A V2X system can be a candidate as a means to increase the stability of autonomous vehicles. In particular, in order to implement a Level 4 or higher autonomous driving system, the application of the V2X system is essential. Wireless communication technologies applicable to the V2X system include WAVE and C-V2X. Currently, the V2X service most used by autonomous driving systems is a service that provides signal phase and timing information and since real-time characteristic is a very important, verification of this service must be done. In this paper, we measured the time delay characteristics for providing signal phase and timing information using WAVE and LTE communication, and proposed a TOD-based signal phase and timing information generation method without using V2X communication system. To analyze the time delay characteristics, RTT (Round Trip Time) was measured as a result of the measurement. Average RTT using WAVE communication was 5.84ms and was 104.15ms with LTE communication. As a result of measuring the error between the signal phase and timing information generated based on TOD and the actual traffic light state, it was measured to be -0.284~3.784sec.
본 논문에서는 차량 환경에 적합하게 설계된 C-ITS 통신프로토콜과 이동 통신 프로토콜인 Legacy LTE 통신 기술을 함께 지원하는 하이브리드 V2X 통신모듈의 하드웨어 및 소프트웨어에 대한 설계 방안을 제안하고 설계과정을 제시한다. C-ITS는 저 지연 특성으로 인해 안전 서비스 어플리케이션에 적합하며, Legacy LTE는 고지연, 고용량 특성으로 인해 교통정보, 인포테인먼트와 같은 비 안전 어플리케이션에 적합한 기술이다. 하이브리드 V2X 통신 모듈은 복수의 통신기술로 WAVE와 LTE를 지원하고, WAVE에 대해서는 복수채널 통신을 지원하여, 자율주행 차량에 LDM, 측위보정정보 등의 도로정보를 실시간으로 전달하기 위한 목적으로 설계된다. 본 논문에 제시된 주요 설계 결과는 향후 차량용 하이브리드 V2X 통신 단말기 구현에 적용될 예정이다.
본 논문은 상용차의 자율 군집주행 플랫폼을 평가함에 있어 차량 환경용 C-ITS 통신프로토콜인 WAVE 통신 및 LTE-V2X 통신과 상용 이동통신인 Legacy LTE 통신을 결합한 하이브리드 V2X 통신 플랫폼의 설계 방안을 제안하고 설계과정을 제시한다. 안전하고 효율적인 자율 군집주행 플랫폼을 위해 C-ITS 통신 기반의 저 지연 통신기능이 요구되며 또한 이를 관제하기 위해서 상시 연결이 가능한 Legacy LTE 등의 상용 통신기능이 요구된다. 이러한 시스템을 평가하기 위해서 평가 장비는 동일 수준 이상의 통신성능을 가져야 한다. 본 논문에서 제시되는 주요 설계 내용은 기능 평가를 위한 하이브리드 V2X 단말기 구현에 적용될 예정이다.
Let $C[0,t]$ denote the function space of all real-valued continuous paths on $[0,t]$. Define $Xn:C[0,t]{\rightarrow}\mathbb{R}^{n+1}$ and $X_{n+1}:C[0,t]{\rightarrow}\mathbb{R}^{n+2}$ by $X_n(x)=(x(t_0),x(t_1),{\cdots},x(t_n))$ and $X_{n+1}(x)=(x(t_0),x(t_1),{\cdots},x(t_n),x(t_{n+1}))$, where $0=t_0$ < $t_1$ < ${\cdots}$ < $t_n$ < $t_{n+1}=t$. In the present paper, using simple formulas for the conditional expectations with the conditioning functions $X_n$ and $X_{n+1}$, we evaluate the $L_p(1{\leq}p{\leq}{\infty})$-analytic conditional Fourier-Feynman transforms and the conditional convolution products of the functions which have the form $${\int}_{L_2[0,t]}{{\exp}\{i(v,x)\}d{\sigma}(v)}{{\int}_{\mathbb{R}^r}}\;{\exp}\{i{\sum_{j=1}^{r}z_j(v_j,x)\}dp(z_1,{\cdots},z_r)$$ for $x{\in}C[0,t]$, where $\{v_1,{\cdots},v_r\}$ is an orthonormal subset of $L_2[0,t]$ and ${\sigma}$ and ${\rho}$ are the complex Borel measures of bounded variations on $L_2[0,t]$ and $\mathbb{R}^r$, respectively. We then investigate the inverse transforms of the function with their relationships and finally prove that the analytic conditional Fourier-Feynman transforms of the conditional convolution products for the functions, can be expressed in terms of the products of the conditional Fourier-Feynman transforms of each function.
