So, Young Ho;Song, Jung Ho;Seo, Dong Myung;Oh, Teresa
Industry Promotion Research
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v.1
no.1
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pp.1-6
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2016
To research the correlation between the amorphous and crystal structure of oxide semiconductors, AZO and IGZO films were deposited and annealed with various temperatures in a vacuum state. AZO increased the degree of crystal structure with increasing the annealing temperature, but IGZO became an amorphous structure after the annealing process at high temperature. The series of AZO films with various annealing temperatures showed the chemical shift from the analyzer of PL and O 1s spectra, but the results of IGZO films by PL and O 1s spectra were not observed the chemical shift. The binding energy of oxygen vacancy of AZO with a crystal structure was 531.5 eV, and that of IGZO with an amorphous structure was 530 eV as a lower binding energy.
Amorphous oxide semiconductor $InGaZnO_4$(IGZO) is a very promising candidate of channel layer in transparent thin film trasisitor(TTFT) because of its high mobility and high transparency in visible light region. Amorphous IGZO films were deposited at room temperature on a fused silica substrate using pulsed laser deposition method. In-situ post annealing was carried out at 150-450C right after film deposition. The $O_2$ partial pressures during the deposition and the post annealing was fixed to 10mTorr. The electron transport properties of the amorphous IGZO films were improved by thermal annealing. The temperature range in which the improvement of the electrical properties, was 150C~300C.
Journal of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers
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v.25
no.9
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pp.677-680
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2012
The dependency of annealing temperature on the electrical performances in amorphous silicon-zinc-tin-oxide thin film transistors (SZTO-TFT) has been investigated. The SZTO channel layers were prepared by using radio frequency (RF) magnetron sputtering method with different annealing treatment. The field effect mobility (${\mu}_{FE}$) increased and threshold voltage ($V_{th}$) shifted to negative direction with increasing annealing temperature. As a result, oxygen vacancies generated in SZTO channel layer with increasing annealing temperature resulted in negative shift in $V_{th}$ and increase in on-current.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics A
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v.32A
no.1
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pp.179-184
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1995
Phosphorous was deped in silicon thin films by Ion Mass Doping and Changes in the electrical resistance with respect tko heat treatments were investigated. SOI(Silicon On Insulator) thin films which contain few grain boundaries prepared by ZMR(Zone Melting Recrystallization) of polysilicon films, polysilicon films which have about 1500 $A^{\rarw}$ of grain size prepared by LPCVD at 625.deg. C, and amorphous silicon thin films prepared by LPCVD at low temperature were used as substrates and thermal behavior of phosphorous after RTA(Rapid Thermal Annealing) and furnace annealing was carefully studied. Amorphous thin films showed about 10$^{6}$ .OMEGA./ㅁbefore any heat treatment, while polycrystalline and SOI films about 10$^{3}$.OMEGA./¤. All these films, however, showed about 10.OMEGA./ㅁafter furnace annealing at 700.deg. C for 3hrs and RTA showed about the same trend. Films with grain boundaries showed a certain range of heat treatment which rendered increase of the electrical resistance upon annealing, which could not be observed in amorphous films and segregation of doped phosphorous by diffusion with annealing was thought to be responsible for this abnormal behavior.
This study examined the role of excess free volume on the corrosion resistance of an amorphous alloy. Corrosion behaviors were monitored on the amorphous alloys, of which amount of free volume was controlled via the isothermal annealing below the glass transition temperature, using immersion tests and potentiodynamic polarization tests in HCl aqueous solutions. It was found that the corrosion resistance of the amorphous alloy is improved by reducing the amount of excess free volume. The possible reason explaining the experimental result was discussed from the viewpoint of the internal energy associated with the annihilation of excess free volume.
The effect of field annealing on the velocity changes of magneto surface acoustic wave (MSAW) devices has been investigated for deposited $(Fe_{1-x}Co_x)_{89}Zr_{11}$ (x = 0~1.0) amorphous films. By means of two step field annealing at $195^{\circ}C$ for 10 minute in the magnetic field of 130 Oe, the MSAW device with x=0.4 film among the devices showed the superior velocity change of 0.1 %. This gigantic value was obtained in the DC bias field of 40 Oe at the exciting frequency of 8.7 MHz. It was confirmed that such behavior was due to the variation of differential permeability caused by an optimal stress within the magnetic film.
Journal of the Korean Institute of Telematics and Electronics
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v.25
no.8
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pp.950-958
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1988
We have implemented a RTA system using W-halogen lamps and tried to recrystallize the phosphorus ion implanted amorphous silicon on insultor (SOI) taking advantages of seeding window. The purpose of this study is to investigate the possibility of a typical crystalline orientation occurred during the solidifying process of molten amorphous silicon layer. Experimental results show that several twin boundaries are found on the seeding window region after annealing for 15 sec at 1040\ulcorner. These twin boundaries represent that the recrystallization is partialy possible and when the annealing is done at 1150\ulcorner, (100) etch pits with <110> facets are found on the solidified amorphous silicon layer. Consequently, Hall mobility of recrystallized silicon film is measured and the thermal behavior of grain boundary is also observed by SEM.
Proceedings of the Korean Institute of Electrical and Electronic Material Engineers Conference
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1989.06a
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pp.49-51
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1989
The effect of Mo elenent and annealing condition on the magnetic properties were investigated in Fe$_{80}$B$_{12}$Si$_{8}$ amorphous alloy. With increasing Mo contents, soft magnetic properties were improved by decreasing coercive force and increasing maximum permeability. These improvements were attributed to the decreasing of magnetostriction by Mo addition. The annealing treatment also improved the soft magnetic properties of (Fe$_{1-x}$ Mo$_{x}$)$_{80}$ B$_{12}$ Si$_{8}$ amorphous alloys. It could be thought that these improvements were ascribed to the relaxation of internal stress.nal stress.ess.
We investigated the void formation in composite-titanium silicide($TiSi_2$) process. We varied the process conditions of polycrystalline/amorphous silicon substrate, composite $TiSi_2$ deposition temperature, and silicidation annealing temperature. We report that the main reason for void formation is the mass transport flux discrepancy of amorphous silicon substrate and titanium in composite layer. Sheet resistance in composite $TiSi_2$ without patterns is mainly affected by silicidation rapid thermal annealing (RTA) temperature. In addition, sheet resistance does not depend on the void defect density. Sheet resistance with sub-0.5 $\mu\textrm{m}$ patterns increase abnormally above $850^{\circ}C$ due to agglomeration. Our results imply that $sub-750^{\circ}C$ annealing is appropriate for sub 0.5 $\mu\textrm{m}$ composite X$sub-750_2$ process.
The cyrstallization behavior of lead titanate powders prepared by sol-gel and coprecipitation techniques was investigated. The lead titanate precursors were derived from a mixed solution of lead nitrate and titanium tetrachloride at 4$0^{\circ}C$ to 43$^{\circ}C$ and pH of 9.00 to 9.75. The X-ray diffraction patterns of the dried gel and coprecipitated powders showed it to be amorphous. DTA runs of the powders indicated crystallization to occur at 475~48$0^{\circ}C$. However, the amorphous powders were partially crystallized at 400~45$0^{\circ}C$ with sufficient annealing time. The room temperature Raman spectra from heat-treated powders changed continuously from amorphous to crystalline state with increasing heat-treating temperature. By annealing coprecipitated powders, a dramatic change in the Raman spectra due to the structural relaxation as the annealing temperatures increased, was clearly visible. i.e., coprecipitated, gel, and crystalline structure, in turn.
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