• 제목/요약/키워드: Bias power effect

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F급 전력증폭기의 출력 전력 불확도에 대한 DC 영향 분석 및 최적 바이어스 조건 도출에 관한 연구 (Analysis on the Propagated Uncertainty of Output Power of Class-F Power Amplifiers from DC Biasing and Its Optimization)

  • 박영철;윤회진
    • 한국전자파학회논문지
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    • 제25권2호
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    • pp.183-188
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    • 2014
  • 본 논문은 F급 무선 전력증폭기의 설계에 있어 바이어스 전압의 불확도가 출력 전력에 미치는 영향을 분석하고, 이를 최소화하는 바이어스 조건을 도출하였다. 이를 위하여 불확도 전파이론을 활용하여 전력증폭기의 출력 전력에 대한 드레인 및 게이트 바이어스 공급 전압의 불확도가 전파되는 영향에 대하여 이론적인 해석 및 측정 민감도에 대해 분석하였으며, 1.9 GHz에서 동작하는 F급 전력증폭기 회로에서의 전력 불확도에 대한 이론적, 실험적 분석 방법을 제시하였다. 더불어, 증폭기의 성능을 유지하면서 출력 불확도를 최소화하기 위한 최적의 바이어스 조건을 도출하였다. 그 결과, 1.17 W 출력 전력에 대한 전원 공급 장치의 전압 불확도는 바이어스 조건에 따라 약 15~65 mW의 영향을 미치는 것으로 파악되었으며, 최적 바이어스 조건으로 측정할 경우 출력 전력은 0.37 dB 감소하는 반면에 출력 불확도는 15 mW 이하로 감소시킬 수 있음을 확인하였다.

기판 바이어스 DC 전원의 종류와 반응가스 분압비가 3성분계 B-C-N 코팅막의 합성과 마찰 특성에 미치는 영향 (Effects of DC Substrate Bias Power Sources and Reactant Gas Ratio on Synthesis and Tribological Properties of Ternary B-C-N Coatings)

  • 정다운;김두인;김광호
    • 한국표면공학회지
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    • 제44권2호
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    • pp.60-67
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    • 2011
  • Ternary B-C-N coatings were deposited on Si(100) wafer substrate from $B_4C$ target by RF magnetron sputtering technique in $Ar+N_2+CH_4$ gas mixture. In this work, the effect of reactant gas ratio, $CH_4/(N_2+CH_4)$ on the composition, kinds and amounts of bonding states comprising B-C-N coatings were investigated using two different bias power sources of continuous and unipolar DCs. In addition, the tribological properties of coatings were studied with the composition and bonding state of coating. It was found that the substrate bias power had an effect on chemical composition, and all of the obtained coatings were nearly amorphous. Main bonding states of coatings were revealed from FTIR analyses to be h-BN, C-C, C-N, and B-C. The amount of C-C bonging mainly increased with increase of the reactant gas ratio. From our studies, both C-C and h-BN bonding states improved the tribological properties but B-C one was found to be harmful on those. The best coating from tribological points of view was found to be $BC_{1.9}N_{2.3}$ composition.

A 12.5-Gb/s Optical Transmitter Using an Auto-power and -modulation Control

  • Oh, Won-Seok;Park, Kang-Yeob;Im, Young-Min;Kim, Hwe-Kyung
    • Journal of the Optical Society of Korea
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    • 제13권4호
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    • pp.434-438
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    • 2009
  • In this paper, a 12.5-Gb/s optical transmitter is implemented using 0.13-${\mu}m$ CMOS technology. The optical transmitter that we constructed compensates temperature effects of VCSEL (Vertical cavity surface emitting laser) using auto-power control (APC) and auto-modulation control (AMC). An external monitoring photodiode (MPD) detects optical power and modulation. The proposed APC and AMC demonstrate 5$\sim$20-mA of bias-current control and 5$\sim$20-mA of modulation-current control, respectively. To enhance the bandwidth of the optical transmitter, an active feedback amplifier with negative capacitance compensation is exploited. The whole chip consumes only 140.4-mW of DC power at a single 1.8-V supply under the maximum modulation and bias currents, and occupies the area of 1280-${\mu}m$ by 330-${\mu}m$ excluding bonding pads.

