본 논문에서는 RF 송수신 시스템 칩 내부의 저잡음증폭기(LNA)와 전체 송수신기 시스템 테스트에 효과적인 새로운 루프백(Loopback) BIST 구조를 제안한다. 제안하는 테스트기법은 외부 테스트장비(Automatic Test Equipment)를 사용하는 기존의 테스트기법과 달리 테스트 모드에서 칩에 내장된 베이스밴드 프로세서를 테스터로 사용하므로써 테스트인가와 테스트평가등을 효율적으로 수행할 수 있는 장점을 갖는다. 높은 주파수의 테스트 출력신호는 낮은 주파수로 변환하여 베이스밴드 프로세서에서 평가하게 됨으로써 테스트용이도가 향상될 수 있다. 제안하는 테스트기법은 ATE와 같은 외부테스트장비의 필요를 최소화하고 테스트 시간과 비용을 줄여 결과적으로 칩 제조비용의 절감을 가능하게 해준다.
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제16권5호
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pp.641-649
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2016
In this paper, a novel time-domain measurement technique on a high parallelism probe card with protection resistors installed is proposed. The measured signal amplitude decreases when the measurement is performed by Needle Auto Calibration (NAC) probing on a high parallelism probe card with installed resistors. Therefore, the original signals must be carefully reconstructed, and the compensation coefficient, which is related to the number of channel branches and the value of protection resistors, must be introduced. The accuracy of the reconstructed signals is analyzed based on the varying number of channel branches and various protection resistances. The results demonstrate that the proposed technique is appropriate for evaluating the overall signal performance of probe cards with Automatic Test Equipment (ATE), which enhances the efficiency of probe card performance test dramatically.
본 논문은 자동시험장비 (ATE) 시스템의 측정 회로에 사용하는 비교기 설계에 관한 것이다. 이 비교기 전체 블럭은 연속 형의 고속 비교기, 차동차이증폭기, 그리고 출력 단으로 구성되어 있다. 연속 형의 고속 비교기는 높은 주파수(1~800MHz) 및 넓은 범위(0~5V)의 입력신호를 받아들이기 위해, 고속의 rail-to-rail 증폭기를 첫 단에 두었다. 또한 동작 속도를 높이기 위하여 고속의 전치증폭기와 래치를 순차적으로 구성하였다. 두 시험 소자(DUT) 간 출력 신호 차이를 검출함에 있어, 공통 신호와 차동 신호 차이를 모두 감지하기 위하여 차동차이 증폭기(DDA)를 사용하였다. 이 비교기는 $0.18{\mu}m$ BCDMOS 공정을 사용하여 칩으로 구현되었으며, 5mV의 신호 차이를, 800 MHz의 신호까지 비교가 가능하다. 구현된 칩 면적은 $620{\mu}m{\times}830{\mu}m$이다.
본 논문은 자동 시험 장비(ATE : automatic test equipment)를 위한 새로운 파라메터 측정기(PMU : parametric measurement unit) 설계 기술을 설명한다. 기존의 설계는 피 시험 소자(DUT : device under test)에 신호를 인가하기 위해 두 개 혹은 그 이상의 증폭기를 사용하지만, 본 연구에서는 오직 하나의 차동 차이 증폭기(DDA : differential difference amplifier)를 사용한다. 제안된 기술은 귀환 경로에 추가적인 증폭기가 필요하지 않기 때문에, PMU는 안정적인 동작을 보장한다. 또한 DUT의 응답 신호를 측정하기 위한 기존의 계측 증폭기(IA : instrument amplifier)가 3개의 증폭기와 다수의 저항을 사용하는 것에 반해, 제안된 기술은 오직하나의 DDA를 IA로 적용했다. DDA는 전 범위의 차동 신호를 다루기 위해 두 개의 rail-to-rail 차동 입력 단을 적용하였다. 100 dB의 개 루프 이득을 얻기 위해 folded-cascode 형태의 DDA 안에 추가적인 이득 증가 기술이 사용되었다. 제안된 PMU 설계는 더 작은 면적과 더 적은 전력 소모를 가지고 정확하고 안정적인 동작을 가능하게 한다. PMU는 0.18 um CMOS 공정으로 구현되었고 공급 전압은 1.8 V이다. 입력 범위는 전압인가 시 0.25~1.55 V이고, 전류인가 시 0.9~0.935 V이다.
