오파 마그네트론 스퍼터링 방법으로 유리 기판 위에 Al 도핑된 ZnO (AZO) 박막을 성장시켰다. 증착시 스퍼터링 가스로 사용하는 산소 유량비의 변화에 따른 AZO 박막의 특성을 X-선 회절법, 원자 주사 현미경, 홀 효과 측정법으로 조사하였다. 증착 온도 $400^{\circ}C$에서 산소 유량비 0%로 증착된 AZO 박막은 가장 큰 c-축 우선 배향성과 최저의 비저항값 $6.9{\times}10^{-4}{\Omega}cm$을 나타내었다. 산소 유량비가 증가함에 따라 ZnO (002)면의 회절 피크의 세기는 실질적으로 감소하는 경향을 보였다. 또한, 산소 유량비가 감소함에 따라 전하 운반자의 농도와 홀 이동도는 증가하였으나, 전기 비저항은 감소하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2009년도 제38회 동계학술대회 초록집
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• pp.174-174
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• 2010

Gallium Nitride(GaN) attracts great attention due to their wide band gap energy (3.4eV), high thermal stability to the solid state lighting devices like LED, Laser diode, UV photo detector, spintronic devices, solar cells, sensors etc. Recently, researchers are interested in synthesis of polycrystalline and amorphous GaN which has also attracted towards optoelectronic device applications significantly. One of the alternatives to deposit GaN at low temperature is to use Single Source Molecular Percursor (SSP) which provides preformed Ga-N bonding. Moreover, our group succeeds in hybridization of SSP synthesized GaN with Single wall carbon nanotube which could be applicable in field emitting devices, hybrid LEDs and sensors. In this work, the GaN thin films were deposited on c-axis oriented sapphire substrate by MBE (Molecular Beam Epitaxy) using novel single source precursor of dimethyl gallium azido-tert-butylamine($Me_2Ga(N_3)NH_2C(CH_3)_3$) with additional source of ammonia. The surface morphology, structural and optical properties of GaN thin films were analyzed for the deposition in the temperature range of $600^{\circ}C$ to $750^{\circ}C$. Electrical properties of deposited thin films were carried out by four point probe technique and home made Hall effect measurement. The effect of ammonia on the crystallinity, microstructure and optical properties of as-deposited thin films are discussed briefly. The crystalline quality of GaN thin film was improved with substrate temperature as indicated by XRD rocking curve measurement. Photoluminescence measurement shows broad emission around 350nm-650nm which could be related to impurities or defects.

• Clinical and Experimental Reproductive Medicine
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• 제26권2호
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• pp.149-156
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• 1999

포유류의 자궁조직은 발정주기를 통하여 역동적으로 변화하고 있으며 이러한 자궁조직의 분화는 시상하부-뇌하수체-생식소를 잇는 축에 의해 조절되는 스테로이드 호르몬에 의해 이루어진다. 그러나 에스트로겐 (E)이 어떤 유전자를 발현하여 자궁 내의 변화를 일으키는지는 아직 자세히 알려지지 않고 있다. 본 연구는 난소를 절제한 성숙한 흰쥐에 E을 처리한 후 자궁조직 내에서 c-fos, c-jun 및 hsp25 mRNA의 발현 변화를 Northern blot analysis방법을 사용하여 연구한 것이다. c-fos및 c-jun 암원유전자의 mRNA발현은 E처리 후 1시간 이전부터 증가하기 시작하며, 3시간 이내에 최고치에 도달한 후 급격히 감소하여 기저수준으로 되돌아갔다. 반면에 hsp25 mRNA수준은 E처리 후 3시간 대에서 최고치를 나타내나 증가된 발현량이 서서히 감소하며 12시간이 지난 후 까지도 정상대조군에 비해 높은 수준으로 유지되었다. 이러한 E의 영향이 선별적인지를 검증하기 위하여 E의 길항제인 tamoxifen을 사전처리하고 E을 추가로 처리하여 c-fos, c-jun및 hsp25 mRNA의 발현이 최고치에 이르렀던 3시간대에 자궁조직을 얻어 각각의 유전자 발현량을 조사한 결과 E에 의해 증가되었던 c-fos, c-jun 및 hsp25 mRNA의 수준이 억제됨을 확인하였다. 이러한 결과는 E이 자궁조직에 영향을 미치는데 초기의 일시적인 변화를 보이는 암원유전자인 c-fos 및 c-jun이 중요한 역할을 하리라는 것을 시사하며 hsp25의 경우는 좀더 늦은 반응에 관여하거나 c-fos및 c-jun에 의하여 간접적으로 조절을 받을 수도 있음을 보여 주는 것으로 사료된다.

