• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2012.02a
• /
• pp.536-536
• /
• 2012

나노와이어는 센서, 메모리소자, 태양전지등과 같은 다양한 소자로 응용이 되고 있다. Bottom-up 방법으로 길러진 나노와이어들을 금속전극 위에 정렬 및 접합시킬 때, 나노와이어와 금속전극간의 기계적 접합강도와 안정적인 전기적 특성이 매우 중요하다. 본 연구에서는 열압착 공정과 솔더전극(Cr/Au/In/Au, Cr/Cu/In/Au)을 사용함으로써, 나노와이어를 금속전극에 압입시켜 강한 기계적 접합강도와 안정적인 전기적 특성을 얻을 수 있는 공정을 제안하였다. 나노와이어와 금속 전극간의 접합부 분석을 위해 scanning electron microscopy (SEM)와 transmission electron microscopy (TEM)을 이용하였으며, 기계적 특성은 lateral force microscopy (LFM), 전기적 특성은 semiconductor analyzer (Keithley 4200-SCS)를 사용하여 측정하였다. 접합강도 측정결과 lateral force가 나노와이어에 가해질 때 나노와이어가 파괴되는 힘에서도 나노와이어와 금속전극간의 접합부파괴가 일어나지 않았다. 또한 나노와이어와 금속전극간의 전기적 접촉특성은 안정적인 ohmic contact을 이루었다.

• Proceedings of the KIEE Conference
• /
• 2004.07c
• /
• pp.2143-2145
• /
• 2004

본 논문은 미세공정을 이용하여 다중전극을 배열하여 전압 인가에 의해 선택적으로 약물 방출이 가능한 구역화된 약물 저장용 구조물의 설계 및 제작에 관한 것이다. 두께 525${\mu}m$ 언 (100) Si wafer를 이용하여 TMAH 용액의 조성 및 온도에 따라 Si 식각 기초실험을 하고 그 결과를 이용하여 최적 식각조건을 설정하였다. 구조물 opening 크기를 다양하게 설계하여 미량의 약물을 선택적으로 방출할 수 있게 하고자 역 피라미드 형태의 약물 저장용 구조물을 제작하였다. 전압 인가에 의한 약물 방출시 Au 전극의 특성을 고찰하고자 저장 구조물 위에 anode의 면적과 anode 전극간 거리를 변화시켜서 설계 및 제작하였고, polyimide를 전극 사이의 절연막으로 이용하였다. 제작된 구조품의 전극 특성은 5V의 설정전압을 인가하였을 경우 2500s 동안 0.25mA로 안정적으로 유지되었으나 10V, 15V, 20V일 경우 전극의 산화현상으로 Au 전극이 부식이 되어 전류가 안정적으로 흐르지 않는 것을 알 수 있었으며, 약물전달시스템에서 안정적인 전류 공급을 위해서는 Au 전극이 산화 되지 않는 전압 인가 조건 및 시간은 설정해야 함을 알 수 있었다.

• Journal of the Korea Academia-Industrial cooperation Society
• /
• v.16 no.8
• /
• pp.5586-5590
• /
• 2015

In this paper, the directed alignment methode of the DNA molecule between the Au electrodes was suggested for the application of nano devices. To fabricate the nano device coated DNA, 2-Aminoethanthiol(AET) was coated on Au electrodes which was formed using photo-lithography process on $SiO_2/Si$ substrates. In general, the AET that was a positive charge with $NH^{3+}$ was strongly combined under the electrostatic interaction with DNA molecule which had to be a negative charge. The DNA molecules could be easily aligned between Au electrodes coated with AET. The structures of the DNA molecules were investigated using AFM(Atomic force microscope), they were changed from single types to bundle according to the AET concentrations.

