• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제22권7호
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• pp.580-583
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• 2009

This paper introduces a gate drive IC for power modules with shoot-through immunity. A new approach uses a bootstrap diode as a high-side voltage bias and a level shift function at the same time. Therefore, the gate drive circuit becomes a simple and low-cost without conventional level shift functions such as HVIC(High-Voltage IC), optocoupler and transformer. The proposed gate drive IC is designed and fabricated using the Dongbu-Hitek's 0.35um BD350BA process. It has been tested and verified with IGBT modules.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.81-82
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• 2009

This paper introduces a gate drive IC for power modules with shoot-through immunity. A new approach uses a bootstrap diode as a high-side voltage bias and a level shift function at the same time. Therefore, the gate drive circuit becomes a simple and low-cost without conventional level shift functions such as HVIC(High-Voltage IC), optocoupler and transformer. The proposed gate drive IC is designed and fabricated using the Dongbu-Hitek's 0.35um BD350BA process. It has been tested and verified with IGBT modules.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제22권7호
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• pp.563-566
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• 2009

This paper presents a motor drive IC for automotive applications. The drive IC is dedicated to control and drive external MOSFETs which directly drive 3-phase motor with a high current. In case of driving high-side power switches, the bootstrap topology is widely used. however, it requires three bootstrap diode and three capacitor respectively. And it needs a minimum charging time to maintain high-side voltage. The motor drive IC uses a charge-pump circuit for all three high-side voltage with various protection schemes for automotive applications.

• 한국전기전자재료학회:학술대회논문집
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• 한국전기전자재료학회 2009년도 춘계학술대회 논문집
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• pp.41-42
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• 2009

This paper presents a motor drive IC for automotive applications. The drive IC is dedicated to control and drive external MOSFETs which directly drive 3-phase motor with a high current. In case of driving high-side power switches, the bootstrap topology is widely used. However, it requires three bootstrap diode and three capacitor respectively. And it needs a minimum charging time to maintain high-side voltage. The motor drive IC uses a charge-pump circuit for all three high-side voltage with various protection schemes for automotive applications.

• 전력전자학회:학술대회논문집
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• 전력전자학회 2015년도 전력전자학술대회 논문집
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• pp.485-486
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• 2015

This paper introduces the new 1200V $SPM^{(R)}$ (Smart Power Module), which is fully optimized and intelligent integrated IGBT inverter modules for up to 6kW motor drive applications. It utilizes newly developed NPT trench IGBT with the advanced STEALTHTM freewheeling diode, and built-in bootstrap diode. HVICs, multi-function LVIC, and built-in thermistor provide good reliable characteristics for the entire system. This module also takes technical advantage of DBC(Direct Bonded Copper) substrate for the better thermal performance. This paper provides an overall description of the newly developed 1200V/35A $SPM^{(R)}$ 2 product.

• 전기전자학회논문지
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• 제24권3호
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• pp.803-813
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• 2020

본 논문에서는 싱글칩 마이크로컨트롤러를 이용한 고효율 공진형 플라이백 전력변환기를 제안한다. 제안한 전력변환기의 1차측은 하프브리지의 전력구조에 비대칭펄스폭변조(APWM : Asymmetrical Pulse-Width Modulation)을 적용하여 공진형 스위칭을 수행한다. 그리고 2차측은 다이오드 플라이백정류기 전력구조를 이용하고 영전류스위칭(ZCS : Zero Current Switching)으로 동작한다. 그리하여 제안한 컨버터는 고효율을 달성한다. 제안한 컨버터는 제어와 구동을 위하여 싱글칩 마이크로컨트롤러와 부트스랩 회로를 각각 이용하므로 전체적 구조가 매우 간단하다. 본 논문에서는 먼저, 제안한 전력변환기의 전력회로의 동작을 동작모드 별로 설명하고 정상상태 해석을 보인다. 그리고 제안한 전력변환기를 동작시키는 소프트웨어 제어 알고리즘과 구동회로에 관하여 설명하며, 그 후 각 설명에 근거하여 제작된 프로토타입의 실험결과를 통하여 제안한 전력변환기의 동작 특성을 보인다.

• 전기전자학회논문지
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• 제25권3호
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• pp.517-527
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• 2021

본 논문에서는 단일칩 마이컴을 이용한 위상변위 방식 직류-직류 전력변환기를 제안한다. 제안한 전력변환기의 1차측은 위상변위 방식에 의하여 단극성 펄스폭변조(unipolar PWM)로 동작하는 풀브리지 전력구조이며, 2차측은 4개의 다이오드로 구성된 풀브리지 전파정류기이다. 제안한 전력변환기의 제어는 단일칩 마이컴에 의해 수행되고, 그 MOSFET 스위치들은 부트스트랩 회로에 의해 구동된다. 그래서 전력변환기의 전체 시스템은 간단하다. 제안한 전력변환기는 공진회로와 저지커패시터를 이용하여 고효율을 달성한다. 본 논문에서는 먼저, 제안한 전력변환기의 전력회로의 동작을 각 동작모드를 따라 설명한다. 그리고 제안한 전력변환기의 전력회로 설계방식을 보이고 제안한 전력변환기를 동작시키는 마이컴 상의 소프트웨어 제어 알고리즘과 피드백 및 스위치 구동 회로에 관하여 간략히 설명한다. 그 후, 본 논문에서 제시한 설계와 구현방식에 의하여 설계하고 제작된 시제품 전력변환기의 실험결과를 통하여 제안한 전력변환기의 동작 특성을 입증한다. 실험결과에서 약 92% 정도의 최고 효율을 얻었다.