• 한국전기전자재료학회논문지
• /
• 제12권1호
• /
• pp.18-26
• /
• 1999

In this study, the undoped amorphous layers and phosphorus doped amorphous layers are fabricated using LPCVD at 531$^{\circ}C$ with SiH$_4$ gas or at same temperature with PH$_3$ gas during deposition, respectively. The thickness of deposited amorphous layer from this experiments was 5000 ${\AA}$. In this experiments, undoped amorphous layers are deposited with SiH$_4$and Si$_2$H$\_$6/ gas in a low pressure reactor using LPCVD. These amorphous layers can be doped for poly-silicon by phosphorus ion implantation. The experiments of this study are carried out by phosphorus ion implantation with energy 40 keV into P doped and undoped amorphous silicon layers. The distribution of phosphorus profiles are measured by SIMS(Cameca 6f). Recoiling effects and two dimensional profiles are also explained by comparisions of experimental and simulated data. Finally range moments of SIMS profiles are calculated and compared with simulation results.

• 한국정보통신학회논문지
• /
• 제13권6호
• /
• pp.1123-1127
• /
• 2009

본 연구는 비정질실리콘 박막트랜지스터를 비휘발성 메모리소자로 제작함으로써 스위칭 소자로 사용되는 박막 트랜지스터(TFT)의 응용범위를 확대시키고, 비정질 실리콘 사용에 따라 대면적화에 적합하고 아울러 값싼 기판을 사용할 수 있게 한 비정질 실리콘 비휘발성 메모리소자에 관한 것이다. 이와 같은 본 연구는 유리기판과 그 유리기판위에 증착시켜 패터닝한 게이트, 그 게이트를 덮어씌운 제1 절연층, 그 제1 절연층위에 증착시켜 패터닝한 플로우팅 게이트와 그 플로우팅 게이트를 덮어씌운 제2 절연층, 그 제2 절연층위에 비정질실리콘을 증착시킨 액티브층과 그 액티브층위에 n+ 비정질실리콘을 증착시켜 패터닝한 소오스/드레인층 그리고 소오스/드레인층 위에 증착시킨 소오스/드레인층 전극으로 비정질실리콘 박막트랜지스터 비휘발성 메모리소자를 구성한다.

• 대한의용생체공학회:의공학회지
• /
• 제19권3호
• /
• pp.225-232
• /
• 1998

무정형 실리콘을 기반으로 한 X-선 영상기기에 대한 Monte Carlo 시뮬레이션 결과를 기술하였다. 무정형 실리콘 X-선 영상기기의 특성을 조사하고 최적의 설계변수들을 제공하기 위하여 Monte Carlo 시뮬레이션을 수행하였다. 본 연구의 목적에 맞도록 Monte Carlo simulation codes를 개발하였고, X-선 최대전압, 알루미늄 필터 두께, Cal(T1)두께, 그리고 무정형 실리콘 광다이오우드 픽셀 크기들을 변화시키면서 무정형 실리콘 X-선 영상기기의 계측 효율과 해상도의 변화를 연구하였다. 60kVP-120kVp의 X-선에 대하여, CsI(TI)의 두께가 300um-500um일 때 계측효율은 70%-95% 였고 에너지 흡수효율은 40%-70%였다. 시뮬레이션 결과로부터, 무정형 실리콘 픽셀크기와 Csl(TI) 두께가 해상도를 결정하는 가장 주된 요소임이 밝혀졌다. 본 연구에서 개발한 시뮬레이션을 사용하여 감도와 해상도를 최적화할 수 있는 적절한 픽셀 크기와 CsI(TI) 두께를 찾아낼 수 있었다.

• 한국세라믹학회지
• /
• 제35권5호
• /
• pp.486-492
• /
• 1998

Silicon carbide (SiC) thin films were deposited on the porous silicon substrates by chemical vapour de-position(CVD) using MTS as a source material. The deposited films were ${\beta}$-SiC with poor crystallity con-firmed by XRD measurement. It was considered that the films showed the mixed characteistics of cry-stalline and amorphous SiC where amorphous SiC where amorphous SiC played a role of buffer layer in interface between as-dep films and Si substrate. The buffer layer reduced lattice mismatch to some extent the generally occurs when SiC films are deposited on Si. The low temperature (10K) PL (phtoluminescence) studies showed two broad bands with peaks at 600 and 720 for the films deposited at 1100$^{\circ}C$ The maximum PL peak of the crystalline SiC was observed at 600 nm and the amrophous SiC of 720 nm was also confirmed. PL peak due the amorphous SiC was smaller than that of the crystalline SiC, PL of porous Si might be disapperared due to densification during heat treatment.

