Diamond-like carbon (DLC) films were prepared with RF-PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) method on coming glass and silicon substrates using methane ($CH_4$) and hydrogen ($H_2$) gases. We examined the effects of $CH_4$ to $H_2$ ratios on tribological and optical properties of the DLC films. The structure and surface morphology of the films were examined using Raman spectroscopy and atomic force microscopy (AFM). The hardness of the DLC film was measured with nano-indentor. The optical properties of DLC thin film were investigated by UV/VIS spectrometer and ellipsometry. And also, solar cells were fabricated using DLC as antireflection coating before and after coating DLC on silicon substrate and compared the efficiency.
In the present investigation, we tried AR coating simulation by using the "Essential Macleod optical coating design and analysis" program. After various run of the program we selected appropriate materials which have specific refractive indices and for that thickness was optimized to get the low reflectance. By comparing the simulated results for the different materials,we found that $SiO_2$ and TiN are the appropriate materials for this Flat panel device (FPD) application. Thin films of these materials were deposited using RF magnetron sputtering and Inductively Coupled Plasma Chemical Vapour Deposition (ICPCVD) methods on Polyethyleneterephthalate (PET) substrates. Spectroscopic ellipsometer (SE MF-1000) and UV-Vis spectrophotometer (SCINCO) were used for the optical characterization. The obtained experimental results are in good agreement with the simulation results.
Kim, Jin-Kuk;Park, Je-Jun;Hong, Ji-Hwa;Kim, Nam-Soo;Kang, Gi-Hwan;Yu, Gwon-Jong;Song, Hee-Eun
한국태양에너지학회:학술대회논문집
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2012.03a
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pp.243-247
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2012
The paper focuses on an anti-reflection (AR) coating deposited by PECVD in silicon solar cell fabrication. AR coating is effective to reduce the reflection of the light on the silicon wafer surface and then increase substantially the solar cell conversion efficiency. In this work, we carried out experiments to optimize double AR coating layer with silicon nitride and silicon oxide for the silicon solar cells. The p-type mono crystalline silicon wafers with $156{\times}156mm^2$ area, 0.5-3 ${\Omega}{\cdot}cm$ resistivity, and $200{\mu}m$ thickness were used. All wafers were textured in KOH solution, doped with $POCl_3$ and removed PSG before ARC process. The optimized thickness of each ARC layer was calculated by theoretical equation. For the double layer of AR coating, silicon nitride layer was deposited first using $SiH_4$ and $NH_3$, and then silicon oxide using $SiH_4$ and $N_2O$. As a result, reflectance of $SiO_2/SiN_x$ layer was lower than single $SiN_x$ and then it resulted in increase of short-circuit current and conversion efficiency. It indicates that the double AR coating layer is necessary to obtain the high efficiency solar cell with PECVD already used in commercial line.
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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v.1
no.4
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pp.11-15
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2000
This paper presents a process optimization of antireflection (AR) coating on crystalline Si solar cells. Theoretical and experimental investigations were performed on a double-layer AR(DLAR) coating of MgFe$_2$/GeO$_2$. We investigated GeO$_2$ films as an AR layer because they have a proper refractive index of 2.46 and demonstrate the same lattice constant as Si substrate. RF sputter grown GeO$_2$ film showed deposition temperature strong dependence. The GeO$_2$ at 400$\^{C}$ exhibited a strong (111) preferred orientation and the lowest surface roughness of 6.87 $\AA$. Refractive index of MgFe$_2$film was measured as 1.386 for the most of growth temperature. An optimized DLAR coating showed a reflectance as low as 2.04% in the wavelengths ranged from 0.4 ㎛ to 1.1 ㎛. Solar cells with a structure of MgFe$_2$/GeO$_2$/Ag/N$\^$+//p-type Si/P$\^$+//Al were investigated with the without DLAR coatings. We achieved the efficiency of solar cells greater than 15% with 3.12% improvement with DLAR coatings. Further details about MgFe$_2$,GeO$_2$ films, and cell fabrication parameters are presented in this paper.
We deposited thin films of ZnS(Zinc Sulphide), in which was used antireflection coating material of glasses-lens on silicon and slide-glass substrates using spin coating method, and measured spectra of ellipsometry angles ${\Delta}$ and ${\Psi}$ in the photon-energy range of 1.5~5.0 eV using a variable angle spectroscopic ellipsometer. The optical constants, refractive index and extinction coefficient, of ZnS were determined via the dispersion parameters extracted from the curve-fitting process based on Jellison-Modine dispersion function.
