In this paper, a MEMS silicon package is newly designed, fabricated for HMIC, and characterized for microwave and millimeter-wave device applications. The proposed package is fabricated by using two high resistivity silicon substrates and surface/bulk micromachining technology. It has a good performance characteristic such as -20㏈ of $S_11$/ and -0.3㏈ of $S_21$ up to 20㎓, which is useful in microwave region. It has also better heat transfer characteristics than the commonly used ceramic package. Since the proposed silicon MEMS package is easy to fabricate and wafer level chip scale packaging is also possible, the production cost can be much lower than the ceramic package. Since it will be a promising low-cost package for mobile/wireless applications.
SiC direct bonding technology is very attractive for both SiCOI(SiC-on-insulator) electric devices and SiC-MEMS fileds because of its application possibility in harsh environements. This paper presents on pre-bonding according to HF pre-treatment conditions in SiC wafer direct bonding using PECVD oxide. The PECVD oxide was characterized by XPS and AFM, respectively. The characteristics of bonded sample were measured under different bonding conditions of HF concentration and applied pressure, respectively. The bonding strength was evaluated by tensile strength method. Components existed in the interlayer were analyzed by using FT-IR. The bond strength depends on the HF pre-treatment condition before pre-bonding (Min : 5.3 kgf/$cm^2{\sim}$ Max : 15.5 kgf/$cm^2$).
광 MEMS(Optical MEMS)는 미세 기계, 전자 및 광학기술이 조합하여 이루어지는 종합적인 기술분야로서 정보통신 핵심부품의 정밀화, 고성능화, 경량화 추세에 의해 그 중요성을 더해가고 있다. 본 논문은 정보통신 기술분야에 적용되고 있는 광 MEMS 기술에 대하여 살펴본 것으로, MEMS 시스템을 구성하고 있는 광학적 구성요소의 기술개발 현황, 신소재 및 새롭게 도출된 아이디어 등에 대하여 최신 연구동향을 중심으로 조사.분석하였다. 정보통신 기술의 발전에 따라 응용분야도 다양해지며 신소재의 출현에 따른 새로운 연구분야가 확대되는 등 광 MEMS 기술의 전반적인 기술추세에 대해 전망하였다.
The application fields of medicine and biology are spotlighted because of the increasing concentration of health and the abundance of life. MEMS is very good solution in this fields for the concept of point of care which makes systems more useful and spread wide. This paper shows the major fabrication schemes and application fields of microelectromechanical system specially in medicine and biology fields.
Si 기판의 캐비티 형성이 불필요한 웨이퍼-레벨 MEMS capping 공정을 연구하였다. 4인치 Si 웨이퍼에 Ni 캡을 전기도금으로 형성하고 Ni 캡 rim을 Si 하부기판의 Cu rim에 에폭시 본딩한 후, SnBi debonding 층을 이용하여 상부기판을 Ni 캡 구조물로부터 debonding 하였다. 진공증착법으로 형성한 SnBi debonding 층은 Bi와 Sn 사이의 심한 증기압 차이에 의해 Bi/Sn의 2층 구조로 이루어져 있었다. SnBi 증착 층을 $150^{\circ}C$에서 15초 이상 유지시에는 Sn과 Bi 사이의 상호 확산에 의해 eutectic 상과 Bi-rich $\beta$상으로 이루어진 SnBi 합금이 형성되었다. $150^{\circ}C$에서 유지시 SnBi의 용융에 의해 Si 기판과 Ni 캡 구조물 사이의 debonding이 가능하였다.
MEMS 공정기법을 적용하여 새로운 형태의 LC 공진기형 자기센서를 제작하였다. 이 마이크로 LC 공진기는 솔레노이드형 마이크로인덕터에 연자성 마이크로와이어를 코어로 삽입하고 여기에 콘덴서를 병렬로 연결하여 구성하였다. 코어 자성 물질은 melt spinning 법으로 제조한 유리가 코팅된 $Co_{83.2}B_{3.3}Si_{5.9}Mn_{7.6}$ 마이크로와이어이다. 코어물질의 연자성을 개선하기 위하여 $150^{\circ}C$, $200^{\circ}C,\;250^{\circ}C,\;300^{\circ}C$ 등 여러 온도에서 1시간씩 진공 열처리하였다. MEMS 공정으로 제작된 솔레노이형 마이크로인덕터는 길이가 $500{\sim}1,000{\mu}m$ 이며 감은수는 $10{\sim}20$회이다. 외부자기장에 따른 본 마이크로인덕터의 최대 인덕턴스 변화율은 370%이었다. 초연자성 마이크로와이어의 투자율이 외부자기장에 따라 급격히 변하기 때문에 인덕턴스변화율이나 LC 공진기의 자기임피던스 변화율(MIR)이 급속하게 변한다. 최대감도를 얻기 위해서 MIR 곡선은 정교하게 조절할 수 있다. 마이크로인덕터와 멀티바이브 레어터 회로로 구성된 원형 자기센서소자를 제작하여 시험동작을 하는데 성공하였다.
