• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제16권2호
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• pp.90-94
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• 2015

In this study, the characterizations of oxide contact hole etching are investigated with C₄F₈/O₂/Ar and CH₂F₂/C₄F₈/O₂/ Ar plasma. As the percent composition of C₄F₈ in a C₄F₈/O₂/Ar mixture increases, the amount of polymer deposited on the etched surface also increases because the C_xF_y polymer layer retards the reaction of oxygen atoms with PR. Adding CH₂F₂ into the C₄F₈/O₂/Ar plasma increases the etch rate of the oxide and the selectivity of oxide to PR. The profile of contact holes was close to 90°, and no visible residue was seen in the SEM image at a C₄F₈/(C₄F₈+O₂) ratio of 58%. The changes of chemical composition in the chamber were analyzed using optical emission spectroscopy, and the chemical reaction on the etched surface was investigated using X-ray photoelectron spectroscopy.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제18권4호
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• pp.375-380
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• 2005

CF₄ molecular gas is used in most of semiconductor manufacture processing and SF/sub 6/ molecular gas is widely used in industrial of insulation field. but both of gases have defect in global warming. C₃F/sub 8/ gas has large attachment cross-section more than these gases, moreover GWP, life-time and price of C₃F/sub 8/ gas is lower than them, therefor it is important to calculate transport coefficients of C₃F/sub 8/ gas like electron drift velocity, ionization coefficient, attachment coefficient, effective ionization coefficient and critical E/N. The aim of this study is to get these transport coefficients for imformation of the insulation strength and efficiency of etching process. In this paper, we calculated the electron drift velocity (W) in pure C₃F/sub 8/ molecular gas over the range of E/N=0.1∼250 Td at the temperature was 300 K and gas pressure was 1 Torr by the Boltzmann equation method. The results of this paper can be important data to present characteristic of gas for plasma etching and insulation, specially critical E/N is a data to evaluate insulation strength of a gas.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제59권2호
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• pp.254-259
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• 2021

고밀도 C4F8 플라즈마에서 증착된 불화탄소막의 광학적 및 전기적 특성을 소스파워와 압력을 변화하며 분석하였다. 고밀도 C4F8 플라즈마에서 증착된 불화탄소막의 F/C 비율은 2단계 증착 메커니즘의 작용으로 소스파워가 증가할수록 증가하였고 압력이 증가할수록 감소하였다. 고밀도 C4F8 플라즈마에서 증착된 불화탄소막의 F/C 비율 변화는 불화탄소막의 광학적 및 전기적 특성 변화에 직접적으로 영향을 끼쳤다. 즉, 불화탄소막의 굴절률은 F/C 비율 변화 양상과는 달리 소스파워가 증가할수록 감소하였고 압력이 증가할수록 증가하였는데 이는 F/C 비율이 증가할수록 전자분극작용이 억제되고 불화탄소막의 망상조직이 약화되어 굴절률이 감소하기 때문이었다. 불화탄소막의 비저항은 F/C 비율 변화와 같이 소스파워가 증가할수록 증가하였고 압력이 증가할수록 감소하였는데 이는 F/C 비율이 증가할수록 주변 전자들을 반발하려는 경향이 강해져서 비저항이 증가하기 때문이었다. 고밀도 C4F8 플라즈마에서 증착된 불화탄소막의 F/C 비율 조절로 불화탄소막의 광학적 및 전기적 특성을 직접적으로 변화할 수 있으므로 불화탄소막이 반도체소자제조공정에서 저 유전상수 물질 대체용으로 가능할 수 있음이 예상된다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제19권3호
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• pp.301-306
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• 2006

The electron drift velocity W and the product of the longitudinal diffusion coefficient and the gas number density $ND_{L}$ in the $0.525\;\%$ and $5.05\;\%$ $C_{3}F_8-Ar$ mixtures were measured by using the double shutter drift tube with variable drift distance over the E/N range from 0.03 to 100 Td and gas pressure range from 1 to 915 torr. And we determined the electron collision cross sections set for the $C_{3}F_8$ molecule by STEP 1 of electron swarm method using a multi-term Boltzmann equation analysis. Our special attention in the present study was focused upon the vibrational excitation and new excitations cross sections of the $C_{3}F_8$ molecule.