A Model of the Operator Cognitive Behaviors During the Steam Generator Tube Rupture Accident at a Nuclear Power Plant

  • Mun, J.H.;Kang, C.S.
    • Nuclear Engineering and Technology
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    • 제28권5호
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    • pp.467-481
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    • 1996
  • An integrated framework of modeling the human operator cognitive behavior during nuclear power plant accident scenarios is presented. It incorporates both plant and operator models. The basic structure of the operator model is similar to that of existing cognitive models, however, this model differs from those existing ones largely in too aspects. First, using frame and membership function, the pattern matching behavior, which is identified as the dominant cognitive process of operators responding to an accident sequence, is explicitly implemented in this model. Second, the non-task-related human cognitive activities like effect of stress and cognitive biases such as confirmation bias and availability bias, are also considered. A computer code, OPEC is assembled to simulate this framework and is actually applied to an SGTR sequence, and the resultant simulated behaviors of operator are obtained.

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하이브리드 바이어스 네트워크가 적용된 W대역 60-nm GaN pHEMT 전력 증폭기 (W-Band Power Amplifier with Hybrid Bias Network Using 60-nm GaN pHMET Process)

  • 유진호;이재용;장성진;정하연;김기철;최증원;박주만;박창근
    • 전기전자학회논문지
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    • 제26권1호
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    • pp.77-82
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    • 2022
  • 본 논문에서는 바이어스 네트워크가 W 대역 전력증폭기의 성능에 미치는 영향을 고찰 하였다. 기존의 RC 및 방사형 스터브 네트워크의 성능을 살펴보고, W 대역 적용을 위하여 하이브리드 네트워크를 제안하고 그 성능을 확인 하였다. 이를 검증하기 위하여 60-nm GaN pHEMT 공정을 이용하여 W 대역 전력증폭기를 설계하였다. 하이브리드 네트워크를 적용 할 경우 전력증폭기는 전주파수 대역에서 안정도가 개선되었으며, 동작 주파수 87 GHz부터 93 GHz에서 전력이득 약 9 dB를 확보하였으며, 최고 PAE는 출력전력 26.7 dBm에서 약 12.3%로 확인 되었다.

차세대 이동통신용 고효율, 저전력 VCO에 관한 연구 (A study on high efficiency and low poorer Voltage Controlled Oscillator for International Mobile Telecommunication)

  • 박택진;박준식;박재두
    • 한국컴퓨터정보학회논문지
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    • 제7권3호
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    • pp.109-114
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    • 2002
  • 본 연구에서는 기존의 Colpitts VCO에서 바이어스 저항에 의한 성능 저하문제를 간단한 트랜지스터의 모델을 사용하여 분석하고, 발진기의 성능을 저하시키는 바이어스 저항의 영향을 제거하는 새로운 구조를 제시한다. 또한 이를 이용하여 차세대 이동통신용 소형, 저 전력 VCO를 설계하고 제작하였다.

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금속 접촉 저항에 대한 RF 식각 조건의 영향 (Effect of RF Etch Conditions on Metal Contact Resistance)

  • 김도우;정철모;구경완;왕진석
    • 대한전기학회논문지:전기물성ㆍ응용부문C
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    • 제51권4호
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    • pp.147-151
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    • 2002
  • The resistances of metal2 contact to metall and poly Si are checked by various RF etch conditions in terms of pre-cleaning. The changes of resistance are evaluated by statistical analysis method(SAS) for the AC bias power, coil power and RF target. The contact area on poly Si is shown by TEM image and the distributions of contact resistance according to ar etch target and RTP are investigated. The RTP groups have larger variations than normal RF etch targets. When the RF etch target becomes lower and coil power becomes higher, the resistances of metal2 contact to metals and poly Si have lower contact resistance. But the condition of AC bias power did not satisfied low meta12 contacts resistance for metall and poly Si simultaneously. The R-square of ststistical analysis was 0.98 for resistances of meta12 contact to poly Si and 0.87 for resistances of meta12 contact to metall.

