본 논문에서는 고전압, 고전류 동작을 위한 전력 MOSFET 소자에 대한 전기적 특성을 시뮬레이션을 통해 분석하였다. 소자의 정적 특성을 향상시키기 위해 기존의 Si대신 4H-SiC를 이용했다. 4H-SiC는 넓은 에너지 밴드 갭에 의한 높은 한계전계를 갖기 때문에 고전압, 고전류 동작에서 Si보다 유리한 특성을 갖는다. 4H-SiC를 사용한 기존 VDMOSFET 구조는 p-base 영역 모서리에 전계가 집중되는 현상으로 인해 항복 전압이 제한된다. 따라서 본 논문에서는 p-base 영역의 모서리에 곡률을 주어 전계의 집중을 완화시켜 항복 전압을 높이고, 정적 특성을 개선한 곡률 VDMOSFET 구조를 제안하였다. TCAD 시뮬레이션을 통해 기존 VDMOSFET과 곡률 VDMOSFET의 정적 특성을 비교, 분석 하였다. 곡률 VDMOSFET은 기존 구조에 비해 온저항의 증가 없이 68.6% 향상 된 항복 전압을 갖는다.
(1) 2,2'-Methylene bis (3,4,6-trichloroacetoxy benzene)을 모체화합물로 하여 Mannich반응에 의해 11종의 새로운 화합물을 합성했다. (2) 합성화합물중 R위치에 (구조식 들어감) 기를 가진 유도체가 효모보다 세균에 대해 비교적 강한 항균력을 나타냈다.
국내에 새로운 해충인 감자나방의 생활사를 밝히기 위해서 감자괴경을 먹이고 실내에서 개체사육에 의해 수행된 명태별 발육기간, 산란수, 성충수명 및 년발생 회수 등의 조사결과는 다음과 같다. 1. $4\~11$월에 7회 발생하였으며, 난에서 성충까지의 발육기간이 가장 짧았던 것은 8월상순 발생에서 19.5일이었으며 4월상순 발생에서는 49.4일이었다. 2. 난기간은 평균기온 $21^{\circ}C$. 이상에서는 4일내외였으며 평균기온 $14.4^{\circ}C$.에서는 15.8일 이었다. 3. 유충기간은 평균기온 $19.4^{\circ}C$.에서는 20.1일이었고 $25\~29^{\circ}C$.에서는 10일내외였다. 4. 전용기간은 발생시기별 큰 차이없이 2일내외였으며, 용기간은 평균기온 $19^{\circ}C$.에서 13일이었고 $25\~28^{\circ}C$.에서는 6일내외였다. 5. (equation omitted)한마리당 산란수는 평균 101개였고, 성충수명은 (equation omitted)에 따른 차이가 보이지 않았으며 여름에는 1주일내외, 봄가을에는 $2\~3$주일이었다.
약배양에 대한 반응이 비교적ㆍ높은 것으로 알려진 고추의 두 품종 계룡산재래와 밀양재래의 약을 2,4-D와 kinetin이 각각 0.1 mg/L씩 첨가된 배지에 치상한 후 4$^{\circ}C$와 32$^{\circ}C$의 온도 전처리가 소포자배 발생에 미치는 영향을 조사하였다. 소포자배의 발생은 사용한 두 품종 중 밀양재래에서 높았다. 고온처리는 저온처리에 비해 소포자 배의 발생이 많았고 캘러스의 발생은 거의 없었으며 발생한 배는 동일 배지에서 또는 호르몬이 없는 배지에 옮겼을 때 대부분이 정상적인 유식물로 발달하였다. 저온처리에서는 캘러스의 발생이 많았고 발생한 배는 대부분이 비정상적으로 발달하였다. 소포자배 발생에 효과적인 고온처리 기간은 밀양재래에서는 3일, 계룡산재래에서는 6일이었다. 고추의 약배양 시 고온처리는 소포자배의 유기뿐만 아니라 유기된 배의 생장에도 중요한 영향을 미치는 것으로 나타났다.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제16권2호
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pp.90-94
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2015
In this study, the characterizations of oxide contact hole etching are investigated with C4F8/O2/Ar and CH2F2/C4F8/O2/ Ar plasma. As the percent composition of C4F8 in a C4F8/O2/Ar mixture increases, the amount of polymer deposited on the etched surface also increases because the CxFy polymer layer retards the reaction of oxygen atoms with PR. Adding CH2F2 into the C4F8/O2/Ar plasma increases the etch rate of the oxide and the selectivity of oxide to PR. The profile of contact holes was close to 90°, and no visible residue was seen in the SEM image at a C4F8/(C4F8+O2) ratio of 58%. The changes of chemical composition in the chamber were analyzed using optical emission spectroscopy, and the chemical reaction on the etched surface was investigated using X-ray photoelectron spectroscopy.
