• 제목/요약/키워드: Built-in Self-Test(BIST)

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ASIC에 실장되는 다중 RAM 모듈 테스트룰 위한 BIST 회로 생성기의 구현 (A Generic BIST Builder of Multiple RAM Modules Embedded in ASIC Chips)

  • 장종권
    • 한국정보처리학회논문지
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    • 제5권6호
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    • pp.1633-1638
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    • 1998
  • ASICDP 내장된 다중 RAM Module의 테스트를 위하여 BIST(Built-In Self Test)기법을 이용한 내장형 다중 RAM Module용 범용 BIST 생성기를 설계하였다. 본 논문에서 제안한 범용 BIST 생성기는 주어진 Embedded RAM 모듈의 사양과 적용되는 테스트 알고리듬에 따라 이에 부합되는 BIST 회로를 VHDL 코드로 자동 생성하는 설계 자동화 도구로서, 각 모듈 단위로 설계되어 회로의 추가 개발 및 재사용이 가능하다. 뿐만 아니라, Serial Interfacing 기법을 사용하여 부가적인 핀 수를 줄였으며, BIST 회로 공유 기법의 도입으로다중 RAM 테스트 시 다양한 사양의 RAM 테스트에 적용이 쉽도록 설계하였다.

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내장형 자체 테스트 패턴 생성을 위한 하드웨어 오버헤드 축소 (Reduction of Hardware Overhead for Test Pattern Generation in BIST)

  • 김현돈;신용승;김용준;강성호
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제40권7호
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    • pp.526-531
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    • 2003
  • 최근 들어, 테스트 시간과 하드웨어의 축소를 위한 많은 내장형 자체 테스트 구조가 연구되고 있다. 대부분의 패턴 생성에 대한 내장형 자체 데스트 구조는 결정 패턴 생성을 위한 것이다. 본 논문에서는 테스트시간과 하드웨어 오버헤드를 줄일 수 있는 새로운 의사 임의 패턴 내장형 자체 테스트 기법을 제안한다 본문에서는 의사 임의 패턴 내장형 자체 테스트 기법의 하드웨어 오버헤드의 축소 가능성에 대한 이론을 간단한 예제와 함께 설명하고 실험 결과를 통해 기존의 방법에 비하여 제안하는 방식을 이용할 경우 하드웨어 오버헤드가 줄어드는 것을 알 수 있으며, 기존의 방법과 제안한 방법의 테스트 시간 비교를 보여 준다.

고집적 메모리의 고장 및 결함 위치검출 가능한 BIST/BICS 회로의 설계 (A design of BIST/BICS circuits for detection of fault and defect and their locations in VLSI memories)

  • 김대익;배성환;전병실
    • 한국통신학회논문지
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    • 제22권10호
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    • pp.2123-2135
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    • 1997
  • 고집적 SRAM을 구성하고 있는 일반적인 메모리 셀을 이용하여 저항성 단락을 MOSFET의 게이트-소오스, 게이트-드레인, 소오스-드레인에 적용시키고, 각 단자에서 발생 가능한 개방 결함을 고려하여 그 영향에 따른 메모리의 자장노드의 전압과 VDD에서의 정전류를 PSPICE 프로그램으로 분석하였다. 해석 결과를 고려하여 메모리의 기능성과 신뢰성을 향상시키기 위해 기능 테스트와 IDDQ 테스트에 동시에 적용할 수 있는 O(N)의 복잡도를 갖는 테스트 알고리즘을 제안하였다. 테스트의 질과 효율을 좀 더 향상시키기 위해 메모리에서 발생되는 고장을 검출하는 BIST 회로와 정전류의 비정상적인 전류의 흐름을 발생시키는 결함을 검출하는 BICS를 설계하였다. 또한 구현한 BIST/BICS 회로는 고장 메모리의 수리를 위해 고장 및 결함의 위치를 검출할 수 있다.

