• 한국결정성장학회지
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• 제14권4호
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• pp.135-139
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• 2004

층상 구조인 유기-무기 혼성 화합물인 ($C_6H_5CH_2NH_3)_2CuCl_4$ 와($NH_3C_6/H_4C_2H_4_6/H_4NH_3)CuCl_4$를 직접 합성하였다. X-선 회절 데이터와 유기분자의 길이로부터 층간 삽입된 유기화합물인 아민의 배열을 결정하였다. 무기화합물 층은 정육면체 구석을 공유하고 있는 염화구리의 $CuCl_4^{2-}$ 층으로 구성되어 있다. ($C_6/H_5/CH_2NH_3)_2CuCl_4$의 경우는 양성자화 된 유기화합물 아민이 $CuCl_4^{2-}$ 층 안에 이중 층 구조로 삽입되어 있고, ($NH_3C_6/H_4C_2H_4C_6H_4NH_3)CuCl_4$의 경우는 단일 층 구조로 삽입되어있다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2012년도 춘계학술대회
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• pp.364-367
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• 2012

본 논문은 Verilator와 C/C++를 이용해 AXI4 BUS 기반 SoC 플랫폼에서 H/W IP 검증을 위한 AXI4 BUS를 구현 하였다. 본 논문 에서는 Verilator와 C/C++를 이용하여 PC 상에 AXI4 BUS를 구현하여 AXI4 BUS 기반의 SoC플랫폼 H/W IP를 검증하는 방법을 제안 한다. 구현한 AXI4 BUS를 이용하여 검증한 AXI4 BUS 기반의 H/W IP가 FPGA 환경에서 동일한 동작을 수행 한다는 것을 보였다.

• 한국결정성장학회지
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• 제8권4호
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• pp.640-644
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• 1998

Sb/SiC(4H) 및 Ti/SiC(4H) 쇼트키 다이오드(SBD)를 제작하여 그 특성을 조사하였다. 용량-전압(C-V) 측정으로부터 얻은 n-형 SiC(4H)의 주개(donor) 농도는 약 $2.5{\times}10 ^{17}{\textrm}cm^{-3}$이었다. 순방향 전류-전압(I-V) 특성의 기울기로부터 얻은 Sb/SiC(4H) 쇼트키 다이오드의 이상계수는 1.31이었고, 역방향 항복전장(breakdown field)은 약 4.4$\times$102V/cm 이었다. 용량-전압(C-V) 측정으로부터 얻은 Sb/SiC(4H) SBD의 내부전위(built-in potential) 및 쇼트키 장벽 높이는 각각 1.70V 및 1.82V이었다. Sb/SiC(4H)의 장벽높이 1.82V는 Ti/SiC(4H)의 0.91V보다 높았다. 그러나 Sb/SiC(4H)의 전류밀도와 역방향 항복전장은 Ti/SiC(4H)의 것보다 낮았다. Ti/SiC(4H)는 물론 Sb/SiC(4H) 쇼트키 다이오드는 고전력 전자소자로서 유용하다.

• The Korean Journal of Ecology
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• 제6권2호
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• pp.128-141
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• 1983

The districbution of $C_3; and; C_4$ type plants in Korea were studied. In the standpoint of photosynthetic types, plant distribution in Korea is classified as $C_3; and; C_4$ type plant zones. The forest destroyed by man interference, cultivating areas, and seashore areas are characterized by the dominant of $C_4$ type plants.(Figs. 2, 3, 4, 5) According to the results of this study, $C_3; and; C_4$ type plant distribution in Korea has a great relation to the habitat of plant vegetation (Table 1). The arid areas were in high proportion of C4 flora percenntages, while the well-developed woody forests or the vegetation of humid areas were in lower proportion(Fig.8).

• 한국분말야금학회:학술대회논문집
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• 한국분말야금학회 2006년도 Extended Abstracts of 2006 POWDER METALLURGY World Congress Part2
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• pp.1080-1081
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• 2006

In this investigation, $B_4C$ based ceramic composites were fabricated by in-situ reaction hot pressing using $B_4C$, TiC SiC powder as starting materials. The reaction synthesized composites by hot pressing at $1950^{\circ}C$ was found to posses very high relative density. The reaction synthesized $B_4C$ composites comprise $B_4C$, $TiB_2$, SiC and graphite by the reaction between TiC and $B_4C$. The newly formed $TiB_2$ and graphite was embedded both inside grain and at grain boundary $B_4C$. The mechanical properties of reaction synthesized $B_4C-TiB_2-SiC$-graphite composites were more enhanced compared to those of monolithic $B_4C$.

• 한국세라믹학회지
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• 제40권2호
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• pp.128-131
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• 2003

B$_4$C 분말 표면을 알루미나 전구체로 표면 개질하여 알루미늄의 wetting 각을 낮추어 알루미늄의 함침을 용이하게 함으로써 상압에서 B$_4$C/Al 복합체를 제조하고자하였다. 알루미나 전구체에 의한 표면개질은 제타전위의 변화로 확인하였으며, 표면개질된 B$_4$C 분말의 preform에 Al 6061 디스크를 올려놓고 흐르는 알곤 분위기에서 103$0^{\circ}C$/20분 열처리로 Al이 완전히 함침된 B$_4$C/Al 복합체를 제조하였다. 반면 표면 개질되지 않은 B$_4$C 분말은 125$0^{\circ}C$/30분에도 함침이 일어나지 않았다. 이 복합체의 XRD와 SEM 분석은 B$_4$C. Al 외에도 반응상 $Al_3$BC 상이 생성되었으며, 물성을 크게 저하시키는 A1$_4$C$_3$는 생기지 않았음을 보여 주었다.

