• 한국음향학회지
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• 제18권2호
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• pp.53-60
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• 1999

본 논문에서는 CSH(Current Sample-and-Hold)와 CCMP(Current Comparator)로 구성된 1.5-비트 비트 셀을 이용한 새로운 구조의 CMOS IADC(Current-mode Analog-to-Digital Convener)를 제안한다. 전체적인 IADC의 선형성 향상을 위하여 CFT(Clock Feedthrough)가 제거된 9-비트 해상도 CSH를 설계하여 각 비트 셀 전단에 배치하였다. 제안한 IADC를 구성하는 비트 셀은 2개의 래치 CCMP를 사용하기 때문에 디지털 교정 로직이 간소화되고 소비전력이 감소된다. 또한 IADC를 구성하는 모든 블록들의 회로는 MOS 트랜지스터로만 설계되었기 때문에 혼성모드 집적화에 유리하다. 제안한 IADC를 현대 0.8 ㎛ CMOS 파라미터로 HSPICE 시뮬레이션 결과, 20Ms/s에서 100 ㎑의 입력 신호에 대한 SNR은 43 dB로 7-비트의 해상도를 만족하였고 27 ㎽의 소비전력 특성을 나타냈다.

• 전기전자학회논문지
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• 제2권2호
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• pp.309-315
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• 1998

본 논문에서는 광대역 종합 통신망 응용을 위한 8b 52 MHz CMOS 서브레인징 (subranging) A/D 변환기 (analog-to-digital converter : ADC)를 제안한다. 제안된 A/D 변환기는 새로운 방식의 동작 순서 기법을 사용하여 기존의 이중 채널 서브레인징 A/D 변환기 동작에 존재하는 홀딩 시간 (holding time)을 제거함으로써 신호 처리 속도 (throughput rate)를 50 % 향상시켰다. 또한, 하위 비트 A/D 변환기에서의 잔류 전압처리에 인터폴레이션 (interpolation) 기법을 이용하여 A/D 변환기의 비교기에 사용되는 프리앰프의 수를 50 % 수준으로 줄임으로써 면적을 감소시켰다. 시제품 A/D 변환기는 0.8 um n-well double-poly double-metal CMOS 공정으로 제작되었고, 측정 결과, 5 V 전원 전압과 52 MHz 샘플링 주파수에서는 230 mW, 3 V 전원 전압 및 40 MHz 샘플링 주파수에서는 60 mW의 전력을 각각 소모한다.

• 한국정보통신학회:학술대회논문집
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• 한국정보통신학회 2012년도 춘계학술대회
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• pp.88-90
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• 2012

본 논문은 rail-to-rail 입력 범위를 가지는 10-bit 10-MS/s 비동기 축차근사형 (SAR: successive approximation register) 아날로그-디지털 변환기 (ADC: analog-to-digital converter)를 제안한다. 제안된 SAR ADC는 커패시터 디지털-아날로그 변환기 (DAC: digital-to-analog converter), SAR 로직, 그리고 비교기로 구성된다. 외부에서 공급되는 클럭의 주파수를 낮추기 위해 SAR 로직과 비교기에 의해 비동기로 생성된 내부 클럭을 사용한다. 또한 높은 해상도를 구현하기 위해 오프셋 보정기법이 적용된 시간-도메인 비교기를 사용한다. 면적과 전력소모를 줄이기 위해 분할 캐패시터 기반 차동DAC를 사용한다. 설계된 비동기 SAR ADC는 0.18-um CMOS 공정에서 제작되며, core 면적은 $420{\times}140{\mu}m^2$이다. 1.8 V의 공급전압에서 0.818 mW의 전력 소모와 91.8 fJ/conversion-step의 FoM을 가진다.

• 한국통신학회논문지
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• 제18권6호
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• pp.854-862
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• 1993

CMOS아날로그 및 아날로그 디지탈시스템은 여러 개의 기본회로로 구성되어지며 그중에서도 증폭회로 부분은 시스템의 성능을 결정할 수도 있는 중요한 블럭중에 하나이다. 증폭회로는 시스템에서 사용되어지는 용도에 따라서 여러가지 구조(고이득, 저전력, 고속회로등)를 가지며 이러한 증폭회로를 설계하기 위하여 증폭기내의 입력증폭단의 설계 방법도 다양하다. 본 논문에서는 CMOS 상보형 차동이득 구조를 갖는 새로운 형태의 입력 차동증폭 회로를 제안하였다. 제안된 회로는 CMOS 상보형 회로에 의하여 고이득 특성을 가지며, 바이어스 전류를 내부적으로 공급하여 전체 시스템 구성시, 바이어스회로를 구성하기 위한 트랜지스터의 수를 줄일 수 있다. 이 회로를 표준 $1.5{\mu}m$ 공정파라메타를 이용한 SPICE 시뮬레이션을 통하여 광범위하게 이용되고 있는 CMOS 차동증폭 회로와 비교해 본 결과, 오프셋, 위상마진등의 특성이 그대로 유지된 상태에서 이득이 배가 되었다. 또한 제안된 회로를 이용하여 높은 출력스윙(-4.5V-+4.5V)과 함께 7nsec(CL-1pF) 이하의 세틀링시간을 갖을 수 있는 CMOS비교기를 설계하였다.