• 한국태양에너지학회 논문집
• /
• 제39권1호
• /
• pp.11-19
• /
• 2019

Spectroscopic ellipsometry is a powerful tool for analyzing optical properties of material. Ellipsometry measurement results is usually given by change of polarization state of probe light, so the measured result should be properly treated and transformed to meaningful parameters by transformation and modeling of the measurement result. In case of hydrogenated amorphous silicon, Tauc-Lorentz dispersion is usually used to model the measured ellipsometry spectrum. In this paper, modeling of spectroscopic ellipsometry result of hydrogenated amorphous silicon using Tauc-Lorentz dispersion is discussed.

• 마이크로전자및패키징학회지
• /
• 제25권4호
• /
• pp.101-104
• /
• 2018

An electric field was applied to a Mo conductive layer in the sandwiched structure of $glass/SiO_2/Mo/SiO_2/a-Si$ to induce Joule heating in order to generate the intense heat needed to carry out the crystallization of amorphous silicon. Polycrystalline silicon was produced via Joule heating through a solid state transformation. Blanket crystallization was accomplished within the range of millisecond, thus demonstrating the possibility of a new crystallization route for amorphous silicon films. The grain size of JIC poly-Si can be varied from few tens of nanometers to the one having the larger grain size exceeding that of excimer laser crystallized (ELC) poly-Si according to transmission electron microscopy. We report here the blanket crystallization of amorphous silicon films using the $2^{nd}$ generation glass substrate.

• Journal of Ceramic Processing Research
• /
• 제13권spc2호
• /
• pp.336-340
• /
• 2012

Wide band gap p-type hydrogenated amorphous silicon oxide (a-SiO:H) buffer layer has been used at the interface of transparent conductive oxide (TCO) and hydrogenated amorphous silicon (a-Si:H) p-type layer of a p-i-n type a-Si:H solar cell. Introduction of 5 nm thick buffer layer improves in blue response of the cell along with 0.5% enhancement of photovoltaic conversion efficiency (η). The cells with buffer layer show higher open circuit voltage (Voc), fill factor (FF), short circuit current density (Jsc) and improved blue response with respect to the cell without buffer layer.

• 대한전기학회:학술대회논문집
• /
• 대한전기학회 1992년도 하계학술대회 논문집 B
• /
• pp.633-636
• /
• 1992

The need for more efficient transformer core materials, due to increased recognition by the loss reduction of electric utilities, has spurred the development of amorphous metal usage in transformer. The loss of amorphous core is one third to one fourth that of silicon steel at equivalent inductions 15KG and below. Thus, the substitution of amorphous metal for conventional silicon steel in a transformer core can reduce core loss by 75%. This paper describes the development trend, the manufacturing processes of amorphous core transformer and the characteristics of amorphous core transformer in comparison with those of silicon core transformer.

• 한국결정성장학회지
• /
• 제9권2호
• /
• pp.173-179
• /
• 1999

본 연구에서는 비정질 규소 박막의 결정화를 촉진시키기 위하여 표면 활성화 처리의 영향을 관찰하였다. 표면 활성화 방법으로는 습식 연마법(Wet Blasting)과 Nd:YAG 레이저의 빔을 사용하였고, 700~$800^{\circ}C$에서 관상로 열처리를 행하여 고살 결정화에 미치는 영향을 보았다. 결정화 정도의 기준으로는 XRD 분석을 통해 얻은 (111) 피크강도를 이용하였으며, 결정의 품질을 분석하기 위해 Raman 분석을 행하였다. 결정화의 표면 형상에 대한 관찰은 주사전자 현미경(SEM)을 사용하였다. 본 실험 결과 표면 활성화 처리는 비정질 규소박막의 결정화를 촉진하고, 결정의 품질을 향상시키는 것으로 확인되었다. 습식 연마법(Wet Blasting)의 경루 2 Kgf/$\textrm{cm}^2$의 압력이 가장 효과적이었고, 레이저의 에너지는 100~200mJ/$\textrm{cm}^2$가 효과적이었다. 이것은 표면활성화처리를 통하여 비정질 실리콘 박막의 표면에 strain energy가 형성되어 결정화에 필요한 엔탈피에 영향을 미친 효과 때문으로 예상된다.

• 한국전자통신학회논문지
• /
• 제10권11호
• /
• pp.1251-1256
• /
• 2015

본 논문은 비정질 규소막 성장의 공정 조건이 저장 전극의 표면에 HSG-Si를 형성할 때 미치는 영향을 조사하였다. 그 결과 비정질 규소막의 인 농도가 $5.5{\pm}0.1E19atoms/cm^3$ 이상이면 HSG-Si가 제대로 형성되지 않는 인 농도 의존성을 나타내었다. 또한 HSG 두께가 $500{\AA}$ 이상에서는 전극과 전극을 단락시키는 비트 불량을 유발하기 때문에 비정질 규소막의 인농도는 $4.5E19atoms/cm^3$, HSG 임계 두께는 $450{\AA}$이 최적 조건임을 확인하였다.