Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제16권3호
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pp.139-141
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2015
Contact resistance of interface between the channel layers and various S/D electrodes was investigated by transmission line method. Different electrodes such as Ti/Au, a-IZO, and multilayer of a-IGZO/Ag/a-IGZO were compared in terms of contact resistance, using the transmission line model. The a-IGZO TFTs with a-IGZO/Ag/a-IGZO of S/D electrodes showed good performance and low contact resistance due to the homo-junction with channel layer.
We investigate the transparent TFTs using a transparent ZnSnO3 (ZTO)/Ag/ZTO multilayer electrode as S/D electrodes with low resistivity of $3.24{\times}10^{-5}$ ohm-cm, and high transparency of 86.29% in ZTO based TFTs. The Transparent TFTs (TTFTs) are prepared on glass substrate coated 100 nm of ITO thin film. On atomic layer deposited $Al_2\;O_3$, 50 nm ZTO layer is deposited by RF magnetron sputtering through a shadow mask for channel layer using ZTO target with 1 : 1 molar ratio of ZnO : $SnO_2$. The power of 100W, the working pressure of 2mTorr, and the gas flow of Ar 20 sccm during the ZTO deposition. After channel layer deposition, a ZTO (35 nm)/Ag (12 nm)/ZTO(35 nm) multilayer is deposited by DC/RF magnetron sputtering to form transparent S/D electrodes which are patterned through the shadow mask. Devices are annealed in air at 300$^{\circ}C$ for 30 min following ZTO deposition. Using UV/Visible spectrometer, the optical transmittances of the TTFT using ZTO/Ag/ ZTO multilayer electrodes are compared with TFT using Mo electrode. The structural properties of ZTO based TTFT with ZTO/Ag/ZTO multilayer electrodes are analyzed by high resolution transmission electron microscopy (HREM) and X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). The transfer and output characterization of ZTO TTFTs are examined by a customized probe station with HP4145B system in are.
Indium tin oxide (ITO) used a transparent electrode of a photoelectric device has a low sheet resistance and a high transmittance. However, ITO is disadvantageous in that the process cost is expensive, and the process time is long. Silver nanowires (AgNWs) transparent electrodes are based on a low cost solution process. In addition, it has attracted attention as a next-generation transparent electrode material that replaces ITO because it has similar electrical and optical characteristic to ITO, it is noted as a. AgNW thin films are mainly produced by spin-coating. However, the spin-coating process has a disadvantage of high material loss. In this study, the material loss was reduced by using about 2~10 ㎕ of AgNW solution on a (25 × 25) ㎟ substrate using the shear-coating method. It was also possible to align AgNWs in the drag direction by dragging the meniscus of the solution. The electro-optical properties of the AgNW thin film were adjusted by changing the experimental parameters that the amount of AgNWs suspension, the gap between the substrate and the blade, and the coating speed. As a result, AgNW thin films with a transmittance of 90.7 % at a wavelength of 550 nm and a sheet resistance of 15 Ω/□ was deposited and exhibited similar properties to similar AgNW transparent electrodes studied by other researchers.
Recently, advances in nano-material researches have opened the door for various transparent conductive materials, which include carbon nanotube, graphene, Ag and Cu nanowire, and printable metal grids. Among them, Ag nanowires are particularly interesting to synthesize because bulk Ag exhibits the highest electrical conductivity among all metals. Here we reviewed recently-published research works introducing various devices from organic light emitting diode to tactile sensing devices, all of which are employing AgNW for a conducting material. They proposed methods to enhance the stretchability and reversibility of the transparent electrodes, and apply them to make various flexible and stretchable electronics. It is expected that Ag nanowires are applicable to a wide range of high-performance, low-cost, stretchable electronic devices.
연속적인 1차원의 나노섬유를 제작하는데 빠르고 효과적인 방법인 전기방사법을 이용하여 Ag 나노섬유로 이루어진 투명전극을 제작하고 그 특성을 측정하였다. 전기방사를 통해 제조된 Ag 나노섬유는 큰 종횡비를 갖게 되며 열처리를 통해 생성된 섬유사이의 fused junction이 접촉저항을 낮추어 전기적 특성을 향상시킨다. Ag/고분자 용액을 졸-겔 방법을 이용하여 제조한 후 glass 기판위에 방사시켜 Ag/고분자 나노섬유 구조체를 제작하고 $200{\sim}500^{\circ}C$, 2시간 열처리하여 고분자가 일정부분 제거되고 전도성이 향상된 Ag 나노섬유 투명전극을 제조하였다. Ag 나노섬유의 모폴로지를 FE-SEM을 통해 확인하였고 Ag 나노섬유 투명전극의 투과도와 면저항을 UV-vis-NIR spectroscopy와 I-V특성 측정장치를 사용하여 측정하였다. 투과도 83%에서 면저항 $250{\Omega}/sq$의 투명전극을 제작하였으며 전도성필름에 적합한 수준이다. Ag 나노섬유로 이루어진 투명 전극은 전기적, 광학적, 기계적 특성이 우수하여 차세대 유연 디스플레이에 적용 가능성을 보여준다.
