• 한국동물학회지
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• 제33권3호
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• pp.266-275
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• 1990

Onocogene의 일종인 c-raf protein kinase는 세포질 속에 존재하는 serine / threonine-speccific protein이며, 이것은 mitogene signal에 의해 활성화된다. c-raf protein kinase의 구조와 기능은 protein kinase C와 매우 유사한 것으로 생각된다. 면역세포화학적으로 c-raf protein kinase의 signal transduction을 조사하기 위하여 EC-4 세포에 tumor promotor인 12-0-tet-radecanoylphorbol-13-acetae와 mitogenic gactor인 platelet-derived growth factor로 time-course에 따라서 처리하였다. Translocotion되는 c-raf는 먼저 perinuclear membrane에 모이고 그 후에 핵내로 이동되었다. 그런데 TPA와 PDGF로 처리한 c-raf의 translocotion은 각각의 다른 경로를 가짐을 알 수 있었다. TPA와 PAGF을 장기간 처리하였을 때, c-raf protein kinase의 down regulation이 유도됨을 알 수 있었다.

• 한국재료학회지
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• 제8권6호
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• pp.477-483
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• 1998

$SiC_{4}$$C_{3}$$H_{ 8}$$H_{2}$와 $C_{3}$$H_{8}$ $H_{2}$, $CH_{3}$$SiCI_{3}$$CH_{4}$$H_{2}$계를 사용하여 흑연기판 위에 SiC와 SiC/C FGM을 CVD법에 의해 코팅하였다. $SiCI_{4}$$C_{3}$$H_{8}$ $H_{2}$ 계에서 SiC 증착 시 바람직한 수소의 비는 10-30사이였고 결정 배향성은 입력가스의 탄소비에 따라 여러번의 대 반전이 일어났다. 성장조건을 {111} 배향성을 갖도록 조절하는 것이 FGM층간 접착상태를 증진시킬 수 있는 방법으로 판단되었다. $CH_{3}$$SiCI_{3}$C$_{3}$$H_{8}$ $H_{2}$ 계에서는 SiC와 C의 비율을 조절하기가 $SiCI_{4}$$C_{3}$$H_{8} $H_{2}$계를 사용했을 때 보다 용이하였고, FGM 단면 관찰에서 층간의 뚜렷한 경계를 발견할 수 없을 정도로 우수한 층간 접착상태를 보였다.

• Advances in nano research
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• 제10권5호
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• pp.471-479
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• 2021

In the framework of the density functional theory combined with the method of non-equilibrium Green functions (DFT + NEGF), the electric transport properties of a one-dimensional nanodevice consisting of telescoping polyprismanes with various types of electrical conductivity were studied. Its transmission spectra, density of state, current-voltage characteristic, and differential conductivity are determined. It was shown that C_[14,17], C_[14,11], C_[14,16], C_[14,10] show a metallic nature, and polyprismanes C_[14,5], C_[14,4] possess semiconductor properties and has a band gap of 0.4 eV and 0.6 eV, respectively. It was found that, when metal C_[14,11], C_[14,10] and semiconductor C_[14,5], C_[14,4] polyprismanes are coaxially connected, a Schottky barrier is formed and a weak diode effect is observed, i.e., manifested valve (rectifying) property of telescoping polyprismanes. The enhancement of this effect occurs in the nanodevices C_[14,17] - C_[14,11] - C_[14,5] and C_[14,16] - C_[14,10] - C_[14,4], which have the properties of nanodiode and back nanodiode, respectively. The simulation results can be useful in creating promising active one-dimensional elements of nanoelectronics.

• 한국세라믹학회지
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• 제49권4호
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• pp.328-332
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• 2012

Etch rates of Si and high purity SiC have been compared for various fluorocarbon plasmas. The relative plasma resistance of SiC, which is defined as the etch rate ratio of Si to SiC, varied between 1.4 and 4.1, showing generally higher plasma resistance of SiC. High resolution X-ray photoelectron analysis revealed that etched SiC has a surface carbon content higher than that of etched Si, resulting in a thicker fluorocarbon polymer layer on the SiC surface. The plasma resistance of SiC was correlated with this thick fluorocarbon polymer layer, which reduced the reaction probability of fluorine-containing species in the plasma with silicon from the SiC substrate. The remnant carbon after the removal of Si as volatile etch products augments the surface carbon, and seems to be the origin of the higher plasma resistance of SiC.

