• 대한용접접합학회:학술대회논문집
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• 대한용접접합학회 2006년 추계학술발표대회 개요집
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• pp.169-171
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• 2006

Solderability and reaction properties were investigated for four Pb-free alloys as a function of Ag contents; Sn-4.0Ag-0.5Cu, Sn-3.0Ag-0.5Cu, Sn-2.5Ag-0.5Cu, and Sn-1.0Ag-0.5Cu. The alloy of the lowest Ag content, i.e., Sn-1.0Ag-0.5Cu, showed poor wetting properties as the reaction temperature decreased to 230oC. Variation of Ag concentration in the Sn-xAg-0.5Cu alloy shifted exothermic peaks indicating the undercooling temperature in DSC curve. For the aging process at 170oC, the thickness of IMCs at the board-side solder/Cu interface increased with the Ag concentration.

• 한국진공학회지
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• 제4권1호
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• pp.32-39
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• 1995

SnO2/AI/Ag/AI/SnO2층 구조로 이루어진 열처리 가능한 열선반사막을 직류 스퍼터링법에 의해 soda-lime silicate 유리위에 형성시켰다. 이 코팅유리를 $650^{\circ}C$에서 열처리하면 가시광선 투과율 85%이상, plasma wavelength 970nm 이하를 얻을 수 있었다. 따라서 이 구조의 막은 유리 곡가공에 견디는 열적 안정성을 나타내었으며, 코팅유리의 열처리에 따른 전기적 특성 및 열적 안정성은 각각 Ag와 AI층의 두께에 의존하였다.

• 대한화학회지
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• 제65권5호
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• pp.401-405
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• 2021

• 마이크로전자및패키징학회지
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• 제12권1호
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• pp.35-40
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• 2005

전자 부품에 인체에 유해한 납을 사용하지 않기 위해서 Sn을 주 원소로 한 무연 솔더 합금의 개발이 활발히 진행되고 있다. 무연 솔더 합금의 열역학적, 기계적 특성은 많이 연구되었으나 산화 거동에 대해서는 거의 연구가 되어있지 않다. 따라서 본 연구에서는 Sn 및 Sn-0.7Cu, Sn-3.5Ag, Sn-lZn, Sn-9Zn 합금에 대해 $150^{\circ}C$ 산화 거동을 연구하였다. 전기화학적 환원 분석을 통해 표면에 형성된 산화물의 종류와 양을 분석하여 합금 원소에 따른 산화 거동을 비교하였고 XPS 표면분석을 통하여 환원 실험 결과를 뒷받침하였다. 또한 합금 원소에 따른 산화물 성장 속도를 비교하였다. Sn-0.7Cu 와 Sn-3.5Ag의 경우 Sn의 산화와 비슷한 거동을 보였다. 산화 초기에는 SnO가 형성되고 산화가 진행됨에 따라 SnO 와 $SnO_2$가 같이 존재하되 $SnO_2$가 우세하게 성장하였다. Zn를 포함한 Sn 합금의 경우 ZnO와 $SnO_2$가 형성되었다. Zn의 첨가로 인해 $SnO_2$의 형성이 촉진되었고 SnO는 억제하는 것을 발견하였다.

• 한국전기전자재료학회논문지
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• 제30권2호
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• pp.81-85
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• 2017

$SnO_2/Ag/Nb_2O_5/SiO_2/SnO_2$ multilayer films were prepared on glass substrate by sequential using RF/DC magnetron sputtering at room temperature. The influence of top $SnO_2$ layer thickness on optical and electrical properties of the multilayer films was investigated. Experimentally measured results exhibit transmittances over 84.3 ~ 85.8% at 550 nm wavelength. As the top $SnO_2$ layer thickness increased from 40 to 55 nm, the sheet resistance (Rs) increased from 5.81 to $6.94{\Omega}/sq$. The Haacke's figure of merit (FOM) calculated for the samples with various $SnO_2$ layer thicknesses was a maximum at 45 nm ($35.3{\times}10^{-3}{\Omega}^{-1}$).

