• 한국위성정보통신학회논문지
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• 제12권4호
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• pp.115-119
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• 2017

상호변조왜곡은 원신호의 S/N도 악화시키고 인접채널에도 간섭 영향을 미친다. 상호변조왜곡은 전력증폭기의 비선형 특성에 의해서 주로 발생된다. 비선형 특성을 갖는 전력증폭기가 메모리 효과를 갖는다면 전력증폭기에서 발생되는 상호변조왜곡은 다양하고 복잡한 형태로 발생된다. 상호변조왜곡을 개선하는 방법으로 전치왜곡기가 주로 사용된다. 전치왜곡기의 성능을 충분하게 활용하기 위해서는 전력증폭기가 갖는 메모리 효과를 줄여야 한다. 본 논문에서는 전력증폭기에서 발생하는 메모리 효과를 줄이기 위한 바이어스 회로의 설계 방법에 대해서 기술하였다. 메모리 효과를 줄이기 위해서 바이어스 회로는 신호에 대해서는 높은 임피던스를 가져야 하며, 포락선(변조신호)에 대해서는 낮은 임피던스를 가져야 한다. 더불어 신호의 2차 고조파에 대해서도 낮은 임피던스를 가져야 한다. 메모리 효과를 고려해서 설계한 바이어스 회로의 성능을 확인해 보기 위해서 170 ~ 220MHz에서 동작하는 전력증폭기를 설계 및 구현하였다. 전력증폭기에 적용한 바이어스 회로는 동작주파수 대역에서 큰 임피던스를 가지며, 포락선 신호와 신호의 2차 고조파에서는 낮은 임피던스를 갖는다. 성능 측정결과 비대칭적으로 발생되는 상호변조왜곡 성분이 3.7dB 개선됨을 알 수 있었다.

• 한국진공학회:학술대회논문집
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• 한국진공학회 2012년도 제42회 동계 정기 학술대회 초록집
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• pp.492-492
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• 2012

RF biased inductively coupled plasma (ICP) has been widely used in various semiconductor etching processes and laboratory plasma researches. However, almost researches for the RF bias have been focused on the controls of dc self-bias voltages, even though the RF bias can change plasma parameters, such as electron temperature, plasma density, electron energy distribution (EED), and their spatial distributions. In this study, we report on the effect of the RF bias on the plasma parameters and the EEDs with various external parameters, such the RF bias power, the ICP power, the gas pressure, the gas mixture, and the frequency of RF bias. Our study shows the correlation between the RF bias and the plasma parameters and gives a crucial key for the understanding of collisionless electron heating mechanism in the RF biased ICP.

• 한국항행학회논문지
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• 제13권3호
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• pp.358-364
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• 2009

본 논문에서는 설계된 전력증폭기에서 가변 바이어스 기법을 이용하면 전력부가효율을 증가시킬 수 있다는 것을 보였다. 서로 다른 출력전력을 갖는 이중 모우드에서 높은 효율을 얻기 위하여 가변 바이어스 기법을 이용하고 바이어스 변화에 따른 영향을 시뮬레이션 하였다. 게이트 전압을 고정하고 드레인 바이어스를 시뮬레이션으로 최적값을 구하여 이를 변화하여 전력증폭기의 효율을 향상시킬 수 있었다. 또한 전력증폭기의 비선형 특성을 분석하고 디지털 사전왜곡 기법을 이용하여 이중 대역 증폭기의 송신기의 ACPR 특성을 최대 10dB 개선되었다.

• 대한전자공학회논문지TC
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• 제44권3호
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• pp.1-6
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• 2007

와이브로 및 무선랜 이중 대역 이중 모우드 송신기에서 전력부가효율을 증가시킬 수 있는 바이어스 스위칭 기술을 제시한다. 서로 다른 주파수 대역과 출력을 갖는 송신기에서 높은 효율을 얻을 수 있는 기법으로 바이어스 스위칭을 제안하고 드레인과 게이트 바이어스의 변화에 따른 영향을 각각 시뮬레이션 하였다. 바이어스 스위칭을 적용하지 않은 경우의 전력부가효율에 비해 시뮬레이션 된 최적의 고정 게이트 바이어스를 공급하고 드레인 바이어스 스위칭을 한 경우 매우 개선된 전력 효율 특성을 얻을 수 있었다 이러한 드레인 및 게이트 바이어스 스위칭 기술은 다양한 기능을 필요로 하는 다중 모우드 통신 시스템에 유용할 것이다.