• 한국세라믹학회지
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• 제32권4호
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• pp.413-418
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• 1995

The (B.Si)C composite was prepared form the mixture of metal boron, silicon, and carbon powders in Ar atmosphere by Self-propagating High-temperature Synthesis Chemical Furnace. The characterization of synthesized power and sintered body were investigated. The microstructure of sintered body suggested that SiC boundary was made between B4C grains. The most excellent mechanical properties, the relative density of 95% oftheoretical value, 3 point flexural strength of 360MPa, and fracture toughness of 3.6MN/m3/2 could be obtained in 80wt% B4C-20 wt% SiC composite were obtained.

• 유변학
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• 제5권2호
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• pp.161-169
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• 1993

Glucomannan(G.M.)은 Amorphophallus Konjac C. Koch의 tuber로부터 분리되었고. 이 G.M.은 다시 침전제로 메탄올을 사용하여 4단계로 분별되었다.(F.1, F.2, F.3, F.4,). 각분 별물에 비하여 직선으로부터 벗어남을 보였다. Low shear viscometer로 G.M. 용액의 viscosity를 측정하였고 농도와 zero shear specific viscosity의 logarithm을 도시한 결과 inflection point를 나타내었다. 이것은 G.M. 분자들의 coil overlap의 시작에서 기인한 것이 고 묽은 용액에서 진한 용액으로의 전이행동은 임계농도. C＊=4/[η]에서 일어났고 이때의 zero shear specific viscosity는 10을 나타내었다. 또한 specific viscosity는 묽은 용액에대해 서는 C14로써 변화하였고 진한 요액에서는 C3.0으로변화하였다. G.M.의 고체상태에 대한 유 전성($\varepsilon$＇,$\varepsilon$＂)과 점탄성(C＇,C＂)계수들을 액체질소 온도에서부터 15$0^{\circ}C$ 온도범위에 걸쳐 4단계로 film을 건조시키면서 10Hz에서 측정하였다. G.M. film의 유전성과 점탄성의 허수부 분은 ($\varepsilon$＂, C＂), -10$0^{\circ}C$에서 peak를 나타내었고 이 peak는 hydroxy methyl 기들의 회전 운동에서 생겨난 것이다. 건조시키지 않은 상태의 G.M. film의 유전성과 점탄성의 허수부분 의 값들은 -5$0^{\circ}C$에서 물 분자의 운동에 의하여 생긴 peak를 보였다.

• ALGAE
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• 제28권1호
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• pp.101-109
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• 2013

Some Chlorella species grow heterotrophically with organic substrate in dark condition. However, heterotrophic Chlorella species are limited and their optimum culture conditions are not fully known. In this study, three heterotrophic Chlorella species, two strains (C4-3 and C4-4) of C. vulgaris and one Chlorella sp. (C4-8) were examined on optimum culture conditions such as carbon source, temperature, and concentrations of nitrogen and phosphorus in Jaworski's medium (JM). And the growth and fatty acid composition of Chlorella were analyzed. For three heterotrophic Chlorella species, glucose (1-2%) as a carbon source only increased the growth and the range of optimum culture temperature was $26-28^{\circ}C$. Doubled concentrations of the nitrogen or phosphorus in JM medium also improved the growth of Chlorella. Chlorella cultured heterotrophically showed significantly higher growth rate and bigger cell size than those autotrophically did. C. vulgaris (C4-3) cultured heterotrophically showed the highest biomass in dry weight ($0.8g\;L^{-1}$) among three species. With respect to fatty acid composition, the contents of C16:0 and n-3 highly unsaturated fatty acid (HUFA) were significantly higher in autotrophic Chlorella than in heterotrophic one and those of total lipid were not different between different concentrations of nitrogen and phosphorus in JM medium. Among three Chlorella species in this study, C. vulgaris (C4-3) appeared to be the most ideal heterotrophic Chlorella species for industrial application since it had a high biomass and lipid content.