Using first principles density functional theory the formation energies of various binary compounds of lithium graphite and its homologues were calculated. Lithium and graphite react to form $Li_1C_6$ (+141 mV) but not form $LiC_4$ (-143 mV), $LiC_3$ (-247 mV) and $LiC_2$ (-529 mV) because they are less stable than lithium metal itself. Properties of structure and reaction potentials of $C_5B$, $C_5N$ and $B_3N_3$ materials as iso-structural graphite were studied. Boron and nitrogen substituted graphite and boron-nitrogen material as a iso-electronic structured graphitic material have longer graphene layer spacing than that of graphite. The layer spacing of $Li_xC_6$, $Li_xC_5B$, $Li_xC_5N$ materials increased until to x=1, and then decreased until to x=2 and 3. Nevertheless $Li_xB_3N_3$ has opposite tendency of layer spacing variation. Among various lithium compositions of $Li_xC_5B$, $Li_xC_5N$ and $Li_xB_3N_3$, reaction potentials of $Li_xC_5B$ (x=1-3) and $Li_xC_5$ (x=1) from total energy analyses have positive values against lithium deposition.
폴리옥시에틸렌(POE) 계열에서 두 번째로 작은 화합물인 양친매 분자 2-(2-hexyloxyethoxy) ethanol (C6E2) 수용액의 밀도를 측정하였다. 밀도 측정은 진통 튜브 밀도계를 이용하여 279.15 K와 282.15 K에서 이루어졌다. 측정된 밀도로부터 2성분 계 C6E2 (1)/H2O (2)의 과잉 부피와 부분 몰 부피를 결정하였다. 과잉 부피는 음의 편차를 나타내었으며, C6E2의 몰 분율 x ≃ 0.45에서 최소 값을 나타내었다. C6E2와 물 분자 사이에 끌어당기는 작용이 상대적으로 우월하지만, x ≃ 0.45에서 이 작용이 가장 크다는 사실을 말해준다. 2성분 계 C6E2 (1)/H2O (2)에서 부분 몰 부피 ${\bar{V}}_1$는 몰 분율 x에 따라서 단조 증가하였으며, ${\bar{V}}_2$는 감소하였다. ${\bar{V}}_1$과 ${\bar{V}}_2$에서 C6E2 분자들의 회합을 암시하는 특이점은 관찰되지 않았다.
익춘상엽의 수확고를 예측하기 위하여 전년에 낙엽후의 상수에 대하여 수량과 상관관계가 높은 지조장(X$_1$), 절간수(X$_2$), 지조직경(X$_3$), 주당지수(X$_4$)의 4개 형질을 측정하여 이들 형질의 수량에 영향하는 가중치를 다중회귀방정식에 의하여 수량을 예측할 수 있도록 여러 가지 식을 유도하였다. 그 중 몇가지의 예를 들면 다음과 같다. 1. 지조장(X$_1$)과 절간수(X$_2$)를 측정하여 수량을 예측하기 위하여는 개량서반(V$_1$)에 있어서는Y$_1$v$_1$= -26.8939+50.3950X$_1$+1.1403X$_2$ 일지뢰(V$_2$)에 있어서는 $Y_1$v$_2$= -372.1091+116.6371X$_1$+0.1984X$_2$ 노상(V$_3$)에 있어서는 $Y_1$v$_3$= 149.8203+90.5125X$_1$-0.9775X$_2$ 수원상 4호(V$_4$)에 있어서는 $Y_1$v$_4$= 108,1496+59.4533X$_1$+1.4965X$_2$ 의 식에 지조장(X$_1$)과 절간수(X$_2$)의 측정치를 대입하면 수량을 예측할 수 있다. 2. 지조장(X$_1$), 절간수(X$_2$), 지조직경(X$_3$)의 3개형질을 측정하여 수량을 예측하는데는 각품종별로 각각 $Y_{7}$v$_1$= -54.4411+32.9869c1.1127X$_2$+21.7600X$_3$$Y_{7}$v$_2$= -494.1480-1.8756X$_1$+0.9788X$_2$+110.0039X$_3$$Y_{7}$v$_3$= 143.2836+29.1779X$_1$+0.1644X$_2$+48.4135X$_3$$Y_{7}$v$_4$= 1243.2549+1.9454X$_1$+2.7118X$_2$-75.6669X$_3$ 3. 지조장(X$_1$), 절간수(X$_2$), 지조직경(X$_3$), 주당지수(X$_4$)의 4개 형질을 측정하여 수량을 예측하기 위하여는 각품종별로 각각 $Y_{11}$v$_1$=233.4780+74.3713X$_1$+1.2912X$_2$+39.0420X$_3$-148.9300X$_4$$Y_{11}$v$_2$=-317.0150+15.l524X$_1$+1.0861X$_2$+156.7973X$_3$-148.3742X$_4$$Y_{11}$v$_3$=178.7011+29.8664X$_1$-0.2562X$_2$+102.4632X$_3$-83.2693X$_4$$Y_{11}$v$_4$= 264.0062+47.7742X$_1$+2.6996X$_2$+92.8882X$_3$-192.3464X$_4$ 등의 식에 의하여 수량을 예측할 수 있다.