• 한국표면공학회:학술대회논문집
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• 한국표면공학회 2015년도 추계학술대회 논문집
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• pp.240-240
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• 2015

본 논문에서는 플라즈마 모델링과 식각 표면 분석을 통해 가스 비율 변화에 따른 $CF_4/C_4F_8/Ar$ 유도결합 플라즈마의 특성과 Si 및 $SiO_2$의 식각 메커니즘에 대해 연구하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제21권4호
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• pp.305-310
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• 2008

Deep trench etching of silicon was investigated as a function of RF source power, DC bias voltage, $C_4F_8$ gas flow rate, and $O_2$ gas addition. On increasing the RF source power from 300 W to 700 W, the etch rate was increased from $3.52{\mu}m/min$ to $7.07{\mu}m/min$. The addition of $O_2$ gas improved the etch rate and the selectivity. The highest etch rate is achieved at the $O_2$ gas addition of 12 %, The selectivity to PR was 65.75 with $O_2$ gas addition of 24 %. At DC bias voltage of -40 V and $C_4F_8$ gas flow rate of 30 seem, We were able to achieve etch rate as high as $5.25{\mu}m/min$ with good etch profile.

• Korean Chemical Engineering Research
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• 제58권1호
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• pp.52-58
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• 2020

본 연구에서는 MgF₂를 이용하여 LiNi_0.8Co_0.15Al_0.05O₂ 양극활물질의 표면을 코팅하여 전기화학적 특성과 열적 안정성을 평가하였다. 코팅된 MgF₂의 비율은 0.5, 1, 3 wt%로 조절하였다. 전기화학적 특성은 CV, 충·방전 프로파일, 출력특성, 수명특성을 분석하였고, 열적 안정성은 DSC 분석을 통하여 이루어졌다. 전기화학적 특성 분석 결과 0.1C에서 초기 방전 용량은 MgF₂ 코팅이 되었을 때 감소하였지만, 2C까지 출력을 향상 시켰을 때는 약간 향상된 방전 용량을 얻을 수 있었고, 수명특성 또한 향상되었다. 또한 DSC 분석 결과 코팅이 되었을 때 발열 온도가 증가하였고, 발열 피크의 세기 또한 감소하였다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2015년도 제49회 하계 정기학술대회 초록집
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• pp.133-133
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• 2015

Recently, it has been shown that the ${\omega}B97X-D/aVTZ$ method is strongly recommended as the best practical density functional theory(DFT) for rigorous and extensive studies of saturated or unsaturated $C_4F_8$ species because of its high performance and reliability especially for van der Waals interactions. All the feasible isomerization and dissociation paths of $C_4F_8$ molecules were investigated at this theoretical level and rate constants of their chemical reactions were computed by using variational transition-state theory for a deep insight into $C_4F_8$ reaction mechanisms. Fates and roles of C4F8 molecules and their fragments in plasma phases could be clearly explained based on our computational results.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제19권1호
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• pp.29-34
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• 2006

The effects of $B_2O_3$ addition on the low-temperature sintering behavior and microwave dielectric properties of $(Zn_{0.8}Mg_{0.2})TiO_3$ ceramic system were investigated. Highly dense samples were obtained at the sintering temperatures below $900^{\circ}C$. The $Q{\times}f_o$ values were determined by the microstructures and sintering shrinkages which are affected by the amount of $B_2O_3$ and sintering temperature. Temperature coefficient of resonance frequency($T_f$) changes to a positive value with increasing the amount of $B_2O_3$ due to the increased amount of rutile phase which is one of the reaction products between $(Zn_{0.8}Mg_{0.2})TiO_3$ and $B_2O_3$. For $6.19 moi.{\%}B_2O_3$-added $(Zn_{0.8}Mg_{0.2})TiO_3$ system, it exhibits ${\epsilon}_r$ = 23.5, $Q{\times}f_o$ = 53,000 GHz, and $T_f$ = 0 ppm/$^{\circ}C$ when sintered at $900^{\circ}C$ for 5 h.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권1호
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• pp.31-38
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• 2002

0.35㎛-비아(via) 식각공정을 개선하기 위하여 C₂F/sub 6/가스의 식각특성을 분석하였다. 실험한 재료는 TEOS/SOG/TEOS 막을 올린 8인치 웨이퍼이며, 실험의 기법은 직교행열(Orthogonal array matrix) 실험 방식을 활용하였다. 산화막 식각에 이용된 장비는 transformer coupled plasma(TCP) source 방식이며 고밀도 플라즈마(HDP)장비이다. 실험의 결과는, 실험변수의 범위 내에서 C₂F/sub 6/는 0.8㎛/min-1.l㎛/min 범위의 식각속도를 보이며 균일도(Uniformity)는 ±6.9%미만으로 측정되었다. CD 변화(skew)는 식각 전과 후를 비교하여 10% 미만이었고 그 결과 비등방성(anisotropic) 식각의 특성이 우수하였다. C₂F/sub 6/를.20sccm 공급할 때 문제점이 발견되지 않았지만 14sccm을 공급하면 SOG 막의 내벽이 침식당하는 문제점이 있었다. 결과적으로 C₂F/sub 6/는 HDP TCP에서 빠른 식각비와 넓은 공정창(process window)을 가진 식각특성을 나타내었다.