To increase device memory yield, many manufacturers use incorporated redundancy to replace faulty cells. In this redundancy technology, the implementation of an effective redundancy analysis (RA) algorithm is essential. Various RA algorithms have been developed to repair faults in memory. However, nearly all of these RA algorithms have low analysis speeds. The more densely compacted the memory is, the more testing and repair time is needed. Even if the analysis speed is very high, the RA algorithm would be useless if it did not have a normalized repair rate of 100%. In addition, when the number of added spares is increased in the memory, then the memory space that must be searched with the RA algorithms can exceed the memory space within the automatic test equipment. A very efficient RA algorithm using simple calculations is proposed in this work so as to minimize both the repair time and memory consumption. In addition, the proposed algorithm generates an optimal solution using a tree-based algorithm in each fault group. Our experiment results show that the proposed RA algorithm is very efficient in terms of speed and repair.
본 논문에서는 임베디드 프로세서 및 네트워크 구조를 기반으로 구성된 NoC(Network-On-Chip)의 저전력 테스트 구조를 제안한다. 임베디드 프로세서와 여러개의 코어로 구성된 네트워크 구조에 벤치마크 회로를 직접 연결하여 테스트 전력소모를 평가하였으며, 각 코어의 테스트 패턴을 저전력 소모가 되도록 매핑하여 테스트 전력소모를 감소시켰다. 또한 임베디드 프로세스 코어를 ATE(Automatic Test Equipment)로 사용하여 테스트 시간을 줄일수 있었다. ISCAS89 벤치마크 회로에 대해서 테스트 시간은 매우 효과적으로 감소되었으며 평균 전력소모는 약 8%가 감소되었다.
테스트 기술자들에게 아날로그 회로(또는 혼합신호 회로)의 테스트와 진단은 여전히 어려운 문제여서 이를 해결할 수 있는 효과적인 테스트 방법이 크게 요구된다. 본 논문에서는 time slot specification(TSS) 기반의 내장 전류감지기(Built-in Current Sensor)를 이용한 새로운 아날로그 회로의 테스트 기법을 제안한다. 또한 TSS에 기반 하여 고장 위치를 찾아내고 고장의 종류를 구별해 내는 방법을 제시한다. TSS 기법과 함께 제안하는 내장 전류감지기는 높은 고장 용이도와 높은 고장 검출을 그리고 아날로그 회로내 강고장과 약고장에 대한 높은 진단율을 갖는다. 제안하는 방법에서는 주출력과 전원단자등을 테스트 포인트로 사용하고 전류감지기를 자동 테스트 장치(Automatic Test Equipment)에 구성하므로써 테스트 포인트 선택과정의 복잡도를 줄일 수 있다. 내장 전류 감지기의 디지털 출력은 아날로그 IC 테스트를 위한 내장 디지털 테스트 모듈과 쉽게 연결된다.
Testing memory and repairing faults have become increasingly important for improving yield. Redundancy analysis (RA) algorithms have been developed to repair memory faults. However, many RA algorithms have low analysis speeds and occupy memory space within automatic test equipment. A fast RA algorithm using simple calculations is proposed in this letter to minimize both the test and repair time. This analysis uses the grouped addresses in the faulty bitmap. Since the fault groups are independent of each other, the time needed to find solutions can be greatly reduced using these fault groups. Also, the proposed algorithm does not need to store searching trees, thereby minimizing the required memory space. Our experiments show that the proposed RA algorithm is very efficient in terms of speed and memory requirements.
Probe card is a test component which is to classify the known good die with electrical contact before the packaging in the ATE (automatic testing equipment). Conventional probe tip was mostly needle type, it has been difficult to meet with conventional type, because of decreasing chip size, pad to pad pitch and pads size increasingly. For that reason, probe cards using MEMS (micro electro mechanical system) technology have been developed for various semiconductor chips. In this paper, Area Array type MEMS Probe tip was designed,, fabricated, and characterized its mechanical and electrical properties. The authors found that good electrical characteristics under $1{\Omega}$ were acquired with gold (Au) and aluminium (Al) pad contact test over 0.5gf and 4gf respectively. And, contact resistance variation under $0.1{\Omega}$ were achieved with 100,000 times of repetition test. And, insertion loss (IS) for high frequency operation was ascertained over 300MHz at -3dB loss.
본 논문에서는 일반적으로 사용되고 있는 개발 및 분석용 프로그램을 이용하여 시험요구서가 개발되지 않은 ASIC을 대상으로 결함을 검출하는 방법을 제안한다. 시험요구서가 없는 경우, 회로의 동작을 파악하기 힘들어 어떤 칩에서 결함이 발생하였는지 발견하기 어렵다. 따라서 ASIC의 로직 데이터를 분석하여 결함 검출을 위한 시험요구서를 작성하고, 시험요구서에 따라 제작된 Dynamic Pattern 신호를 이용하여 게이트 레벨에서 입출력 핀 신호 제어를 통해 고장진단을 한다. 실험결과 제안된 기법을 비메모리 회로에 적용하여 우수한 결함 검출능력을 확인하였다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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