Anatase $TiO_2$에 $WO_3$ 및 $V_2O_5$ 촉매를 첨가하여 SCR(selective catalytic reduction)용 분말을 합성하였으며, 촉매 첨가가 합성분말의 미세구조, 상합성 및 SCR 촉매능에 미치는 영향에 대해 연구하였다. 촉매의 지지체로 사용된 상용 anatase-$TiO_2$에서 rutile 단일상으로의 상전이 온도는 $1200^{\circ}C$이었다. 그러나 $WO_3$를 10wt% 첨가하면 이 상전이 온도가 $900^{\circ}C$로 낮아졌으며, $V_2O_5$를 첨가(5와 10wt%)할 경우 $650^{\circ}C$ 이하로 낮아졌다. $450^{\circ}C$에서 제조된 $WO_3(10wt%)/TiO_2$, SCR 분말은 $350^{\circ}C{\sim}400^{\circ}C$에서 100%에 가까운 우수한 $NO_x$ 변환효율을 보였다. $650^{\circ}C$에서 열처리한 경우, 보다 넓은 $300{\sim}400^{\circ}C$온도영역에서 100%가까운 우수한 촉매능을 보였다. $650^{\circ}C$에서 합성된 $V_2O_5(5wt%)/TiO_2$ 촉매분말은 넓은 온도범위($250^{\circ}C{\sim}350^{\circ}C$)에 걸쳐 100%에 달하는 가장 우수한 $NO_x$ 변환효율을 보였다. $650^{\circ}C$ 합성분말의 경우 10wt%의 $V_2O_5$ 첨가는 5wt% $V_2O_5$ 첨가 때 보다 분말물성과 촉매물성이 저하되었으며, 이는 $V_2O_5$의 높은 반응성으로 인한, 촉매의 입자성장에 따른 비표면적감소 때문으로 해석된다.
1. 대두단백질의 밀도는 $1300[kg/m^3]$이고 대두유의 밀도는 미동결상태 ($0\sim30^{\circ}C$)에서 $930[kg/m^3]$이고, 동결상태 ($-5\sim-40^{\circ}C$)에서는 $900[kg/m^3]$이였다. 또 3성분계 두부의 밀도를 나타내는 실험식, $\rho_m=1.0{\bullet}X_w^v+1.30{\bullet}X_p^v+0.93{\bullet}X_F^v$(이동결상태) $\rho_m=0.92{\bullet}X_w^v+1.30{\bullet}X_p^v+0.90{\bullet}X_F^v$(동결상태)을 각각 얻었다. 2. 대두단백질의 비열용양은 온도 $30\sim-40^{\circ}C$의 사이에서 1.26[kJ/kg K)로 일정했으나 대두유의경우는 동일 온도역에서 $1.60\sim2.10[kJ/kg{\cdot}K]$의 값을 나타냈다. 또한 3성분계 두부의 비열용양을 나타내는 실험식 $C_{p,m}=4.20{\bullet}X_w^w+1.26{\bullet}X_p^w+2.10{\bullet}X_F^w$(미동결상태) $C_{p,m}=2.00{\bullet}X_w^w+1.26{\bullet}X_p^w+1.60{\bullet}X_F^w$(동결상태)을 각각 얻었다. 3. 일반 식품의 비열용기의 data를 정리한 결과물과 고형분을 Parameter로 다음과 같은 실험식을 얻었다. $C_p=4.2{\bullet}X_w^w+(0.8\sim1.5){\bullet}X_s^w$(미동결상태) $C_p=2.1{\bullet}X_w^w+0.8{\bullet}X_s^w$(동결상태)4. 3종의 두부의 유효열전도도는 수분의 함양이 증가함에 따라 증대하고 지질 및 단백질의 함양이 증가함에 따라 유효열전도는 감소하는 경향을 보였다.
Samples of $Nb/Al-AlO_x/Nb$ tunnel junction with the size of $50 ${\mu}{\textrm}{m}$ {\times} 50 ${\mu}{\textrm}{m}$$ were fabricated by using self-aligning and reactive ion etching technique In the high quality samples, the $V_m$ value (the product of the critical current and subgap resistance measured at 2 mV) was 34 mV at the critical current density of $J_c: 500 A/cm^2 and the V_g$ value (the gap voltage) was 2.8 mV. For the higher $J_c$ sample, voltage fluctuation at the gap voltage was observed. The $V_m and J_c$ values for this sample were 8 mV and 900 A/cm$^2$, respectively. Also, the relationship between critical current density $J_c$ and specific normal conductance $G_s$ of the junctions with $J_c$ in the range of 28 A/cm$^2$~940 A/cm$^2$was investigated.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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