• 한국결정성장학회지
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• 제5권4호
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• pp.318-331
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• 1995

Hologen lamp를 열원으로 한 적외선 집중가열 방식의 Floating zone법을 이용하여 조화융해조성(48.6 mol% $Li_2O : 51.4 mol% LiNbO_3$)의 $LiNbO_3$ 단결정과 여기에 5 mol%의 MgO를 첨가한 $LiNbO_3$:5mod%MgO 단결정을 c-축으로 성장시켰다. 고품질의 광학용 $LiNbO_3$ 결정을 성장시키기 위해 원료봉의 최적 소결조건 및 성장 분위이게 따른 원료봉/융액 계면에 대한 고찰을 하였고, 이를 바탕으로 하여 ga s flow rate, pulling rate, 원료봉과 종자정의 회전속도 등에 대한 최적의 결정성장 조건을 확립하였다. 성장된 결정에 대해서 chemical etching을 통한 etch pattern과 ICP(Inductively Coupled Plasma) 분석을 통한 조성 변동 및 불순물 Fe 함량을 조사하였고, 5 mol% MgO의 첨가에 따른 투과율과 굴절율의 변화를 관찰하였다. 또한 $LiNbO_3$의 비선형 광학특성에 대해서는 측정한 굴절율 값을 data로 하여 비선형 광학 굴절율 $n_2$를 계산하여 다른 광학물질과 비교하였고, 이와 관련하여 비선형 광학특성에 대한 전반적인 고찰을 하였다.

• 한국잡초학회지
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• 제13권2호
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• pp.138-150
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• 1993