• 전자통신동향분석
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• 제10권1호통권35호
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• pp.1-17
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• 1995

본 연구에서는 아날로그 CMOS IC 제조를 위한 CMOS 소자기술 및 수동소자 기술인, 다결정실리콘 저항과 다결정실리콘(I)/산화막/다결정실리콘(II) 구조를 가진 커패시터의 공정기술을 개발하였다. 아날로그 CMOS 공정기술은 디지털 CMOS 공정에서 다결정실리콘 저항과 커패시터 공정이 추가됨으로씨 발생할 수 있는 CMOS 소자특성의 변화를 최소화하는 데 중점을 두어 개발하였다. 최종적으로 개발된 $1.2\mum$ 아날로그 CMOS 공정을 이용하여 10 비트 ADC 및 DACIC를 제작한 후 정상적인 동작을 확인함으로써, $1.2\mum$ 아날로그 CMOS 공정에 의한 아날로그 IC 제작의 응용 가능성을 검증하였다. 개발된 $1.2\mum$ 아날로그 CMOS 공정은 향후 $0.8\mum$ 아날로그 CMOS IC 개발에 크게 기여할 것으로 기대된다.

• 한국멀티미디어학회논문지
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• 제5권6호
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• pp.753-758
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• 2002

본 논문에서는 ADSL용 아날로그 Front- end의 수신단과 송신단에 활용하기 위한 저전압 특성의 3V CMOS 프로그램머블 증폭기(PGA)를 설계하였다. 설계된 수신단의 PGA는 1.1MHz로 연속시간 저역통과 필터와 연결하여 0db에서 30db까지 이득을 조정해주며, 송신단의 PGA는 138MHz의 저역필터와 연결하여 15db에서 0db까지의 이득을 조정할 수 있다. 모든 PGA의 이득은 디지털 로직과 메인 컨트롤러에 의해서 프로그램 될 수 있도록 설계하였다. 설계된 PGA는 $0.35\mu{m}$ COMS 파라미터를 이용하여 Hspice시뮬레이션으로 그 특성을 확인하였다.

• 대한전자공학회:학술대회논문집
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• 대한전자공학회 2002년도 하계종합학술대회 논문집(2)
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• pp.137-140
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• 2002

This paper is proposed a 8-bit anolog to digital converter for CMOS image sensor. A anolog to digital converter for CMOS image sensor is required function to control gain. Proposed anolog to digital converter is used frequency divider to control gain. At 3.3 Volt power supply, total static power dissipation is 8mW and programmable gain control range is 30dB. The gain control range can be easily increased with insertion of additional flip-flop at divided-by-N frequency divider circuit.

• JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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• 제16권4호
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• pp.395-404
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• 2016

A 6-bit 3.4 GS/s flash ADC in a 65 nm CMOS process is reported along with the proposed 4x time-domain interpolation technique which allows the reduction of the number of comparators from the conventional $2^N-1$ to $2^{N-2}$ in a N-bit flash ADC. The proposed scheme effectively achieves a 4x interpolation factor with simple SR-latches without extra clocking and calibration hardware overhead in the interpolated stage where only offset between the $2^{N-2}$ comparators needs to be calibrated. The offset in SR-latches is within ${\pm}0.5$ LSB in the reported ADC under a wide range of process, voltage supply, and temperature (PVT). The design considerations of the proposed technique are detailed in this paper. The prototype achieves 3.4 GS/s with 5.4-bit ENOB at Nyquist and consumes 12.6 mW power at 1 V supply, yielding a Walden FoM of 89 fJ/conversion-step.

• 전기전자학회논문지
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• 제7권2호
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• pp.135-143
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• 2003

본 논문에서는 다치논리(Multiple-Valued Logic : MVL)를 위한 데이터 변환기의 설계방법에 대해서 논의한다. 3.3 v의 단일 전원의 4 디지트의 CMOS 아날로그 4치 변환기(Analog to Quaternary Converter : AQC)와 4치 아날로그 변환기(Quaternary to Analog Converter)를 뉴런모스를 사용한 다운리터럴회로(Down-Literal Circuit : DLC)를 사용하여 설계하였다. 뉴런모스 다운리터럴회로는 제안된 AQC와 QAQ가 4개의 전압 레벨값을 출력과 입력으로 사용하게 하며, 소자의 다중 문턱전압 특성을 갖게한다. 제안된 AQC -QAC 회로는 구조면에서 전전력 소모의 특성을 갖는다.

• 제어로봇시스템학회:학술대회논문집
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• 제어로봇시스템학회 2005년도 ICCAS
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• pp.212-214
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• 2005

The charge-pump circuit which is used to generate higher voltage than the available supply voltage has wide applications such as the flash memory of EEPROM Because the demand for high voltage comes from physical mechanism such as the oxide tunneling, the required pumped voltage cannot be scaled as the power supply voltage is scaled. Therefore, an efficient charge-pump circuit that can achieve high voltage from the available low supply voltage is essential. A new Analog Switch p-well CMOS charge pump circuit without the MOS device body effect is processed. By improve the structure of the circuit's transistors to reduce the threshold voltage shift of the devices, the threshold voltage of the device is kept constant. So, the circuit electrical characteristics are higher output voltage within a shorter time than the conventional charge pump. The propose analog switch CMOS charge pump shows compatible performance of the ideal diode or Dickson charge pump.