• ALGAE
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• 제19권4호
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• pp.303-309
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• 2004

The laboratory culture study of Porphyra seriata Kjellman from Korea was conducted at different conditions of temperatures (5, 10, 15, 20, 25 and 30${^{\circ}C}$), photon flux densities (10, 20, 40 and 80 $\mu$mol $^{-2}s^{-1}$) and photoperiods (14L: 10D and 10L:14D). Conchocelis filaments grew fast at 15-20${^{\circ}C}$ and 20-80 $\mu$mol $^{-2}s^{-1}$ under both photoperiods. Concho sporangial branches were produced at 5-25${^{\circ}C}$, and abundant when the conchocelis filaments were cultured at higher temperatures of 20-25${^{\circ}C}$ under both photoperiods. Foliose thalli grew well at 15-20${^{\circ}C}$ under 10L:14D and at 20${^{\circ}C}$ under 14L:10D. At 30${^{\circ}C}$, the foliose thallus failed to survive. No archespores were observed at any culture conditions. Spermatangia and zygotosporangia were formed in squarish patches at the upper marginal portion of mature thalli. Anatomical examination revealed that the mature spermatangia were 64 (a/4, b/2, c/8) and 128 (a/4, b/4, c/8), and that of zygotosporangium was 16 (a/2, b/2, c/4) according to the Hus' formula.

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제10권1호
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• pp.65-69
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• 2003

소결온도에 따른 아이솔레이터/서클레이터용 (Y, Ca)-(Fe, V, In, Al)-O 계 YIG 페라이트의 미세구조와 전자기적 특성을 고찰하였다. $Y_{2.1}Ca_{0.9}Fe_{4.4}V_{0.5}In_{0.05}Al_{0.05}O_{12}$ 조성의 시편들을 일반적인 세라믹 제조 공정에 따라 $1300^{\circ}C$, $1330^{\circ}C$, $1350^{\circ}C$, $1370^{\circ}C$에서 각각 소결하였다. 소결체는 XRD를 이용하여 상분석을 실시하였고, SEM을 이용하여 미세구조를 관찰하였다. VSM을 이용하여 포화자화값$(4{\pi}M_s)$을 측정하였으며, FMR(Ferromagnetic Resonance)실험으로 자기공명반치폭$({\Delta}H)$을 측정하였다. YIG 페라이트의 마이크로파 특성은 Network Analyzer를 이용하여 측정하였다. $Y_{2.1}Ca_{0.9}Fe_{4.4}V_{0.5}In_{0.05}Al_{0.05}O_{12}$ 조성의 YIG 페라이트는 $1350^{\circ}C$에서 소결시 가장 높은 밀도값과 포화 자화$(4{\pi}M_s)$ 값을 나타내었고, 가장 낮은 자기 공명 반치폭$({\Delta}H)$ 값을 나타내었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제25권2호
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• pp.51-55
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• 2015

본 연구에서는 PVT법으로 4H-SiC 단결정 성장 시 다공성 흑연판을 사용하여 Si/C 비율이나 온도구배, 물질전달의 향상시킴으로써 고품질의 SiC 단결정 기판 제작을 목적으로 연구를 진행하였다. 연구에 사용된 SiC 소스 물질은 흑연 도가니에 넣어 흑연 단열재로 쌓인 구조로 실험을 하였다. 성장온도는 $2100{\sim}2300^{\circ}C$, 그리고 성장압력은 10~30 Torr의 압력으로 아르곤과 질소 분위기에서 성장시켰다. 종자정은 2인치의 $4^{\circ}$ off-axis 4H-SiC의 C면 (000-1)을 사용하였고 다공성 흑연판은 SiC 소스 물질 위에 삽입하였다. 4H-SiC 결정다형 안정화를 위한 C-rich 조건이나 균일한 온도구배를 만들어주기 위해 다공성 흑연판을 삽입하여 실험을 진행하였다. 일반적인 도가니의 경우, 성장된 wafer에서 6H-, 15R-SiC와 같은 다양한 결정다형이 관찰된 반면에 다공성 흑연판을 삽입한 도가니에서는 4H-SiC만 관찰되었다. 또한 다공성 흑연판을 삽입한 도가니에서 성장된 결정에서 MP나 EP의 낮은 결함밀도를 보였으며 결정성 또한 향상된 것을 학인하였다.