• Tribology and Lubricants
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• 제4권2호
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• pp.36-43
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• 1988

Titanium carbide(TiC) and titanium nitride(TiN) flims were deposited on $Si_3N_4$-TiC composite cutting tools by chemical vapor deposition(CVD) using $TiCl_4-CH_4-H_2$ and $TiCl_4-H_2-N_2$ gas mixtures, respectively. The nonmetal to metal ratio of deposit increases with increasing $m_{C/Ti}$(mole ratio of CH$_4$ to TiCl$_4$ in the input) for TiC coatings and $m_{N/Ti}$(mole ratio of N$_2$ to TiCl$_4$ in the input) for TiN coatings. The nearly stoiahiometric films could be obtained under the deposition condition of $m_{C/Ti}$ between 1.15 and 1.61 for TiC, and that of $m_{N/Ti}$ between 25 and 28 for TiN. Also maximum microhardness of the coatings can be obtained in these ranges. The interfacial region of TiC coatings on $Si_3N_4$-TiC ceramics is wider than that of TiN coatings according to Auger depth profile analysis, which indicates good interfacial bonding for TiC. Experimental results show that TiC coatings have an randomly equiaxed structure and Columnar structure with(220) preferred orientation can be obtained for TiN coatings. And, multilayer coatings have a dense and equiaxed structure.

• 한국광학회지
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• 제7권4호
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• pp.363-369
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• 1996

정방정계의 단결정인 PbMo $O_{4}$의 탄성늑성을 조사하기 위하여 브릴루앙 산란 실험을 수행하였으며 모든 탄성계수 뿐만 아니라 복굴절 값도 결정할 수 있었다. 그 결과 c$_{11}$=111.4.+-.4.4, c$_{12}$=64.7.+-.3.4, c$_{4+}$=27.0.+-.0.8, c$_{13}$=51.9.+-.2.5, c$_{33}$=95.5.+-.1.9, c$_{66}$=34.5.+-.4.6 그리고 c$_{16}$=15.8.+-.1.2(*$10^{9}$N/m$^{2}$)이었으며 n$_{o}$ -n$_{e}$=0.151.+-.0.018 이었다.다.

• 한국세라믹학회지
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• 제40권8호
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• pp.777-783
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• 2003

B$_4$C/Al 복합체의 기계적 물성은 제조 과정에서 B$_4$C와 Al의 반응에 의한 반응생성물의 종류와 양에 의해서 결정되므로, 강하고 경량 소재로서의 특성이 요구되는 복합체를 만들려면 반응생성물을 조절할 필요가 있다. TiB$_2$는 알루미늄과 반응성이 거의 없고 B$_4$C보다 낮은 접촉각(100$0^{\circ}C$에서 85$^{\circ}$)을 가지고 있다. 그러므로 B$_4$C를 TiB$_2$로 코팅하면 B$_4$C/Al복합체를 함침법으로 제조하는 경우 알루미늄의 함침 온도를 낮출 수 있다. 본 연구에서는 TiB$_2$가 B$_4$C/Al 복합체의 미세구조와 기계적 특성에 미치는 영향을 조사하였다. TiB$_2$를 코팅한 B$_4$C 분말을 졸겔법을 이용하여 준비하였다. B$_4$C 입자에 코팅된 TiB$_2$ 입자 크기는 20-50 nm이었다. TiB$_2$를 코팅하고 제작한 B$_4$C/Al 복합체에는 l7wt%의 미반응 알루미늄이 남아있었고, 코팅하지 않고 제작한 것에는 l4 wt%가 남았다. 결과적으로 코팅하고 제작한 복합체는 코팅하지 않고 제작한 것보다 파괴인성은 높고 경도는 낮았으며, 이러한 결과에서 TiB$_2$가 알루미늄의 함침 온도를 낮추고 B$_4$C와 Al이 반응하는 것을 억제하고 있다는 것을 알 수 있었다.

• 한국결정성장학회지
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• 제29권6호
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• pp.338-344
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• 2019

B₄C-SiC 복합체를 소결 첨가제 없이 일축가압소결법을 통해 제조하였으며 소결체의 결정상, 상대밀도, 미세구조 및 기계적 특성을 평가하였다. 제조된 B₄C-SiC 복합체에서 B₄C와 SiC는 균일하게 분산되어 결정립 성장을 억제하고 세밀하고 균일한 미세구조를 형성하였으며 이를 통해 B₄C-SiC 복합체의 기계적 특성을 향상시킬 수 있었다. 소결온도 2,000℃, 40 MPa 압력 조건에서 소결된 B₄C-SiC 복합체의 상대밀도는 99.8 % 이상이었으며, B₄C 50 wt% 조성 복합체의 꺾임 강도와 비커스 경도는 각각 약 625 MPa과 30 GPa로 측정되었다.