최근 휴대용 정보전자기기의 비약적인 사용의 증가는 충격에 보다 강한 디스플레이에 대한 연구를 발전시키는 계기가 되었다. 일부 제조회사에서 AMOLED를 사용한 디스플레이에서 유연한 특성을 가진 제품을 선보이고 있으나, 그 사용량에 있어서 압도적으로 많은 부분을 차지하고 있는 것은 LCD 이다. 특히 LCD는 구조적인 문제로 인하여 반드시 후면광원을 사용하여야 하는데, 면발광형식의 조광장치를 얇은 두께로 구현하는데 사용되는 것이 아크릴 재질의 도광판이다. 본 연구에서는 유연하지 않은 메틸메타아크릴레이트에 부틸 아크릴레이트 고무계열의 합성재료를 첨가하여 유연성을 유지하고, 투과율을 90%까지 상승시킨 KURARITY 라는 재질을 사용한 패턴의 설계 및 성형 결과를 통해서 유연한 후면광원의 가능성을 평가하는데 주력하였다. 평가 결과 기존의 광원과 동일한 수준의 밝기 및 휘도 균일도를 얻을 수 있었다.
Chin, Byung-Doo;Suh, Min-Chul;Kim, Mu-Hyun;Kang, Tae-Min;Yang, Nam-Choul;Song, Myung-Won;Lee, Seong-Taek;Kwon, Jang-Hyuk;Chung, Ho-Kyoon;Wolk, Martin B.;Bellmann, Erika;Baetzold, John P.
한국정보디스플레이학회:학술대회논문집
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한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
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pp.163-166
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2003
Laser-Induced Thermal Imaging (LITI) is a laser addressed patterning process and has unique advantages, such as high-resolution patterning with over-all position accuracy of the imaged stripes within 2.5 micrometer and scalability to large-size mother glass. This accuracy is accomplished using real-time error correction and a high -resolution stage control system that includes laser interferometers. Here the new concept of mixed hybrid system which complement the advantages of small molecular and polymeric materials for use as an OLED; our system can realize the easy processing of polymers and high luminance efficiency of recently developed small molecules. LITI process enables to pattern the stripes with excellent thickness uniformity and multi-stacking of various functional layers without using any type of fine metal shadow mask. In this study, we report a full-color hybrid OLED using the multi-layered structure of small molecular/polymeric species.
한국정보디스플레이학회 2003년도 International Meeting on Information Display
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pp.43-49
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2003
Low-temperature polysilicon (LTPS) technology has continued to mature with the passing of each year since LTPS mass production began. The integration of complex circuits has become possible with advances in microprocessing, leading to the realization of panels with highly advanced functions. At the same time, efforts have been made to meet market demands for lower costs, thereby boosting competitive strength. Today, LTPS-TFT LCDs have become standard equipment for the monitors of digital still cameras, and inroads are being made into the massive cellular phone market. Micro displays such as electronic viewfinders, which were previously only possible with high-temperature polysilicon technology, can now also be made with LTPS, thus expanding the scope of the technology. AMOLED displays using the LTPS-TFT as a back plane are also approaching the stage of industrialization. The hidden potential for the OLED to replace the familiar LCD has prompted Widespread anticipation for this emerging technology. This paper reflects on the history of LTPS technology, then looks forward to its future prospects and suggests a variety of potential fields of application.
When a substrate with a pixel-defining layer (bank) is coated, there arises capillary force due to surface tension and adhesive forces between a solvent and the bank layer. It brings in a degradation of film thickness and emission uniformities within pixels. With an attempt to suppress it, we have performed fluid flow simulations of capillary arise by varying the contact angle of bank and the bank structure. We have first demonstrated that the fluid flow model can reproduce the capillary phenomenon that was observed experimentally. It has been found that capillary arise can be suppressed using a hydrophobic material for the bank layer. Furthermore, it was suppressed by tilting the sidewalls outwardly (i.e., using a positive photoresistor). We can obtain very uniform films when the slope is $50^{\circ}$ with the contact angle of $40^{\circ}$.
한국정보디스플레이학회 2009년도 9th International Meeting on Information Display
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pp.1040-1043
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2009
a-IGZO is an attractive material to make an AMOLED device with uniform TFT properties for use in a large size display. However, this material shows TFT properties that are very sensitive to water or hydrogen. Therefore, it is essential to control these critical factors during fabrication of the backplane in order to improve the TFT performance. In this paper, we report the effect of passivation layer properties on the performance of the oxide TFTs.
한국정보디스플레이학회 2007년도 7th International Meeting on Information Display 제7권1호
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pp.145-148
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2007
The authors report on the fabrication of thin film transistors (TFTs) that use amorphous indium-gallium-zinc oxide (a-IGZO) channel and have the channel length (L) and width (W) patterned by dry etching. To prevent the plasma damage of active channel, a 100-nm-thckness $SiO_{x}$ by PECVD was adopted as an etch-stopper structure. IGZO TFT (W/L=10/50${\mu}m$) fabricated on glass exhibited the high performance mobility of $35.8\;cm^2/Vs$, a subthreshold gate voltage swing of $0.59V/dec$, and $I_{on/off}$ of $4.9{\times}10^6$. In addition, 4.1” transparent QCIF active-matrix organic light-emitting diode display were successfully fabricated, which was driven by a-IGZO TFTs.