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SDRAM 의 AC 변수 테스트를 위한 BIST구현 (The Implementation of the Built-In Self-Test for AC Parameter Testing of SDRAM)

  • Sang-Bong Park
    • 정보학연구
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    • 제3권3호
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    • pp.57-65
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    • 2000
  • 본 논문에서는 내장된 SDRAM 에 대한 기능 및 AC 변수를 테스트하는 BIST 회로의 알고리듬 및 회로 구현을 기술하였다 제안된 BIST 회로를 사용하여 내장된 SDRAM 의 고장난 비트 셀의 어드레스 위치를 출력시킴으로써 Redundancy 회로 사용에 관한 정좌를 제공하도록 설계하였다. 또 실지 동작 주파수에서의 내장된 SDRAM 의 AC 변수에 대한 테스트를 수행하여 메모리의 오동작이 발생된 경우 어떤 AC 변수가 설계 사양을 벗어나는지를 출력하도록 구현하였다. $0.25\mu\textrm{m}$ 셀 라이브러리를 이용하여 회로 합성하는 경우 전체 게이트 수는 약 4,500 개 정도이고, Verilog 레지스터 전송 언어를 사용하여 설계 및 시뮬레이션을 통하여 검증하였다. 하나의 AC 변수에 대해서 2Y-March 14N 알고리듬으로 테스트하는 경우 100Mhz 동작 주파수에서 테스트 시간은 200ms 정도이다.

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2-패턴 테스트를 고려한 스캔 기반 BIST 구조 (The Scan-Based BIST Architecture for Considering 2-Pattern Test)

  • 손윤식;정정화
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제40권10호
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    • pp.45-51
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    • 2003
  • 본 논문에서는 2-패턴 테스트를 고려한 스캔 기반 BIST 구조를 제안한다. 제안하는 BIST는 STUMPS 구조론 기반으로 하고 있다. STUMPS 구조는 테스트 생성기로 선형 귀환 시프트 레지스터(LFSR)를 사용하고, 응답 압축기로는 다중 입력 시프트 레지스터(MISR), 그리고 다중 스캔 패스 구성에는 시프트 레지스터 래치(SRL)을 사용한다. 제안하는 BIST 구조에서는 degenerate MISR이 SRL 채널을 구성하도록 하여, STUMPS 기법에 비하여 원래 회로에 부가되는 BIST 회로의 크기를 줄이고 전체 시스템의 성능에 거의 영향을 주지 않도록 한다. 클럭 당 테스트와 스캔 당 테스트가 모두 지원되는 구조로 설계되며, 특히 스캔 당 테스트에서 스캔 데이터의 회로에 대한 영향을 억제하여 회로의 전력 소모를 크게 줄일 수 있다. ISCAS 89 벤치마크 회로에 대한 실험 결과로부터, SRL 채널 내 데이터의 해밍 거리를 고려하여 제안된 BIST가 경로 지연 고장의 검출에도 적용될 수 있음을 확인한다.

아날로그-디지털 변환기의 정적 파라미터 테스트를 위한 내장 자체 테스트 방법 (A Built-in Self-Test of Static Parameters for Analog-to-Digital Converters)

  • 김인철;장재원;강성호
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제49권5호
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    • pp.30-36
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    • 2012
  • 본 논문은 천이 검출기를 이용하여 아날로그-디지털 변환기(ADC)의 정적 파라미터를 테스트 하는 내장 자체 테스트 방법을 제안한다. 제안하는 방법은 ADC의 정적 테스트에서 가장 널리 사용되는 히스토그램 방법을 대체할 수 있다. 입력되는 테스트 신호는 상향 램프 신호를 사용하며 오프셋, 게인, INL(Integral Non-Linearity), DNL(Differential Non-Linearity)과 같은 정적 파라미터를 테스트 할 수 있다. 제안하는 방법은 실제 테스트 환경에서 랜덤 노이즈에 의해 발생할 수 있는 천이 구간 문제를 해결할 수 있으며, 테스트 스펙으로 주어지는 오차 허용 범위의 다양한 경우에 대해서 효율적으로 테스트를 수행할 수 있다. 실험 결과는 제안하는 방법이 정적 테스트를 올바르게 수행하는 것과, 기존 방법에 비해 하드웨어 오버헤드가 줄어드는 것을 보여준다.