The effect of negative bias stress stability in high mobility In-Ga-O TFTs

  • Jo, Kwang-Min;Sung, Sang-Yun;You, Jae-Lok;Kim, Se-Yun;Lee, Joon-Hyung;Kim, Jeong-Joo;Heo, Young-Woo
    • 한국표면공학회:학술대회논문집
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    • 한국표면공학회 2013년도 춘계학술대회 논문집
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    • pp.154-154
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    • 2013
  • In this work, we investigated the characteristics and the effects of light on the negative gate bias stress stability (NBS) in high mobility polycrystalline IGO TFTs. IGO TFT showed a high drain current on/off ratio of ${\sim}10^9$, a field-effect mobility of $114cm^2/Vs$, a threshold voltage of -4V, and a subthresholdslpe(SS) of 0.28V/decade from log($I_{DS}$) vs $V_{GS}$. IGO TFTs showed large negative $V_{TH}$ shift(17V) at light power of $5mW/cm^2$ with negative gate bias stress of -10V for 10000seconds, at a fixed drain voltage ($V_{DS}$) of 0.5V.

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카본 박막의 미세조직에 미치는 HiPIMS 공정조건의 영향 (The Effect of HiPIMS Conditions on Microstructure of Carbon Thin Film)

  • 양재웅
    • 한국응용과학기술학회지
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    • 제34권4호
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    • pp.1017-1024
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    • 2017
  • HiPIMS(High Power Impulse Magnetron Sputtering)를 이용하여 탄소 박막을 증착하였다. 파워, 압력, 바이어스 전압, duty cycle에 따른 탄소 박막의 특성과 미세조직을 조사하였다. HiPIMS 파워가 증가할수록 증착 두께는 증가하였으며 표면이 거칠어지는 경향을 보였다. 압력의 증가 또한 표면이 거칠어지는 경향을 보였으나 증착 두께는 압력에 비례하지 않았다. 바이어스 전압이 증가함에 따라 조도가 나빠졌고 증착 두께는 증가하다가 임계 바이어스 전압부터는 감소하는 경향을 보였다. 듀티 사이클의 변화는 아크 발생과 같은 문제를 유발했으며 이는 챔버 구조나 타겟의 크기 등에 영향을 받는다. XPS로 $sp^2/sp^3$ 분율을 확인하였으며 $sp^2/sp^3$ 분율이 DC 스퍼터링의 경우보다 HiPIMS의 경우가 더 큰 것을 확인하였다.

ITiO 박막의 morphology에 미치는 기판바이어스 전압 효과 (Effect of substrate bias voltage on the morphology of ITiO thin film)

  • 카오미드;김태우;성열문;박차수;곽동주
    • 대한전기학회:학술대회논문집
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    • 대한전기학회 2011년도 제42회 하계학술대회
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    • pp.1461-1462
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    • 2011
  • In this paper, in order to obtain the excellent transparent conducting film with low resistivity and high optical transmittance for dye sensitized solar cell, ITiO thin films were deposited on Corning glass substrate by rf magnetron sputtering method. The effects of the discharge power and gas pressure on the electrical and optical properties were investigated experimentally. Particularly in order to lower the electrical resistivity, the effect of heat treatment and bias voltage on the morphological properties of ITiO thin film were also studied and discussed. The concentration ratio (%) for In, Ti, and O was 27 : 2 : 42. The electrical resistivity of $2{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$ and 90% of optical transmittance were obtained under the conditions of 5mTorr of gas pressure, 300W of discharge power, $300^{\circ}C$ of substrate temperature.

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