• 한국진공학회지
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• 제21권3호
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• pp.121-129
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• 2012

진공을 기초로 한 극판 전력이 인가된 유도 결합 플라즈마 소스에 관한 대부분의 연구는 자기 바이어스 효과에만 한정되어 있으며, 다양한 반도체 및 디스플레이 식각 공정에서 공정 결과와 소자 품질에 결정적인 역할을 하는 플라즈마 변수들(전자 온도, 플라즈마 밀도)과 극판 전력의 상관관계에 대한 연구는 거의 없는 실정이다. 본 연구에서는 극판 전력이 플라즈마 변수에 미치는 영향에 관한 내용을 다루고 있으며, 최근의 연구 결과에 대한 리뷰를 포함하고 있다. 플라즈마 밀도는 극판 전력 인가에 의하여 감소 또는 증가하였으며, Fluid global model에 의한 결과와 잘 일치하는 경향을 보였다. 전자 온도는 RF 바이어스에 의하여 증가하였으며, 전자 에너지 분포 측정을 통하여 전자 가열 메커니즘을 관찰하였다. 또한, 플라즈마 밀도의 공간 분포는 극판 전력에 의하여 더욱 균일해짐을 알 수 있었다. 이러한 극판 전력과 플라즈마 변수들의 상관관계와 전자 가열 메커니즘에 대한 연구는 방전 특성의 물리적 이해뿐만 아니라, 반도체 식각 공정에서 소자 품질 및 공정 개선을 위한 최적의 방전조건 도출과 외부 변수 제어에 큰 도움을 주리라 예상된다.

• Journal of electromagnetic engineering and science
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• 제9권2호
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• pp.78-84
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• 2009

This paper represents the effects of drain bias on the linearity and efficiency of an analog pre-distortion power amplifier(PA) for wideband code division multiple access(WCDMA) repeater applications. For verification, an analog predistorter(APD) with three-branch nonlinear paths for memory-effect compensation is implemented and a class-AB PA is fabricated using a 30-W Si LOMaS. From the measured results, at an average output power of 33 dBm(lO-dB back-off power), the PA with APD shows the adjacent channel leakage ratio(ACLR, ${\pm}$5 MHz offset) of below -45.1 dBc, with a drain efficiency of 24 % at the drain bias voltage($V_{DD}$) of 18 V. This compared an ACLR of -36.7 dEc and drain efficiency of 14.1 % at the $V_{DD}$ of 28 V for a PA without APD.

• 한국세라믹학회:학술대회논문집
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• 한국세라믹학회 2003년도 추계총회 및 연구발표회 초록집
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• pp.146.2-146
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• 2003

• 한국콘텐츠학회논문지
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• 제13권3호
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• pp.162-173
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• 2013

본 연구는 서울 거주 20세 이상의 성인 남녀를 대상으로 원자력 발전소 관련 정부 및 규제기관, 운영기관에 대한 일반 공중의 신뢰, 낙인과 낙관적 편향성이 위험인식에 미치는 영향을 규명하였으며, 주요 결과를 중심으로 논의를 하면 다음과 같다. 첫째, 일반 공중의 신뢰는 원자력 발전소에 대한 낙인에 통계적으로 유의한 부적 영향을 미치는 것으로 나타나 일반 공중이 정부나 운영기관, 규제기관에 대해 신뢰할수록 원자력발전소에 대한 낙인효과는 감소하는 것으로 볼 수 있다. 둘째, 일반 공중의 신뢰는 낙관적 편향성에 대해 통계적으로 유의한 영향을 미치지 못한 것으로 나타났다. 셋째, 일반 공중의 낙인은 위험인식에 통계적으로 유의한 정적 영향을 미친 것으로 나타나 일반 공중의 원자력발전소에 대한 낙인효과가 높을수록 위험인식도 높아지는 것으로 볼 수 있다. 넷째, 일반 공중의 낙관적 편향성은 위험인식에 통계적으로 유의한 부적 영향을 미치는 것으로 나타나 원자력발전소에 대해 낙관적 편향성이 높을수록 위험인식은 낮아지는 것으로 볼 수 있다.

• 한국안광학회지
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• 제9권2호
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• pp.291-299
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• 2004

ECR-PECVD 방법을 이용하여 ECR power, $CH_4/H_2$ 가스 혼합비와 유량, 증착시간을 고정 시켜놓고 기판 bias 전압을 변화 시켜가면서 유리 기판위에 DLC 박막을 제작하였다. Raman, FTIR 및 UV/Vis 스펙트럼을 측정하여 기판 bias 진압에 따른 이용 충돌이 박막의 특성 변화에 미치는 영향을 조사하였다. FTIR 분석결과로부터 기판 bias 전압을 증가시킬수록 이용충돌 현상이 두드러져 탄소와 결합하고 있던 수소원자들의 탈수소화 현상을 확인할 수 있었고, 박막의 두께는 bias 전압을 증가시킬수록 감소되었다. 그리고 Raman 스펙트럼으로부터 Gaussian curve fitting을 통하여 sp3/sp2의 결합수에 비례하는 D/G피크의 면적 강도비(ID/IG)는 기판 bias 전압을 증가시킬수록 증가하였다. 그리고 광 투과율은 증착시간을 길게 할수록, 기판 bias 전압을 크게할수록 감소하였으나, 박막의 밀도가 증가하고 더 매끄러운 DLC 박막이 형성되었다. 이 결과로부터 DLC 박막은 기판 bias 전압의 크기를 증가시킬수록 특성이 더 향상됨을 알 수 있었다.

• 전자공학회논문지A
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• 제31A권2호
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• pp.81-87
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• 1994

We used IR laser inteferometric technique for measuring the temperature of wafer during cryogenic ECR etching. Using this technique, the effect of RF bias power and microwave power on the wafer temperature during etching period is investigated. As the RF bias power and microwave power was increased, the temperature of the wafer considerably increased and we concluded that to prevent the increase of substrate temperature during etching period, an adequate wafer cooling is needed.