Stockmayer 분자 모델을 도입하여 linear spheroidal 형태의 $C_2H_4$ 기체분자를 사중극자 (quadrupole)분자로 단순화하여 $C_2H_4$ 기체의 동경분포함수 (radial distribution function)를 계산하였다. 또한 이렇게 얻어진 동경분포함수의 신뢰도를 조사하기 위해 여러 온도에서의 밀도 변화에 따른 $C_2H_4$ 기체의 압력을 계산하여 문헌에 알려진 실험치와 비교하였다. 계산에 사용된 온도는 50,100, 그리고 $150^{\circ}C$ 이었으며 조사된 밀도의 범위에 최대 약 $0.02/{\AA}^3$ (최대 압력 = 1500 atm)까지이다. 동경분포함수는 Baker와 Henderson의 섭동이론을 응용하여 Yoon, Hacura, 그리고 Baglin (YHB)에 의해 얻어진 동경분포함수의 형식을 사용하여 컴퓨터로 계산 하였으며 계산 결과는 최대 ${\pm}5%$의 오차범위내에서 실험치와 일치하였다. 이는 YHB 동경분포함수를 사용하여 압력과 같은 밀도변화에 민감한 각종 물리량을 충분히 정확하게 예측할 수 있다는 것을 나타낸다.
본 논문은 전자기기에 사용되는 전원의 노이즈 저감을 위한 전도성(Conducted) EMI 필터의 경험적 설계를 통하여 제안하였다. 제안된 구조는 A형, B형, C형, D형의 구조를 설계하였으며, 다양한 X-커패스터와, Y-커패스터, Air-인덕터로 LC 네트워크 사용으로 전도성 노이즈 저감을 확인하였다. L1, L2는 10[μH]를 사용하였으며, C1, C2는 4.7[nF]를 사용하였다. 공통모드(Common Mode)용 L3는 13[μH]를 사용하였으며, C5, C6, C7은 10[nF]을 사용하여 설계하였다. 설계된 EMI 필터의 측정된 삽입손실 값은 3.2MHz에서 -74.4[dB], 4MHz에서 -75.4[dB], 13.56MHz에서 -75.3[dB]로 나타났다. 따라서 제안한 EMI 필터는 다양한 전자기기에 사용되는 전원 노이즈 저감에 이용될 것이다.
In this paper, I present a MPEG4 decoding system modeling in SystemC, a new C/C++ based system simulation approach, In the modeling, MPEG4 decoding behavior is modeled and verified. And I partitions the MPEG4 decoding system into several hardware components which will be implemented at low level hardware design flow and I model a synchronized hardware block communication through data ports.
우리 군이 정보전 능력을 갖추기 위한 최우선 과제는 $C^4ISR$체계의 구축이라 할 수 있다. 21세기 지식.정보 중심이 전장에서 $C^4ISR$체계가 가장 핵심적인 기능과 역할을 담당하므로 $C^4ISR$능력의 확보가 없이는 적의 의도를 적시에 파악할 수 없을 뿐만 아니라 적절한 대응 역시 불가능하기 때문이다. 따라서 우리 군이 미래를 대비하고 향후 정보화전쟁에서 승리하기 위해서는 분산된 정보체계를 통합하고 정보화 전문인력을 효율적으로 운용해야 하며, 21세기 지식.정보 중심의 전장에서 가장 핵심적인 기능과 역할을 담당하는 국방 $C^4ISR$체계를 중점적으로 개척할 필요가 있다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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