본(本) 실험(實驗)은 환경요인(環境要因)의 변동(變動)에 따른 벗풀의 생장(生長) 및 지하경번식체(地下莖繁殖體) 생산량(生産量)을 조사(調査)하여 벗풀의 합리적(合理的)인 방제법(防除法)을 확립(確立)하는데 기초자료(基礎資料)로 활용(活用)하고자 하였는 바 다음과 같은 결과(結果)를 얻었다. 1. 광량(光量)의 차이(差異)에 따른 벗풀의 엽수(棄數)와 화경수(花莖數)는 차광정도(遮光程度)가 클수록 감소(滅少)하였고 엽폭(葉幅)은 증가(增加)하였으며 초장(草長)은 노지(露地)에서 가장 짧았다. 벗풀의 지상부(地上部) 건물중(乾物重), 지하경(地下莖)의 수(數) 및 생체중(生體重)은 50%이하(以下) 광량(光量)에서는 광량(光量)간 유의차(有意差)가 없었으나 30% 이하(以下) 광량(光量)에서는 현저(顯著)히 저하(低下)되었다. 2. 광질(光質)의 차이(差異)에 따른 벗풀의 초장(草長)은 노지(露地)에서 가장 짧았으나 엽수(葉數)는 가장 많았다. 엽장(葉長)은 녹색(綠色)필름처리(處理)에서 가장 짧았고 엽폭(葉幅)은 노지(露地)와 수명(透明)필름처리(處理)에서 좁았다. 지상부(地上部) 건물중(乾物重)은 수명(透明) 및 녹색(綠色)필름처리(處理)에서 많았고 기타(其他) 광량간(光量間)에는 유의차(有意差)가 없었다. 지하경(地下莖)의 수(數)와 생체중(生體重)은 녹색(綠色)필름처리(處理)에서 가장 적었고 노지(露地)와 수명(透明)필름처리(處理)에서 많았다. 3. 초장(草長)은 0-5cm 담수심(湛水深)에서보다 10-20cm 담수심(湛水深)에서 길었고, 담수심(湛水深)이 깊어질수록 엽수(棄數)는 적었다. 엽장(葉長)과 화경수(花莖數)는 담수심(湛水深) 변동(變動)에 큰 영향(影響)이 없었다. 지상부(地上部) 건물중(乾物重), 지하경(地下莖)의 수(數) 및 생체중(生體重)은 0cm 담수심(湛水深)에서 가장 많았고 20cm 담수심(湛水深)에서 가장 적었다. 4. 벗풀의 초장(草長), 엽수(棄數)및 엽장(葉長)은 시비량(施把量)이 많을수록 증가(增加)하는 경향(傾向)이었으나 화경수(花莖數)는 시비량(施把量)에 영향(影響)이 적엇다. 벗풀의 지상부(地上部) 건물중(乾物重) 및 지하부(地下部) 번식체(緊植體) 생산량(生産量)은 시비량(施把量)의 증가(增加)에 따라 증가(增加)하였다. 5. 벗풀 지하경(地下莖)의 중량(重量)의 차이(差異)는 생육(生育)에 영향(影響)이 적었고, 지상부(地上部) 건물중(乾物重)에도 큰 영향(影響)이 없었으나 지하부(地下部) 번식(緊植) 생산량(生産量)은 재식(栽植)한 지하경(地下莖)의 중량(重量)이 클수록 증가(增加)하였다. 6. 출수기(出穗期)의 온도조건(溫度條件)에 따른 벗풀의 생육량(生育量)은 $35^{\circ}C$에서 보다$25^{\circ}C$에서 다소(多少) 적었고 생성(生成)된 지하경(地下莖)의 수(數)와 생체중(生體重)도 적었다.

• 한국초전도저온공학회:학술대회논문집
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• 한국초전도저온공학회 2003년도 학술대회 논문집
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• pp.88-91
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• 2003

The crystal structure and properties of YBa$_2$Cu$_3$$O_{7-x}$(YBCO) and CeO$_2$ thin films deposited on r-plane (1(equation omitted)02) sapphire substrate by pulsed- laser deposition(PLD) have been investigated. C-axis oriented epitaxial YBCO thin films with critical temperature (Tc) of 88 K were routinely grown on (200) oriented CeO$_2$ buffer layers with thickness in the range between 20 to 80 nm. When the thickness of the (200)oriented CeO$_2$ buffer layer increases over than 80 nm, the superconducting properties of YBCO thin films on that were deteriorated. The decrease in Tc of YBCO thin films was explained by the microcrack formation in CeO$_2$ buffer layer. These results indicate that the thickness of the (200) oriented CeO$_2$ buffer layer is critical to the epitaxial YBCO thin nim growth on r-plane (1(equation omitted)02) sapphire substrate.e.

• 한국전자파학회논문지
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• 제8권4호
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• pp.382-389
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• 1997

본 논문에서는 다결정 AlN 박막을 이용하여 800 MHz 대역의 표면탄성파 펼터를 시험제작한 연구 결과를 제시한다. 고주파 스퍼터링 방법에 의하여 실리콘 기판위에 증착시켜 X선 rocking curve의 반치폭이 $3^{\circ}$이고 박막 성장 방향으로 결정의 c축이 우선 배향된 박막을 얻었다. 임펄수 모텔링 기법을 이용하여 시험제작된 표면탄성파 필터는 중심주파수 865 MHz, 3 dB 대역폭 45 MHz이며 측정된 주파수 응답곡선으로부터 유도된 전기기계 결합상수는 0.8 %, 표면탄성파 전달속도는 5,709 m/s이다.