• Polymer(Korea)
• /
• v.35 no.4
• /
• pp.370-374
• /
• 2011

A conductive PANI solution was successfully fabricated by doping with camphorsulfonic acid and the polymerization of aniline and the confirmation of doping were characterized by FTIR spectroscopy. In organic thin film transistors, PANI gate electrodes were spin-coated on a PES substrate and their conductivity variations were monitored by a 4-probe method with different annealing temperatures. The surface properties of PANI thin films were investigated by an AFM and an optical microscope, OTFTs with PANI gate electrode had characteristics of carrier mobility as large as 0.15 $cm^2$/Vs and on/off ratio of $2.4{\times}10^6$, Au gate OTFTs with the same configuration were fabricated to investigate the effect of polymer gate electrode for the comparison of device performances. We could obtain the comparable performances of PANI devices to those of Au gate devices, resulting in an excellent alternative as an electrode in flexible OTFTs instead of an expensive Au electrode.

• Proceedings of the Korean Institute of Information and Commucation Sciences Conference
• /
• 2007.10a
• /
• pp.751-753
• /
• 2007

Organic field-effect transistors (OFETs) are of interest for use in widely area electronic applications. We fabricated a copper phthalocyanine (CuPc) based field-effect transistor with different metal electrode. The CuPc FET device was made a top-contact type and the substrate temperature was room temperature. The source and drain electrodes were used an Au and Al materials. The CuPc thickness was 40nm. and the channel length was $50{\mu}m$, channel width was 3mm. We observed a typical current-voltage (I-V) characteristics in CuPc FET with different electrode materials.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
• /
• 1999.11a
• /
• pp.79-79
• /
• 1999

• Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
• /
• 2004.07b
• /
• pp.861-864
• /
• 2004

본 연구에서는 Ta이 도핑된 $TiO_2$와 $Au/TiO_2$ nanocomposite 박막을 co-sputtering법으로 제작하였다. Ta-doped $TiO_2$ 박막은 금흥석(rutile)에서 아나타제 상으로 변하는 구조를 유도하는 고용체를 형성했다. $Au/TiO_2$ nanocomposite film의 경우에는, 지름이 약 15 nm인 Au particles들이 $TiO_2$ matrix에 균질하게 분포되었다. Ta가 도핑된 $TiO_2$ 전극과 $Au/TiO_2$ 나노 콤포사이트 전극의 anodic photocurrents가 UV뿐만 아니라 가시광선 영역에서도 관찰되었다. Ta이 도핑된 $TiO_2$ 전극과 $Au/TiO_2$ 나노 콤포사이트 사이의 가시광선 영역에서 photoresponse는 계면 상태로 부터의 bandgap의 감소와 전자의 photoexcitation 때문이다.

• Proceedings of the Korean Vacuum Society Conference
• /
• 2012.08a
• /
• pp.301-301
• /
• 2012

Amorphous In-Ga-Zn-O (a-IGZO)는 광학적으로 투명하고 높은 전자이동도를 가지고 있어서 차세대 thin-film-transistor의 channel layer 물질로 각광받고 있다. 이러한 a-IGZO를 TFT channel layer로 사용하기 위해서는 소스 드레인 전극물질과 IGZO박막의 계면에서 ohmic contact을 만드는 것도 중요하다. 하지만 산화물 반도체의 특성상 금속물질을 증착시킬 때 산화금속계면을 형성하기 때문에 ohmic contact이 형성되기 어려운 것으로 알려져 있다. Au는 보통 전극물질로 많이 사용되는데, 이는 전기전도도가 매우 높고, 독특한 산화환원반응 특성을 보이지만, 화학반응을 잘 일으키지 않는 안정성을 가지는 성질에 기인한다. 본 연구진은 Au가 a-IGZO에 증착 시에 일어나는 표면의 화학적 상태변화를 이해하기 위해 방사광을 이용한 고분해능 광전자 분광법을 이용하여 표면변화를 분석하였다. Au는 (Au 4f) 증착 초기엔 약간의 gold oxide가 함께 형성되지만, 주로 metal gold의 형태로 존재하였다. In 3d, Ga 3d, O 1s, Zn 3d 각각의 스펙트럼에서는 Au 증착으로 인해 낮은 결합에너지에 새로운 state가 나타났다. 한편, In은 상대적으로 다른 원소들에 비해 Au와 좀 더 결합을 잘 하는 것으로 나타났는데 이는, In 5s 전자궤도가 전도메커니즘에서 중요한 역할을 하기 때문에, In-Au의 상대적인 강한 결합은 a-IGZO의 전기적 특성 변화에 기여할 수 있음을 의미한다.

