• 제목/요약/키워드: Body diode

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Schottky Body Diode를 집적하여 향상된 Reverse Recovery 특성을 가지는 50V Power MOSFET (50V Power MOSFET with Improved Reverse Recovery Characteristics Using an Integrated Schottky Body Diode)

  • 이병화;조두형;김광수
    • 전기전자학회논문지
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    • 제19권1호
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    • pp.94-100
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    • 2015
  • 본 논문에서는 U-MOSFET 내부의 기생 body 다이오드(PN diode)를 쇼트키 body 다이오드(Schottky body diode)로 대체한 50V급 전력 U-MOSFET을 제안하였다. 쇼트키 다이오드는 PN 다이오드와 비교 시, 역 회복 손실(reverse recovery loss)을 감소시킬 수 있는 장점을 가지고 있다. 따라서 전력 MOSFET의 기생 body 다이오드를 쇼트키 body 다이오드를 대신함으로써 역 회복 손실을 최소화 할 수 있다. 제안된 쇼트키 body 다이오드(Schottky body diode) U-MOSFET(SU-MOS)를 conventional U-MOSFET(CU-MOS)와 전기적 특성을 비교한 결과, 전달(transfer) 및 출력(output)특성, 항복(breakdown)전압 등 정적(static) 특성의 변화 없이 감소된 역 회복 손실을 얻을 수 있었다. 즉, 쇼트키 다이오드의 폭(width)이 $0.2{\mu}m$, 쇼트키 장벽 높이(Schottky barrier height)가 0.8eV일 때 첨두 역전류(peak reverse current)는 21.09%, 역 회복 시간(reverse recovery time)은 7.68% 감소하였고, 성능지수(figure of merit(FOM))는 35% 향상되었다. 제안된 소자의 특성은 Synopsys사의 Sentaurus TCAD를 사용하여 분석되었다.

Diode and MOSFET Properties of Trench-Gate-Type Super-Barrier Rectifier with P-Body Implantation Condition for Power System Application

  • Won, Jong Il;Park, Kun Sik;Cho, Doo Hyung;Koo, Jin Gun;Kim, Sang Gi;Lee, Jin Ho
    • ETRI Journal
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    • 제38권2호
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    • pp.244-251
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    • 2016
  • In this paper, we investigate the electrical characteristics of two trench-gate-type super-barrier rectifiers (TSBRs) under different p-body implantation conditions (low and high). Also, design considerations for the TSBRs are discussed in this paper. The TSBRs' electrical properties depend strongly on their respective p-body implantation conditions. In the case of the TSBR with a low p-body implantation condition, it exhibits MOSFET-like properties, such as a low forward voltage ($V_F$) drop, high reverse leakage current, and a low peak reverse recovery current owing to a majority carrier operation. However, in the case of the TSBR with a high p-body implantation condition, it exhibits pn junction diode.like properties, such as a high $V_F$, low reverse leakage current, and high peak reverse recovery current owing to a minority carrier operation. As a result, the TSBR with a low p-body implantation condition is capable of operating as a MOSFET, and the TSBR with a high p-body implantation condition is capable of operating as either a pn junction diode or a MOSFET, but not both at the same time.

OLP 시뮬레이터 기반의 다이오드 레이저 열처리 로봇시스템 개발 (Development of the Diode Laser Heat Treatment Robot System Based on OLP Simulator)

  • 박기진;윤성호
    • 한국기계가공학회지
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    • 제14권5호
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    • pp.8-14
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    • 2015
  • Heat treatment for car body molds is mainly a manual process performed by a worker. The performance of this process is affected by workers' skill level, and has limitation in maintaining uniform product quality. In this study, we developed a diode laser heat treatment robot system that implements an OLP type simulator to overcome the limitation of manual process, and to improve and stabilize the quality level. In addition, we verified the efficiency of the robot system and mechanism stability from the early stage through design verification and simulated analysis in the development stage. In addition, we carried out a field test to study the way to establish optimized D/B for diode laser heat treatment criteria for car body molds, such as heat treatment speed, interval, etc. via site experiment.

