한국광학회 1989년도 제4회 파동 및 레이저 학술발표회 4th Conference on Waves and lasers 논문집 - 한국광학회
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pp.235-241
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1989
Static according tests were carried out on a series of amorphous TbFe thin films of various composition under a constant laser irradiation condition. Examination of recorded domain configurations by using polarizing microscope led to the categorization of domain characteristics into 3 distinctly different types; i.c., type A: circular domains with smooth boundaries, the size not sensitive to variation of bias field, type B: domains of irregular shape at low bias, the size increasing and the boundaries getting smoother and more circular with increasing bias field and type C: not recordable. Critical factor which distinguishes among each types was fond to be the relative magnitude of H and H of the film near T, regardless of constituent atomic species. Micromagnetical process of thermomagnetic recording cycle was analyzed scheniatically for each type.
본 연구에서는 신용보증기금으로부터 보증받은 기업의 미시적 성과를 분석하기 위해 비보증기업과 비교 분석하였다. t-test나 회귀모형과 같은 단순모형으로 비교하게 되면 선택편의에 의해 실제 보증성과를 나타낼 수 없다. 이러한 문제점을 해결하기 위해서, 선택편의를 보정한 회귀모형을 제안하였고 실제 자료에 적용하였다. 분석결과 비보증기업에 비하여 보증기업의 미시적 성과를 확인할 수 있었다.
본 연구는 지각된 취약성(Perceived Susceptibility)에 있어서 왜곡현상이라고 할 수 있는 낙관적 편견 외에, 지각된 통제성(Percived Controllbility)에 있어서의 왜곡현상인 통제성 편향(Illusion of Control)을 포함하여 이들 두 변인이 COVID 19 관련 개인방역행동 및 사회적 거리두기 실천과 어떠한 영향관계를 가지는지 검증하고자 하였다.이를 위해 마크로밀 엠브레인의 온라인 패널을 활용하여 설문조사를 실시하였으며, 마스크 착용, 손씻기, 손소독제 사용 등의 개인방역행동을 독립변인으로 하여, 통제성 편향과 낙관적 편견에 어떻게 영향을 주는지를 분석하고, 아울러 낙관적 편견이 사회적 거리두기에 어떠한 영향을 주는지를 회귀분석방법을 통해 분석하였다. 분석 결과, COVID 19 개인방역행동 중 손씻기 실천을 제외하고는 통제성 편향에 유의적인 영향을 주고 있지 않았다. 본 연구에서는 통제성 편향이 낙관적 편견에 영향을 주는 변인인 것으로 나타났으며, 특히 성별과 연령 등 인구학적 변인에 따라 개인방역행동이 통제성 편향에 주는 영향, 통제성 편향이 낙관적 편향에 주는 영향, 그리고 낙관적 편향이 사회적 거리두기에 주는 영향이 다르게 나타났다. 이는 향후 사회적 거리두기 촉진을 위한 개입 프로그램을 마련하는 과정에서 타겟별 차별화된 전략 및 메시지를 마련할 수 있는 근거를 제시해 줄 수 있을 것으로 보인다.
본 논문은 서로 두께가 다른 실리콘 산화막의 스트레스 바이어스에 의한 트랩밀도를 조사하였다. 스트레스 바이어스에 의한 트랩밀도는 인가 시간 동안의 전류와 인가 후의 전류로 구성되어 있다. 인가 시간 동안의 트랩밀도는 직류 전류로 구성되었으며 인가 후의 트랩 밀도는 계면에서 트랩의 충전과 방전에 의한 터널링에 희해 야기되었다. 스트레스 인가 동안의 트랩밀도는 산화막 두께의 한계를 평가하는데 사용되며 스트레스 인가 후의 트랩밀도는 비휘발성 기억소자의 데이터 유지 특성을 평가하는데 사용된다.