In this study general solar cell production process was complemented, with research on improvement of solar cell efficiency through surface structure and thermal annealing process. Firstly, to form the pyramid structure, the saw damage removal (SDR) processed surface was undergone texturing process with reactive ion etching (RIE). Then, for the formation of smooth pyramid structure to facilitate uniform doping and electrode formation, the surface was etched with HND(HF : HNO3 : D.I. water=5 : 100 : 100) solution. Notably, due to uniform doping the leakage current decreased greatly. Also, for the enhancement and maintenance of minority carrier lifetime, antireflection coating thermal annealing was done. To maintain this increased lifetime, front electrode was formed through Au plating process without high temperature firing process. Through these changes in two processes, the leakage current effect could be decreased and furthermore, the conversion efficiency could be increased. Therefore, compared to the general solar cell with a conversion efficiency of 15.89%, production of high efficiency solar cell with a conversion efficiency of 17.24% was made possible.
본 연구에서는 복층으로 구성된 $WSio_2Al$ 금속절연체의 상세를 보여주고 있는데, 금속과 절연체의 합성물질은 태양 흡수율의 설계와 열적인 현상을 보여주기 위해 종종 사용된다. 금속의 접착기면 위에 얇은 복층 코팅으로 구성되는 디자인은 태양 스펙트럼의 파장권역에서 선택적 흡수를 위함이다. 본 연구는 태양 복사의 열성능 평가를 위해 금속과 절연체 필름의 방사율, 태양흡수율, 코팅순서, 미 반사층(AR)의 두께, 코팅 두께와 코팅 면수, 전체 코팅 두께 등에 대해 시뮬레이션 하였다. 그 결과 네 겹의 코팅설계에서 $Sio_2AR$ 75 nm 두께와 각각의 층에서 $0.5\sim0.7$의 가변 금속부분 구성이 가장 우수한 성능을 갖는 것으로 나타났다. 또한 시뮬레이션으로 금속과 절연체 합성물의 최적의 구성과 각각의 코팅 두께에 대한 예측이 가능했으며, 최대 태양흡수율은 0.94, 방사율은 0.115의 금속과 절연체의 합성물을 구성할 수 있었다.
Among various types of photo-electric energy conversion element which can transfer solar energy into electric energy through the photo voltaic effect, Si solar cells were investigated on photoelectric characteristics, improvements of its efficiency and economical evaluation for its production cost. To study the above subjects, we decided best conditions on fabricating of thin film Si solar cell by epitaxial growth and knew that the thin solar cell by epitaxial growth was more efficient than that by diffusion process. And also higher photo voltaic output was obtained as a effect of SiO as antireflection coating by several methods, i.e. vacuum evaporating techniques of electrode to decrease the contact resistance and to form best ohmic contact, and concentration techniques of sun's ray by lenz or both-sided illumination through special structure for reflection using mirrors.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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2002.07b
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pp.964-967
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2002
The effectiveness of silicon nitride SiNx surface passivation is investigated and quantified. This study adopted single-layer antireflection (SLAR) coating of SiNx for efficiency improvement of solar cell. The silicon nitride films were deposited by means of plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) in planar coil reactor. The process gases used were pure ammonia and a mixture of silane and helium. The thickness and the refractive index on the films were measured by ellipsometry and chemical bonds were determined by using an FT-IR equipment. This films obtained were analyzed in term of hydrogen content, refractive index for gas flow ratio $(NH_3/SiH_4)$, and efficiency of solar cell. The polycrystalline silicon solar cells passivated by silicon nitride shows efficiency above 12.8%.
Proceedings of the Polymer Society of Korea Conference
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2006.10a
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pp.282-282
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2006
Nanoporous organosilicate thin films were realized by the microphase separation of pore generating components mixed with an organosilicate matrix. The refractive index of such nanoporous organosilicate films can be tuned in the range of $1.40{\sim}1.22$. With a nanoporous single layer with n ${\sim}1.225,\;99.85\;%$ transmittance in the visible range was achieved. In order to overcome the limitation on the narrow wavelength for high transmittance imposed by single nanoporous thin films, bilayer thin films with different reflectance for each layer were prepared by inserting high refractive index layer with a refractive index of 1.447. It is demonstrated that the novel broadband antireflection coating with improved transmittance can be easily achieved by the nanoporous bilayer thin films described in present study.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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