Highly Efficient High-Voltage MOSFET Converter with Bidirectional Power Flow Legs

  • Ryu, Hyung-Min
    • Journal of Power Electronics
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    • 제14권2호
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    • pp.265-270
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    • 2014
  • In terms of power loss, a MOSFET has two advantages over an IGBT with an antiparallel diode: purely resistive without an offset voltage in conduction and no tail current at turn-off. However, the reverse recovery characteristic of the body diode is so poor that MOSFETs have not yet been available for high-voltage power converters with bidirectional power flow legs. This paper introduces how MOSFETs can be fully applied to high-voltage power converters with bidirectional power flow legs in order to achieve high efficiency. With a bidirectional DC-DC converter with one leg as the simplest example, the basic circuit topology and operating principle are described in detail. The high efficiency and stable operation of the proposed converter are validated through experiments with a 1.5 kW prototype.

전신방사선조사(TBI)시 다이오드 측정기(Diode detector) 및 열형광선량계(TLD)를 이용한 골조직 선량감쇄에 대한 고찰 (A study on dose attenuation in bone density when TBI using diode detector and TLD)

  • 임현실;이정진;장안기;김완선
    • 대한방사선치료학회지
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    • 제15권1호
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    • pp.67-77
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    • 2003
  • I. 목적 전신방사선조사(TBI)시 균등한 선량을 조사할 목적으로 사용되는 각 신체부위별 보상체(compensator) 두께의 결정은 열형광선량계(TLD)를 이용하여 표면선량(surface dose)를 측정하고, 심부선량(depth dose)으로 환산하는 방법을 주로 이용한다. 그러나 이와 같은 방법은 골(bone) 조직에 대한 선량감쇄(dose attenuation)의 영향이 고려되지 않아 신체중심부에서의 정확한 심부선량을 알 수가 없다. 이에 본 연구에서는 열형광선량계와 다이오드측정기(Diode detector)로 표면선량과 심부선량을 동시에 측정하여 골조직에서의 선량감쇄 영향을 알아보고자 한다. II. 대상 및 방법 실험은 본원에서 TBI 치료를 받은 5명의 환자를 대상으로 실시하였으며, 측정장비로는 Siemens Mevatron 10MV X-ray, TLD(Harshaw 5500), Diode detector(Sun Nuclear)를 사용하였다. 선량 조사방법은 복부의 배꼽(umblicus)를 중심으로 하여 이문대향법(Bilateral)으로 150cGy가 조사되도록 하였다. 측정방법은 열형광선량계로 두부, 경부, 대퇴부, 슬관절, 족관절, 부위의 표면선량을 측정하였으며, 이 가운데 대퇴부, 슬관절, 족관절에서는 중심부 선량측정이 가능하여 동시에 심부선량을 측정하였다. 또한 실험대상자 중 3명의 환자는 상기와 같은 부위(두부, 경부, 대퇴부, 슬관절, 족관절)에 다이오드측정기로 심부선량을 측정하였다. III. 결과 TLD로 측정한 표면선량을 심부선량으로 환산한 값은 두부, 경부, 대퇴부, 슬관절, 족관절에서 각각 $92.78{\pm}3.3,\;104.34{\pm}2.3,\;98.03{\pm}1.4,\;99.9{\pm}2.53,\;98.17{\pm}0.56$ 이었고, 중심부 심부선량 측정이 가능한 대퇴부, 슬관절, 족관절에서는 각각 $86{\pm}1.82,\;93.24{\pm}2.53,\;91.50{\pm}2.84$로 나타났다. 따라서 표면선량과 중심부 심부선량 비교가 가능한 대퇴부, 슬관절, 족관절에서의 TLD의 측정치를 비교해보면 부위에 따라 최소 $6.67\%{\sim}$ 최대 $11.65\%$까지 골조직에 의한 선량감소가 나타나는 것을 알 수가 있다. 또한, Diode detector로 측정한 심부선량 값은 두부, 경부, 대퇴부, 슬관절, 족관절에서 각각 $95.23{\pm}1.18,\;98.33{\pm}0.6,\;93.5{\pm}1.5,\;87.3{\pm}1.5,\;86.90{\pm}1.16$으로 나타났으며, TLD로 측정한 대퇴부, 슬관절, 족관절에서의 표면선량과 비교했을 때 부위에 따라 최소 $4.53\%{\sim}$ 최대 $12.6\%$ 까지 차이를 보였다. 그리고 골조직에 의한 선량감쇄의 영향이 적은 복부(배꼽)에서는 열형광선량계 및 다이로드측정기로 측정한 값이 각각 $101.58{\pm}0.95,\;104.77{\pm}1.18$로 큰 차이가 없었다. IV 결론 전신방사선조사시 표면선량을 측정하여 심부선량으로 환산한 값은 골조직의 감쇄영향을 고려하지 못하므로 다이로드측정기(Diode detector) 또는 열형광선량계(TLD)로 중심부선량을 직접 측정하는 것이 중요하다. 그러나 중심부의 심부선량을 직접 측정할 수 없을 경우에는 골조직의 감쇄영향을 고려하여 복부배꼽에서의 선량보다 $5\%{\sim}10\%$ 정도의 선량이 초과 조사되도록 보상물질의 두께를 적절하게 조절하는 것이 필요할 것으로 사료된다.