최근 아연산화물과 같은 무기산화물 박막 트랜지스터를 디스플레이의 구동 소자, RFID, 스마트 창으로 활용하기 위한 연구가 많이 이루어지고 있다. 특히, 산화아연 박막 트랜지스터는 기존의 비정질 실리콘이나 저온 제작된 다결정 실리콘을 active layer로 사용해 제작된 소자에 비하여 AMOLED나 AMLCD를 구동하기 충분한 전자 이동도, 환경적으로 안정한 특성을 보이고 비교적 저렴한 가격으로 제작 가능하며 넓은 밴드갭으로 인하여 가시광선 영역에서 투명한 특성을 보인다. 본 연구에서는 Zinc acetate dehydrate를 전구체로 사용하고 ethanolamine 을 솔 안정화제로 사용하여 간단하고 경제적인 솔-젤 방법을 통하여 Zinc Oixde (ZnO)를 active layer로 사용한 박막 트랜지스터를 제작하였다. ZnO 박막 트랜지스터는 전구체 용액을 기판 위에 스핀 코팅한 후 열처리 과정을 통하여 제작되었고 제작된 ZnO 박막 트랜지스터는 가시광선 영역에서 높은 투과도 (>90%) 를 보였다. 산화 아연 박막 트랜지스터의 특성을 향상 시키기 위하여 전구체 용액의 농도 조절, ZnO 박막의 두께 조절, 열처리 온도의 조절 등과 같은 연구를 수행하였다. 여러 공정 조건의 변화를 통하여 최적화된 ZnO 박막 트랜지스터는 전하 이동도가 9.4 cm^2/Vs, sub-threshold slope이 3.3 V/dec 그리고 on-to-off current ratio가 5.5${\times}$10^5로 디스플레이 소자를 구동하기 충분한 특성을 보였다.
유기 분자들은 대부분 전기가 잘 통하지 않아, 그 응용이 매우 제한적이었으나, 1985년의 C. W. Tang 교수의 다층 구조 전자소자의 보고를 기점으로 급격한 발전을 이루었다. 현재는 유기분자를 이용한 디스플레이인 AMOLED(아몰레드)를 적용한 스마트폰, TV등이 상용화 되었을 정도로 기술 성숙도가 매우 높아졌다. 그러나 여전히 분자 시스템에서의 전하 수송에 대해서는 하나의 정립된 모델이 없다. 일례로, 밴드 수송과 호핑 수송 등 두 가지 다른 전하수송 특성이 보고되고 있다. 본 발표에서는 계면 에너지레벨 접합과, 분자층 내부의 분자간 상호작용(호핑 수송 위주로) 측면에서 분자 시스템의 전하 수송에 대해 논의한다.
현대 사회가 고도의 정보화 사회로 변화하는 가운데 능동행렬 액정 표시 소자(AMLCD : Active Matrix Liquid Crystal Display)는 정보 디스플레이 분야에서 없어서는 안될 중요한 위치를 차지하게 됐다. AMOLED는 자체발광형이므로 LCD에 비해 시야각, contrast, 시인성이 우수하며, 화소를 낮은 전류 밀도로 구동시킨다는 장점이 있다. OLED 소자는 각 화소를 구동할 수 있는 박막 트랜지스타가 필요하며, OLED 소자와 결합된 TFT의 연구도 진행되고 있다. 더욱이 모바일 소자에서 낮은 구동 전압과 비용의 절감을 위해 System On Panels (SOP)에 대한 연구가 또한 진행되고 있다. LCD 패널위에 콘트롤러와 메모리와 같은 소자를 직접화시킴으로써 액정 표시 장치를 소형화시킬 수 있으며 신뢰성을 향상시킬 수가 있다. 본 연구에서는 SOP를 위한 ELA 방법을 통하여 결정화한 poly-Si TFT memory를 제작하여 전기적 특성을 조사하였다.
반도체 및 전자기기 산업에 있어서 NVM은 아주 중요한 부분을 차지하고 있다. NVM은 디스플레이 분야에 많은 기여를 하고 있는데, 측히 AMOLED에 적용이 가능하여 온도에 따라 변하는 구동 전류, 휘도, color balance에 따른 문제를 해결하는데 큰 역할을 한다. 본 연구에서는 bottom gate 구조의 nc-Si NVM 실험을 진행하였다. P-type silicon substrate (0.01~0.02 ${\Omega}-cm$) 위에 Blocking layer 층인 SiO2 (SiH4:N2O=6:30)를 12.5nm증착하였고, Charge trap layer 층인 SiNx (SiH4:NH3=6:4)를 20 nm 증착하였다. 마지막으로 Tunneling layer 층인 SiOxNy은 N2O (2.5 sccm) 플라즈마 처리를 통해 2.5 nm 증착하였다. 이러한 ONO 구조층 위에 nc-Si을 50 nm 증착후에 Source와 Drain 층을 Al 120 nm로 evaporator 이용하여 증착하였다. 제작한 샘플을 전기적 특성인 Threshold voltage, Subthreshold swing, Field effect mobility, ON/OFF current ratio, Programming & Erasing 특성, Charge retention 특성 등을 알아보았다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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