• 대한조선학회논문집
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• 제35권2호
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• pp.63-73
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• 1998

최근 산적화물선의 빈번한 침몰사고 발생과 함께 산적화물선의 구조안전성 확보문제가 관심의 대상이 되고 있으며, IMO, 각국 선급협회를 중심으로 구조강도 강화작업이 진행되고 있다. 특히 IMO에서는 산적화물선 침몰사고의 주요 원인중의 하나로 지적되어 온 침수시 파형 횡격벽의 붕괴문제를 방지하기 위해 신조선박뿐만 아니라 기존선박에 대해서도 파형 횡격벽을 보강하도록 하는 규정의 제정을 서두르고 있다. 이 문제와 관련하여 보다 근본적으로는 파형 횡격벽의 최종붕괴 강도 평가방법이 확립되어 있지 않은 문제점이 있다. 본 연구에서는 탄소성 대변형 유한요소 해석기법을 적용하여 파형 횡격벽의 붕괴강도를 계산하기 위한 전용 프로그램을 개발하였으며, 구조모형실험 결과와의 비교를 통하여 개발한 프로그램의 정도와 유용성을 검증하였다.

• Journal of Advanced Marine Engineering and Technology
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• 제39권1호
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• pp.1-7
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• 2015

최근에 CO2 배출에 대한 환경 규제가 마련되었고, 연료유 가격은 계속해서 상승하고 있다. 이런 상황들을 극복하기 위해 연료소모량을 감소시키고 추진효율을 개선한 에너지 저감 추진장치들이 계속해서 개발되고 있다. 본 논문에는 핸디형 산적화물선에 적용한 PBCF, SCHNEEKLUTH duct, 비대칭 러더 벌브, Mewis duct의 성능 실험을 서술하였다. 그 결과, SCHNEEKLUTH duct가 다른 에너지 저감 장치들에 비해 연료소모량 절감과 추진효율의 향상 측면에서 더 효과적이었다. 또한 SCHNEEKLUTH duct가 거주구 진동에도 효과가 있음을 확인하였다. 그리고 연료소모량은 주기관 de-rating을 통해서도 절감할 수 있었다.

• 대한전자공학회논문지SD
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• 제39권3호
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• pp.9-19
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• 2002

본 논문에서는 thermionic emission 모델을 이용하여 SCH 양자우물 레이저 다이오드에 대한 L-I-V특성을 해석적으로 도출하였다. SCH의 bulk 캐리어와 양자우물 속박 캐리어의 관계를 도출하였고, 주입된 전류를 각 영역에서의 캐리어 재결합을 고려한 전류 연속 방정식을 만족하도록 하였다. 또한, high level injection과 전하 중성 조건하에 ambipolar 확산 방정식을 이용하여 캐리어 분포를 고찰하였다. 위 해석적인 모델을 이용하여 계산한 결과, 클래딩 영역의 전위장벽 변화가 전류 전압 특성 변화의 주요 원인으로 나타났다. 또한 thermionic emission에 의한 주입 전류의 forward flux 증가가 캐리어 주입을 증가시키고, 레이저 다이오드의 직렬 저항을 감소시키는 것을 보였다.

• 대한임상검사과학회지
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• 제36권2호
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• pp.115-120
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• 2004

혼합 amino acid의 선택적 분리를 위해 bulk liquid membrane system을 이용하였으며, p-diamethylaminobenzaldehyde(DAB), sulfosalicylic acid (SSA), 1-naphtol이 amino acid의 선택적 분리를 위한 효과적인 carrier로 사용될 수 있음을 확인하였다. 그 결과 sulfosalicylicacid에 대해서 Ala에 대한 선택성을 관찰할 수 있었으며, 1-naphtol에 대해서는 염기성 상태에서 Leu을 약산성 및 중성상태에서는 Val을 선택적으로 분리할 수 있었다. DAB에 대해서는 강산성에서 Phe을, 강알카리 조건에서 Ile를 선택적으로 분리할 수 있었다. Separation mechanism은 SSA와 1-naphtol의 경우에는 ion pair mechanism으로, DAB의 경우에는 imine 결합의 생성반응으로 설명할 수 있었다. 따라서, Liquid membrane을 이용한 생체시료 내의 아미노산을 선택적으로 분리함에 유용성이 클 것으로 사료된다.

• 대한화학회지
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• 제42권4호
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• pp.443-448
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• 1998

용액열량계를 이용하여, 25$^{\circ}C$ 메탄올 용액에서 dibenzo-16-crown-5(DB16C5)의 유도체들과 금속이온과의 착물형성에 관한 열역학적인 파라미터인 log K, ${\Delta}H$, $T{\Delta}S$를 결정하고, dibenzo-16-crown-5의 유도체들을 운반체로 사용하여 벌크액체막과(bulk liquid membrane, BLM) 지지액체막(supported liquid membrane, SLM) 실험을 통하여 금속이온의 이동현상을 관찰하였다. BLM과 SLM에서 운반체로 DB16C5유도체를 사용했을 때 $Ag^+$ 이온이 많이 이동되었고 다른 금속이온들은 약간 이동된 것으로 관찰되었다. 액체막을 통한 그속이온의 이동에서 중요한 파라미터로 작용하는 인자는 리간드의 구조, 곁가지의 길이, 주개원자의 수와 종류, 안정도상수, 리간드의 농도 등을 들 수 있다.