• 한국분말재료학회지
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• 제18권4호
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• pp.372-377
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• 2011

In this study, we reported the microstructure and properties of Ag-$SnO_2$ contact materials fabricated by a controlled milling process with subsequent consolidation. The milled powders were consolidated to bulk samples using a magnetic pulsed compaction process. The nano-scale $SnO_2$ phases were distributed homogeneously in the Ag matrix after the consolidation. The relative density and hardness of the Ag-$SnO_2$ contact materials were 95~96% and 89~131 Hv, respectively.

• 한국표면공학회지
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• 제54권3호
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• pp.119-123
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• 2021

SnO₂ single layer and SnO₂/Ag/SnO₂ (SAS) tri-layered films were deposited on the glass substrate by RF and DC magnetron sputtering at room temperature and then the effect of Ag interlayer on the opto-electrical performance of the films were considered. As deposited SnO₂ films show a visible transmittance of 85.5 % and a sheet resistance of 1.2×10⁴ Ω/□, the SAS films with a 15 nm thick Ag interlayer show a lower resistance of 18.8 Ω/□ and a visible transmittance of 70.6 %, respectively. The figure of merit based on the optical transmittance and sheet resistance revealed that the Ag interlayer in the SnO₂ films enhances the opto-electrical performance without substrate heating or annealing process.

• 한국표면공학회지
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• 제52권3호
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• pp.145-149
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• 2019

Transparent and conductive ZnO/Ag/SnO2 (ZAS) tri-layer films were deposited onto glass substrates at room temperature by using radio frequency (RF) and direct current (DC) magnetron sputtering. The thickness values of the ZnO and $SnO_2$ thin films were kept constant at 50 nm and the value for Ag interlayer was varied as 5, 10, 15, and 20 nm. In the XRD pattern the diffraction peaks were identified as the (002) and (103) planes of ZnO, while the (111), (200), (220), and (311) planes could be attributed to the Ag interlayer. The optical transmittance and electrical resistivity were dependent on the thickness of the Ag interlayer. The ZAS films with a 10 nm thick Ag interlayer exhibited a higher figure of merit than the other ZAS films prepared in this study. From the observed results, a ZAS film with a 10 nm thick Ag interlayer was believed to be an alternative transparent electrode candidate for various opto-electrical devices.

• 한국재료학회지
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• 제11권7호
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• pp.603-608
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• 2001

졸겔법에 의해 제조된$ MO-SiO_2$(M=Zn, Sn, In, Ag, Ni)이성분계 실리카 겔에서 금속이온의 종류에 따른 실리카 구조의 변화를 XRD, FT-lR, $^{29}$Si-NMR로 분석하였다. XRD peak을 관찰한 결과 $Ag-SiO_2$겔에서 $AgNO_3$의 부분적인 재결정화가 나타났지만, 첨가된 금속이온과 실리카 매트릭스의 결합에 의한 결정상은 관찰되지 않았다. FT-IR 분석결과 첨가되는 금속이온 중 Zn, Sn, In은 부분적으로 Si-O-M의 결합형태를 이루어 Si-O-Si 대칭 진동에 의한 흡수 peak의 위치를 변화시켰다. $^{29}$Si-NMR 관찰에 의해 Zn, Sn, In등의 금속이온은 실리카의 저온 졸겔 반응에 영향을 미치지 않고 불완전한 네트워크를 갖는 선형적 실리카 구조 내에서 비가교 산소와 결합하며 존재하였다. Ag, Ni는 실리카 네트워크가 형성되는 과정에서 실리카 형성을 위한 졸겔반응의 촉매로서 작용하여, 이러한 금속이온이 첨가된 실리카 네트워크는 보다 치밀한 구조적 특성을 나타내었다.

• 대한전기학회:학술대회논문집
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• 대한전기학회 1987년도 정기총회 및 창립40주년기념 학술대회 학회본부
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• pp.231-233
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• 1987

A study has been made on the electrical properties of sintered Ag-$SnO_2$ composite materials. Hardness increased with $SnO_2$ contents increasing while the electrical conductivity decreased. The weight loss after are erosion test was decreased with $SnO_2$ contents increasing to 10 (w/o) $SnO_2$.