In this paper a printing process for patterning electrodes on large area substrate was developed by combining screen printing with reverse off-set printing. Ag ink was uniformly coated by screen printing. And then etching resist (ER) was patterned in the Ag film by reverse off-set printing, and then the non-desired Ag film was etched off by etchant. Finally, the ER was stripped-off to obtain the final Ag patterns. We extracted the suitable conditions of reverse Using the process we successfully fabricated gate electrodes and scan bus lines of OTFT-backplane used for e-paper, in which the diagonal size was 6 inch, the resolution $320{\times}240$, the minimum line width 30 um, and sheet resistance 1 ${\Omega}/{\Box}$.
한국정보디스플레이학회 2008년도 International Meeting on Information Display
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pp.648-650
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2008
We used micro-contact printing for source and drain electrodes of OTFTs. The proper solvent of Ag paste and baking temperature were extracted for PVP gate dielectric and pentacene semiconductor. The mobility was 0.025 cm2/V.sec and on/off ratio was $2{\times}10^5$.
Zinc tin oxide transparent thin film transistors (ZTO TTFTs) were fabricated by using $n^+$ Si wafers as gate electrodes. Indium (In), aluminum (Al), indium tin oxide (ITO), silver (Ag), and gold (Au) were employed for source and drain electrodes, and the mobility and the threshold voltage of ZTO TTFTs were observed as a function of electrode. The ZTO TTFTs adopting In as electrodes showed the highest mobility and the lowest threshold voltage. It was shown that Ag and Au are not suitable for the electrodes of ZTO TTFTs. As the results of this study, it is considered that the interface properties of electrode/ZTO are more influential in the properties of ZTO TTFTs than the conductivity of electrode.
0.2 mo1% La doped BaTiO3 samples were prepared by a wet chemical process (Pechini process) and electrical conductivity were measured from annealing temperatures(800-110$0^{\circ}C$) to room temperature continuously. 2 probe I-V characteristics showed that Pt electrodes were non-ohmic below about 80$0^{\circ}C$ for Ladoped sample. I-V curves showed varistor behavior and breakdown voltages showed PTC-like behavior. AC complex impedance of 0.2 La and 0.05 Mn mo1% doped BaTiO3 samples with three different electrodes (electroless Ni, Pt, Ag electrodes) were measured with temperature variation. Complex impedance plots showed that the samples with electroless Ni electrodes have negligible electrode resistance. Samples with Ag or Pt paste electrodes showed large electrode resistance. PTC effect, which is defined as the ratio of maximum resistance to minimum resistance, was found to be less than 10 for 0.2 mo1% La doped dense sample however greater than 105 with codoping of 0.05 mo1% Mn and 0.2 mol% La.
In this study, a new method for fabricating flexible transparent electrodes based on silver nanowire-polymer (AgNW-PEDOT:PSS) composite materials having a mesh pattern formed by a solution-based process without lithography was proposed. By optimizing conditions such as the amount of ultraviolet (UV) photosensitizer injected into the suspension of AgNW and PEDOT:PSS, UV exposure time, and deionized (DI) washing time, a clear and uniform mesh pattern was obtained. For the fabricated AgNW-PEDOT:PSS-based mesh-type electrodes, characteristics such as electrical sheet resistance, light transmittance, haze, and bending flexibility were analyzed according to the mixing ratio of AgNW and PEDOT:PSS included in the suspension. The fabricated mesh electrodes typically exhibited a low electrical sheet resistance of less than 20 Ω/sq while maintaining a high transmittance of 80% or more. In addition, it was confirmed from the results of analyzing the effect of PEDOT:PSS on the characteristics of the mesh-type AgNW-PEDOT electrode that the optical visibility was greatly enhanced by reducing the surface roughness and haze, and the bending flexibility was remarkably improved.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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