• Proceedings of the Materials Research Society of Korea Conference
• /
• 2011.05a
• /
• pp.26.2-26.2
• /
• 2011

최근 주목 받고 있는 산화아연(ZnO)은 레이저 다이오드, 가스 센서, 자외선 센서, 투명전극 등으로 다양하게 사용될 수 있어 연구개발이 폭 넓게 이루어지고 있는 상황이다. 특히, 3.3 eV의 direct bandgap 에너지를 가지고 있는 ZnO은 현재 자외선센서로 많이 적용되고 있는 물질인 GaN계열을 대체할 수 있는 유망한 물질로 주목 받고 있다. 공기중의 산소나 수분의 표면반응에 의한 자외선 측정을 하는 ZnO을 나노선으로 만들게 되면, 표면대비 부피비가 박막에 비해 급격히 증가하기 때문에 민감도가 커지고 반응시간이 짧아지게 된다. 본 연구에서는 자외선센서의 민감도와 반응성을 향상시키기 위해 전기화학적 합성법을 통해 ZnO의 박막과 나노선을 제조하였다. 사진공정을 통해 3 ${\mu}m$의 간격을 가진 금(Au) 전극을 만든 후, 전기화학적 합성법을 통해 아연이온이 포함된 용액에서 정전류를 흘려보내 아연 또는 ZnO을 증착시킬 수 있었다. 첫 번째로 ZnO을 양쪽 Au 전극에서 동시에 증착하여 두 박막이 접합하였고, 두 번째는 100nm의 지름을 가진 Ni 나노선를 전극 양쪽에서 자석을 통해 자기장을 형성해 정렬시키고 ZnO을 Au 전극과 Ni 나노선에 증착한 후, Ni 나노선를 산화시킴으로써, ZnO 나노구조를 형성하였다. 세 번째로는 Au 전극 양쪽에 아연을 전기화학적 합성을 하여 박막으로 증착하고 고온에서 산화과정을 통해 100 nm 이하의 지름을 가진 ZnO 나노선를 형성하였다. 이렇게 만들어진 세가지 구조의 ZnO의 나노구조와 결정성은 주사전자현미경과 X선 회절 분석기를 통해 측정하였으며, 자외선에 대한 민감도와 반응성은 365 nm의 파장을 가진 자외선발생기와 소스미터장치를 통해 측정하였다. 박막에서 100 nm 이하의 지름을 가진 ZnO 나노선로 갈 수록 자외선에 대한 민감도와 반응성이 향상되었다.

• Journal of the Institute of Electronics Engineers of Korea SD
• /
• v.45 no.5
• /
• pp.19-25
• /
• 2008

In this study, we fabricated Organic Thin Film Transistors(OTFTs) with $C_{60}$ hole injection layer between organic semiconductor(pentacene) and metal electrode, and we compared the electrical characteristics of OTFTs with/without $C_{60}$. When the $C_{60}$ hole injection layer was introduced, the mobility and the threshold voltage were improved from 0.298 $cm^2/V{\cdot}s$ and -13.3V to 0.452 $cm^2/V{\cdot}s$ and -10.8V, and the contact resistance was also reduced. When the $C_{60}$ is inserted, the hole injection was enhanced because the $C_{60}$ prevent the unwanted chemical reaction between pentacene and Au. Furthermore, we fabricated the OTFTs using Al as their electrodes. When the OTFTs were made by only aluminum electrode, the channel were not mostly made because of the high hole injection barrier between pentacene and aluminum, but when the $C_{60}$ layer with an optimal thickness was applied between aluminum and pentacene, the device performances were obviously enhanced because of the vacuum energy level shift of Al and the consequent decrease of the hole injection barrier which was induced by the interface dipole formation between $C_{60}$ and Al. The mobility and $I_{ON}/I_{OFF}$ current ratio of OTFT with $C_{60}/Al$ electrode were 0.165 $cm^2/V{\cdot}s$ and $1.4{\times}10^4$ which were comparable with the normal Au electrode OTFT.