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InGaAlP 레이저다이오드를 적용한 Rat의 착상 치유에서 면역조직화학적 연구 (A Study on the Immunohistology in Injury Cure of Rat by using InGaAlP Laser Diode)

  • 유성미;박용필;천민우
    • 한국전기전자재료학회논문지
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    • 제22권5호
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    • pp.431-435
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    • 2009
  • The apparatus has been fabricated using the laser diode and microprocessor unit. The apparatus used a InGaAlP laser diode for laser medical therapy and was designed for a pulse width modulation type to increase stimulation effects. To raise the stimulus effect of the human body, the optical irradiation frequency could be set up. The study has executed in-vivo experiment by employing our own developed laser diode irradiation system to investigate the effects of the InGaAlP laser diode irradiation on the wound healing as a preliminary study aimed at the application of InGaAlP laser diode to wound healing of human skin injury. The study cut out whole skin layers of Sprague-Dawley rat on the back part in 1 cm circle and observed developing effects after executing light irradiation for 9 days, and in result it is found that the light irradiation rat showed earlier wound healing than non-irradiation rat during the experimental period. In addition, there are some differences found regarding the healing process between laser diode irradiated rats and non-irradiated ones.

Correction of Dose Distribution at Total Body Irradiation using Compensator

  • 김종식;조현상;김영곤;조정근;주상규;박영환
    • 대한방사선치료학회지
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    • 제9권1호
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    • pp.87-93
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    • 1997
  • The using of compensator is required to adjust the irregular dose distribution due to irregular thickness of the body in Total Body Irradiation. Aluminuim, copper or lead is generally used as compensator. In our study, we would like to introduce a result of the attenuation and compensation effect of radiation use compensator made by duralumin and its clinical use. The thickness of compensator was calculated by the attenustion of radiation, which was measured by polystyrene phantom and ionization chamber(farmer). The compensation effect of radiation was measured by diode detector. All of conditions were set as in real treatment, and the distanc from source to detector was 446 cm. We also made fixation of device to easily attach the compensator to LINAC. Beam spoiler was menufactured and placed on the patient to irradiate sufficient dose to the skin. diode detector were placed on head, neck, chest, umbilicus. pelvis and knee with each their entranced exit points, and datas of dose distribution were evaluated and compared in each points for eleven patients(Feb. 96-Feb. 97). The attenuation rate of irradiation by duralumin compensator was measured as $1.4\%$ in 2mm thickness. The mean attenuation rate was $1.3\%$ per 2mm as increasing the thickness gradually to 50 mm. By using duralunim compensator, dose distribution in each points of body was measured with ${\pm}2.8\%$ by diode detectior. We could easily calculate the thickness of compensator by measuring the attenuation rate of radiation, remarkably reduce the irragularity of dose distribution duo to the thickness of body and magnify the effect of radiation therapy.