저전력 BIST를 위한 테스트 스케줄링 (Test Scheduling for Low Power BIST)

  • 배재성;손윤식;정정화
    • 한국정보처리학회:학술대회논문집
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    • 한국정보처리학회 2002년도 춘계학술발표논문집 (상)
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    • pp.635-638
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    • 2002
  • BIST(Built-In Self-Test)를 이용한 테스트 방식은 정상 동작 모드인 회로에 비해 테스트 모드에서 보다 많은 스위칭이 발생하고, 과도한 전력 소모에 의해 회로가 손상을 받을 수 있는 문제점을 갖고 있다. 본 논문은 test-per-clock BIST 구조에서 전력이 제한되어 있을 때 테스트 적용 시간과 총 에너지 소비를 최소화하기 위한 테스트 스케줄링 알고리즘을 제안한다. 제안된 방법은 테스트 세션을 구성함에 있어 각 세션에 포함되는 각 블록의 테스트 시작 시간을 동적으로 결정하여 기존의 알고리즘에 비하여 전력 소모와 전체 테스트 시간을 줄일 수 있다.

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BIST 환경에서의 천이 억제 스캔 셀 구조 (Transition Repression Architecture for scan CEll (TRACE) in a BIST environment)

  • 김인철;송동섭;김유빈;김기철;강성호
    • 대한전자공학회논문지SD
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    • 제43권6호
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    • pp.30-37
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    • 2006
  • 본 논문은 테스트 수행 중 발생하는 전력 소모를 줄이기 위한 변경된 스캔 셀 구조를 제안하고 있다. 이는 스캔 이동 중에 조합 회로 부분에서 발생하는 천이를 억제할 뿐 아니라 동시에 스캔 체인 내에서 발생하는 천이도 감소시킨다. 뿐만 아니라 캡쳐 싸이클에서 발생하는 천이 또한 제한시킨다. 제안하는 방식은 test-per-scan BIST 구조에 적합하고 싱글 스캔 구조 뿐 아니라 멀티 스캔 구조에도 적응 가능하다. 실험 결과는 제안하는 방법이 기존의 방법들과 비슷한 수준의 고장 검출율을 가지면서 보다 적은 전력을 소모한다는 것을 보여준다.

SoC 내장 메모리를 위한 ARM 프로세서 기반의 프로그래머블 BIST (ARM Professor-based programmable BIST for Embedded Memory in SoC)

  • 이민호;홍원기;송좌희;장훈
    • 한국정보과학회논문지:시스템및이론
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    • 제35권6호
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    • pp.284-292
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    • 2008
  • 메모리 기술이 발달함에 따라 메모리의 집적도가 증가하게 되었고, 그에 따라 구성요소들의 크기가 작아지게 되고, 고장의 감응성이 증가하게 되어, 테스트는 더욱 복잡하게 된다. 또한, 칩 하나에 포함되어 있는 저장요소가 늘어남에 따라 테스트 시간도 증가하게 된다. SoC 기술의 발달로 대용량의 내장 메모리를 통합할 수 있게 되었지만, 테스트 과정은 복잡하게 되어 외부 테스트 환경에서는 내장 메모리를 테스트하기 어렵게 되었다. 본 논문은 ARM 프로세서 기반의 SoC 환경에서의 임베디드 메모리를 테스트할 수 있는 프로그램 가능한 메모리 내장 자체 테스트를 제안한다.

순서회로의 Built-In Pseudoexhaustive Test을 위한 테스트 패턴 생성기 및 응답 분석기의 설계 (Design of Test Pattern Generator and Signature Analyzer for Built-In Pseudoexhaustive Test of Sequential Circuits)

  • 김연숙
    • 한국정보처리학회논문지
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    • 제1권2호
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    • pp.272-278
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    • 1994
  • 본 논문에서는 BIST(Built-In Self Test)시 순서회로내의 조합회로를 pseudoexhaustive 시험하는데 필요한 테스트 패턴 생성기와 응답 분석기를 제안한다. 제안하는 테스트 패턴 생성기는 테스트 패턴의 초기값을 스캔 인 할 수 있고, exhaustive test pattern 을 생성할 수 있다. 또한, 응답 분석기는 회로의 응답을 분 석할 수 있을 뿐만 아니라 응답 결과를 스캔 아웃할 수 있다. 이러한 테스트 패턴 생 성기와 응답분석기는 SRL과 LFSR을 결합하여 설계하였다.

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