수직자기이방성을 갖는 [Pd(0.6 nm)/$Co(0.2)]_5$/FeMn(10) 다층박막 구조를 이용하여 삽입층 물질과 각 물질의 두께 증가에 따른 보자력(coercivity, $H_c$)과 교환력(exchange bias, $H_{ex}$)의 변화를 관찰하였다. $[Pd(0.6 nm)/Co(0.2)]_4$/Pd(0.6)/NiFe(t)/FeMn(10) 구조에서 Co 대신에 NiFe를 삽입하였을 때 0.78 nm와 1.28 nm에서 360 Oe의 교환바이어스를 얻었다. [Pd(0.6 nm)/$Co(0.2)]_5$/FeMn(10) 다층박막 구조에서 Co/FeMn 사이 계면에 $Co_8Fe_2$와 $Co_9Fe_1$ 물질을 삽입하여 두께 증가에 따라 $Co_8Fe_2$의 경우 0.68 nm에서 30 Oe 증가한 380 Oe의 교환바이어스를 얻었다. $Co_9Fe_1$ 경우 두께 0.52 nm에서 약 200 Oe 증가한 580 Oe 가장 큰 교환바이어스를 얻었다.
Kim, Do-Kyeong;Oh, Yeong-Jun;Kim, Sang-Hyun;Hong, Kyeong-Jin;Jung, Haeng-Yeon;Kim, Hoy-Jin;Jeon, Myeong-Seok
Transactions on Electrical and Electronic Materials
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제14권4호
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pp.177-181
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2013
In this paper, silicon solar cells are analyzed regarding power conversion efficiency by changed capacitance in the depletion region. For the capacitance control in the depletion region of silicon solar cell was applied for 10, 20, 40, 80, 160 and 320 Hz frequency band character and alternating current(AC) voltage with square wave of 0.2~1.4 V. Academically, symmetry formation of positive and negative change of the p-n junction is similar to the physical effect of capacitance. According to the experiment result, because input of square wave with alternating current(AC) voltage could be observed to changed capacitance effect by indirectly method through non-linear power conversion (Voltage-Current) output. In addition, when input alternating current(AC) voltage in the silicon solar cell, changed capacitance of depletion region with the forward bias condition and reverse bias condition gave a direct effect to the charge mobility.
InAs/GaSb 제2형 응력 초격자(strained layer type II superlattice, T2SL)을 이용한 nBn 구조 장적외선 검출소자의 설계 및 제작을 하였다. InAs와 GaSb 두께에 따른 T2SL 구조의 장적외선 밴드갭 에너지를 Kronig-Penney 모델을 이용하여 계산하였다. 소자의 암전류 밀도를 줄이기 위해서, nBn 구조에서 장벽층인 $Al_{0.2}Ga_{0.8}Sb$ 성장 중에 Te 보상도핑(compansated doping)을 하였다. 온도(T) 80 K 및 인가전압($V_b$) -1.5 V에서, 반응스펙트럼 측정을 통한 소자의 차단파장은 ${\sim}10.2{\mu}m$ (~0.122 eV)로 나타났다. 또한 온도 변화에 따른 암전류 측정으로부터 도출된 활성화 에너지는 0.128 eV로 계산 되었다. T=80 K 및 $V_b$=-1.5 V에서 암전류는 $1.0{\times}10^{-2}A/cm^2$으로 측정되었다. 흑체복사 적외선 광원을 이용한 반응도(Responsivity)는 소자 온도 80 K 및 인가전압 -1.5 V의 조건에서 0.58 A/W로 측정되었다.
We develop parametric bootstrap model selection criteria in an example to fit a random sample to either a general normal distribution or a normal distribution with prespecified mean. We apply the bootstrap methods in two ways; one considers the direct substitution of estimated parameter for the unknown parameter, and the other focuses on the bias correction. These bootstrap model selection criteria are compared with AIC. We illustrate that all the selection rules reduce to the one sample t-test, where the cutoff points converge to some certain points as the sample size increases.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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