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Structure Optimization of ESD Diodes for Input Protection of CMOS RF ICs

  • Choi, Jin-Young
    • JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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    • 제17권3호
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    • pp.401-410
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    • 2017
  • In this work, we show that the excessive lattice heating problem due to parasitic pnp transistor action in the diode electrostatic discharge (ESD) protection device in the diode input protection circuit, which is favorably used in CMOS RF ICs, can be solved by adopting a symmetrical cathode structure. To explain how the recipe works, we construct an equivalent circuit for input human-body model (HBM) test environment of a CMOS chip equipped with the diode protection circuit, and execute mixed-mode transient simulations utilizing a 2-dimensional device simulator. We attempt an in-depth comparison study by varying device structures to suggest valuable design guidelines in designing the protection diodes connected to the $V_{DD}$ and $V_{SS}$ buses. Even though this work is based on mixed-mode simulations utilizing device and circuit simulators, the analysis given in this work clearly explain the mechanism involved, which cannot be done by measurements.

CMOS 이미지 센서용 NMOS-Diode eFuse OTP 설계 (Design of an NMOS-Diode eFuse OTP Memory IP for CMOS Image Sensors)

  • 이승훈;하판봉;김영희
    • 한국정보통신학회논문지
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    • 제20권2호
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    • pp.306-316
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    • 2016
  • 본 논문에서는 프로그램 선택 소자는 채널 폭이 큰 NMOS (N-channel MOSFET) 트랜지스터 대신 DNW (Deep N-Well) 안에 형성된 채널 폭이 작은 isolated NMOS 트랜지스터의 body인 PW (P-Well)과 source 노드인 n+ diffusion 영역 사이에 형성된 기생하는 접합 다이오드를 사용하는 NMOS-Diode eFuse OTP (One-Time Programmable) 셀을 제안하였다. 제안된 eFuse OTP 셀은 프로그램 모드에서 NMOS 트랜지스터에 형성되는 기생하는 접합 다이오드를 이용하여 eFuse를 blowing 시킨다. 그리고 읽기 모드에서는 접합 다이오드를 이용하는 것이 아니고 NMOS 트랜지스터를 이용하기 때문에 다이오드의 contact voltage 강하를 제거할 수 있으므로 '0' 데이터에 대한 센싱불량을 제거할 수 있다. 또한 읽기 모드에서 채널 폭이 작은 NMOS 트랜지스터를 이용하여 BL에 전압을 전달하므로 OTP 셀의 blowing되지 않은 eFuse를, 통해 흐르는 읽기 전류를 $100{\mu}A$ 이내로 억제하여 blowing되지 않은 eFuse가 blowing되는 문제를 해결할 수 있다.

고출력다이오드레이저를 이용한 금형의 레이저열처리 기술 (Temperature Controlled Laser Hardening with High Power Diode Laser)

  • Hoffmann, Peter;Dierken, Roland;Endress, Thomas
    • 열처리공학회지
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    • 제20권4호
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    • pp.203-208
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    • 2007
  • 고출력 다이오드레이저(High Power Diode Laser, HPDL)는 독일을 중심으로 한 유럽내의 여러 국가에서 적용분야를 점차 높여가고 있으며, 금속소재에 있어서의 높은 흡수율 및 발진장치의 높은 에너지 변환효율이 중요한 요인이라고 할 수 있다. 레이저소스로부터 출력되는 사각형 또는 라인형의 레이저-빔은 다이오드레이저를 이용한 금속의 열처리분야에 매우 적합하며, 이미 Body-in-White 차체(Car Body) 양산라인의 브레이징 공정에는 수 년 전부터 실제 적용되어왔다. 또한, 다양한 빔 형상, 균일한 에너지 밀도, 낮은 운전비용, 간단한 유지보수, 좁은 설치공간, 손쉽게 이동이 가능한 구조, 광케이블을 이용한 레이저-빔의 전송 등 여러 장점으로 인하여 보다 유연하고 효과적인 생산환경을 구축할 수 있다는 것 또한 다이오드레이저의 응용분야를 확대하는 요인이 되었다.