This paper describes the TiW ohmic contact characteristics under the surface treatment of the polycrystalline 3C-SiC thin film grown on $SiO_2/Si(100)$ wafers by APCVD. The poly 3C-SiC surface was polished by using CMP(chemical mechanical polishing) process and then oxidized by wet-oxidation process, and finally removed SiC oxide layers. A TiW thin film as a metalization process was deposited on the surface treated poly 3C-SiC layer and was annealed through a RTA(rapid thermal annealing) process. TiW/poly 3C-SiC was investigated to get mechanical, physical, and electrical characteristics using SEM, XRD, XPS, AFM, optical microscope, I-V characteristic, and four-point probe, respectively. Contact resistivity of the surface treated 3C-SiC was measured as the lowest $1.2{\times}10^{-5}{\Omega}cm^2$ at $900^{\circ}C$ for 45 sec. Therefore, the surface treatments of poly 3C-SiC are necessary to get better contact resistance for extreme environment MEMS applications.
본 연구에서는 RF-MEMS소자의 웨이퍼레벨 패키징에 적용하기 위한 밀봉 실장 방법에 대하여 연구를 하였다. 비전도성 B-stage에폭시를 사용하여 밀봉 실장하는 방법은 플립칩 접합 방법과 함께 MEMS 소자 패키징에 많은 장점을 줄 것이다. 특히 소자의 동작뿐만 아니라 기생성분의 양을 줄여야 하는 RF-MEMS 소자에는 더욱더 많은 장전을 보여준다. 비전도성 B-stage 에폭시는 2차 경화가 가능한 것으로 우수한 밀봉 실장 특성을 보였다. 패키징시 상부기관으로 사용되는 유리기판 위에 500 $\mu\textrm{m}$의 밀봉선을 스크린 프린팅 방식으로 패턴닝을 한 후에 $90^{\circ}C$와 $170^{\circ}C$에서 열처리를 하였다. 2차 경화 후 패턴닝된 모양이 패키징 공정이 끝날 때까지 계속 유지가 되었다. 패턴닝 후 에폭시 놀이가 4인치 웨이퍼에서 $\pm$0.6$\mu\textrm{m}$의 균일성을 얻었으며, 접합강토는 20 MPa을 얻었다. 또한 밀봉실장 특성을 나타내는 leak rate는 $10^{-7}$ cc/sec를 얻었다.
In this study, we have carried out development and performance evaluation of optimized MEMS(Multi-Effect-Multi-Stage) fresh water generator with $7m^2/day$ for solar thermal desalination system. The developed MEMS was composed of high temperature part and low temperature part. This arrangement has the advantage of increasing the availability of solar thermal energy. The MEMS consists of 2 steam generators, 5 evaporators, and 1 condenser. Tubes of heat exchanger used for steam generators, evaporators and condenser were manufactured by corrugated tubes. The performance of the MEMS was tested through in-door experiments, using an electric heater as heat source. The experimental conditions for each parameters were $20^{\circ}C$ for sea water inlet temperature to condenser, $8.16m^2$ /hour sea water inlet volume flow rate, $70^{\circ}C$ for hot water inlet temperature to generator of high temperature part, 3.6 4.8, 6.0 $m^2/hour$ for hot water inlet volume flow rate. As a result, The developed MEMS was required about 85 kW heating source to produce $7m^2/day$ of fresh water. It was analyzed that the performance ratio of MEMS was about 2.6.
압력센서란 두 물체 간의 상호 작용하는 힘의 크기를 나타내는 물리적 양을 측정하는 디바이스로서 힘의 전달 크기, 힘의 방향 등을 측정하는 데 매우 광범위하게 사용되고 있는 센서이다. 사용하는 분야는 의료, 자동차, 항공, 공업계측, 가전, 환경제어분야 등의 전반적 산업제품과 산업시설에 응용되고 있으며, 측정원리는 힘의 변화에 따른 재료의 변위, 변형, 진동수, 변화, 열전도율 변화 등을 이용하는 것으로 종전의 기계식 감지방법에서 현재는 센서장치의 소형화를 위하여 반도체소자 제작기술과 Micro Electro Mechanical System(MEMS)기술을 이용하는 초소형, 저전력형 센서개발로 계속 발전하고 있다. 본고에서 멤스(MEMS) 압력센서의 최근 제품 기술 개발과 시장 및 산업동향을 알아보고 향후 더욱더 확장될 압력센서제품 기술의 기초 정보를 제공하고자 한다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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