• 한국정보전자통신기술학회논문지
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• 제11권2호
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• pp.189-194
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• 2018

현재 대부분의 집적회로는 bulk CMOS 기술을 사용해서 제작되고 있으나 전력 소모를 낮추고 die 크기를 줄이기에는 한계점에 도달해있다. 이러한 어려움을 획기적으로 극복할 수 있는 초저전력 기술로서 SOI CMOS 기술이 최근에 크게 각광을 받고 있다. 본 논문에서는 100 nm Thin SOI 기판 위에 제작된 n-채널 MOSFET 소자들의 열전자 효과들의 온도 의존성에 관한 연구 결과들이 논의되었다. 소자들이 LDD 구조를 갖고 있음에도 불구하고 열전자 효과들이 예상보다 더 심각한 것으로 나타났는데, 이는 채널과 기판 접지 사이의 직렬 저항이 크기 때문인 것으로 믿어졌다. 온도가 높을수록 채널에서의 phonon scattering의 증가와 함께 열전자 효과는 감소하였는데, 이는 phonon scattering의 증가는 결과적으로 열전자의 생성을 감소시켰기 때문인 것으로 판단된다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제43회 하계 정기 학술대회 초록집
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• pp.429-429
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• 2012

To investigate the gettering effect of B-doped n-type monocrystalline silicon wafer, we made the p-n junction by diffusing boron into n-type monocrystalline Si substrate and then oxidized the boron doped n-type monocrystalline silicon wafer by in-situ wet and dry oxidation. After oxidation, the minority carrier lifetime was measured by using microwave photoconductance and the sheet resistance by 4-point probe, respectively. The junction depth was analyzed by Secondary Ion Mass Spectrometry (SIMS). Boron diffusion reduced the metal impurities in the bulk of silicon wafer and increased the minority carrier lifetime. In the case of wet oxidation, the sheet resistance value of ${\sim}46{\Omega}/{\Box}$ was obtained at $900^{\circ}C$, depostion time 50 min, and drive-in time 10 min. Uniformity was ~7% at $925^{\circ}C$, deposition time 30 min, and drive-in time 10 min. Finally, the minority carrier lifetime was shown to be increased from $3.3{\mu}s$ for bare wafer to $21.6{\mu}s$ for $900^{\circ}C$, deposition 40 min, and drive-in 10 min condition. In the case of dry oxidation, for the condition of 50 min deposition, 10 min drive-in, and O2 flow of 2000 SCCM, the minority carrier lifetime of 16.3us, the sheet resistance of ${\sim}48{\Omega}/{\Box}$, and uniformity of 2% were measured.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제28권12호
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• pp.852-856
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• 2015

In this study, we investigate the effect of high-energy ball milling on thermoelectric transport properties in double-filled $CoSb_3$ skutterudite ($In_{0.2}Yb_{0.1}Co_4Sb_{12}$). $In_{0.2}Yb_{0.1}Co_4Sb_{12}$ powders are milled using high-energy ball milling for different periods of time (0, 5, 10, and 20 min), and the milled powders are consolidated into bulk samples by spark plasma sintering. Microstructure analysis shows that the high-energy ball milled bulk samples are composed of nano- and micro-grains. Because the filling fractions are reduced in the bulk samples due to the kinetic energy of the high-energy ball milling, the carrier concentration of the bulk samples decreases with the ball milling time. Furthermore, the mobility of the bulk samples also decreases with the ball milling time due to enhanced grain boundary scattering of electrons. Reduction of electrical conductivity by ball milling has a decisive effect on thermoelectric transport in the bulk samples, power factor decreases with the ball milling time.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1997년도 하계학술대회 논문집 C
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• pp.1465-1468
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• 1997

In this study we investigated the aging characteristic such as leakage current, dielectric loss, contact angle, of EPDM for outdoor use by thermal treatment. And also observed the color change of surface, changing of chemical ingredient of the marterials by optical microscope. SEMI, FTIR and EDX at the section and surface. The test result show that leakage current is increased with thermal aging time. contact angle and dielectric loss is slightly decreased. Moreover, micro-void or crack in bulk is severely increased with aging time. However, the result affect to the tan $\delta$ at bulk of EPDM. It seems that carrier sources are removed by degassing with heat treatment.

• Transactions on Electrical and Electronic Materials
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• 제18권1호
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• pp.51-54
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• 2017

TFTs (thin film transistors) were fabricated using a-SIZO (amorphous silicon-indium-zinc-oxide) channel by RF (radio frequency) magnetron sputtering at room temperature. We report the influence of various channel thickness on the electrical performances of a-SIZO TFTs and their stability, using TS (temperature stress) and NBTS (negative bias temperature stress). Channel thickness was controlled by changing the deposition time. As the channel thickness increased, the threshold voltage ($V_{TH}$) of a-SIZO changed to the negative direction, from 1.3 to -2.4 V. This is mainly due to the increase of carrier concentration. During TS and NBTS, the threshold voltage shift (${\Delta}V_{TH}$) increased steadily, with increasing channel thickness. These results can be explained by the total trap density ($N_T$) increase due to the increase of bulk trap density ($N_{Bulk}$) in a-SIZO channel layer.