Showkat, Ali Md.;Zhang, Yu-Ping;Kim, Min Seok;Kim, Sang-Ho;Choi, Seong-Ho;Lee, Kwang-Pill
분석과학
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제17권1호
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pp.23-28
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2004
Trace amount of uranyl (II) has been determined spectrophotometrically by measuring the optical density of the light blue yellowish coloured solutions formed by reaction between the metal ion and nicotinohydroxamic acid (NHx) in presence of different secondary ligands in strong isoamyl alcohol alkaline medium. The absorption maxima for both aqueous and extracted systems measured at their respective optimum pH were found to be 360 and 559 nm (DETA), 375 and 358 nm (EDA), 369 and 362 nm (piperidine), 354 and 341 nm (pyridine) and 363 and 336 nm (3 piperidine), 354 and 341 nm (pyridine) and 363 and 336 nm (3 - picoline), respectively at which Beer's law was obeyed. Effect of pH, reagent concentration, order of addition of reagent, time, temperature and solvent media on the absorption spectra have also been studied. Among the different systems studied, the shortest concentration range of uranyl(II) adhering to Beer's Law was 2.4 - 10.5 ppm observed for $UO_2(II)$ - NHx - DETA system in aqueous medium and also for iso amyl alcohol(IAA) extracted $UO_2$ - NHx - pyridine system was 2.4 - 7.8.
($Ba_{0.7}Sr_{0.3})TiO_3$박막을 ITO-coated glass 기판위에 spin-coating법으로 제조하였다. 제조된 용액을 초음파 bath 내에서 초음파 처리하여 균일화를 촉진시킨 후 박막을 제조하여 초음파 처리하지 않은 용액으로 제조한 박막과의 비교를 통하여 초음파 효과를 알아보았다. 용액의 초음파 처리로 박막의 결정화 온도를 다소 낮추었으며 박막의 표면이 보다 균일하고 치밀화되었고 거칠기도 8.4nm에서 5.6nm로 더 낮아졌다. 그리고 박막의 투광성 및 전기적 특성 또한 용액의 초음파 처리로 인하여 향상되었다.
가시광선에 감응하는 광촉매를 제조하기 위하여 $TiO_2$에 질소(N)를 도핑하여 $N-TiO_2$를 제조하였다. 제조한 광촉매의 결정성, 입자 형상 및 도핑 상태는 XRD, FE-SEM 및 XPS를 이용하여 조사하였다. 제조한 광촉매의 활성 평가는 메틸렌블루의 광분해로 조사하였다. 제조한 광촉매는 anatase type이었으며, pH가 높을수록 결정화도가 향상되었다. 제조한 광촉매의 입자 크기는 pH 2.0에서 5.42 nm, pH 4.7에서 5.99 nm, pH 9.0에서 7.58 nm로, 입자 크기는 pH가 증가 할수록 약간씩 증가하였다. 광촉매의 활성은 결정화도에 비례하였다. $TiO_2$에 N를 도핑하여 제조한 $N-TiO_2$가 가시광선 하에서도 활성을 나타냈다. $TiO_2$에 도핑한 N는 격자 속에 존재하는 것이 아니라 표면에 존재하였다.
A UV-MFRSR instrument was used to measure the global and diffuse irradiances in 7 narrowband channels in the UV range 299.4, 304.4, 310.9, 317.3. 324.5, 331.3 and 367.4 nm at Gwangju ($35^{circ}\;13'N\;126^{circ}\;50'E$), Korea. Spectral UV-AOD was retrieved using the Langley plot method for data collected from April 2002 to July 2004. Temporal variation of AOD at 367.4 nm ($AOD_{367nm}$) showed a maximum in June ($0.95\pm0.43$) and a minimum in February ($0.31\pm0.14$). Clear seasonal variation of $AOD_{367nm}$ was observed with average values of $0.68\pm0.29,\;0.82\pm0.41,\;0.48\pm0.22\;and\;0.42\pm0.21$ in spring, summer, fall and winter, respectively, Average Angstrom exponent for the entire monitoring period was $2.03\pm0.75$ in the UV-A ($324.5\∼367.4$ nm) range. Seasonal variation of the Angstrom exponent showed a maximum in spring and a minimum in summer. The lowest Angstrom exponent in summer might be due to hygroscopic growth of particles under conditions of high relative humidity. UV-AOD changes under different atmospheric conditions were also analyzed. Uncertainty in retrieving spectral UV-AOD was also estimated to range between $\pm0.218\;at\;304.4\;nm\;and\;\pm0.135\;at\;367.4\;nm$. Major causes of uncertainty were total column ozone retrieval and extraterrestrial irradiance retrieval at shorter and longer wavelengths, respectively.
불소 함유 디올(diol)과 친수성기 함유 디올을 사용하여 수용성 불소계 폴리우레탄을 합성하여, 반응물의 조성이 합성된 폴리우레탄의 대표적 물성인 표면자유에너지와 수분산성에 미치는 영향을 조사하였다. 폴리올보다 이온성부여 디올이 분산성 향상에 효과적이었으며, 전체 폴리올(polyol)에 대한 이온성 친수성기 함유 디올의 몰 비가 0.3~0.7의 범위를 가질 때, 합성된 폴리우레탄의 수용액에 분산된 입자 지름이 610~310nm로 안정된 유화물을 형성하였다. 폴리우레탄내의 불소 함량이 10 wt%까지 증가함에 따라 표면자유에너지는 22.3 dyn/cm에서 12.6 dyn/cm로 급격히 감소하였으며, 수분산된 입자의 지름은 380 nm에서 860nm로 증가하였다. 그 이유는 낮은 표면에너지와 강한 소수성을 갖는 불소집합체의 표면 배열로써 분자 상호간의 결합력이 증가하기 때문이다. 과불소알킬기를 포함하는 매크로단량체(macromonomer)의 강한 소수성 때문에 수용성 폴리우레탄의 단점인 소수성 하락의 보완에 더 효과적이었다.
Red phosphors, $Sr_2Si_5N_8:Eu^{2+}$, were synthesized as a single-phase crystal structure by optimizing carbon and $Eu^{2+}$ contents in a carbothermal reduction nitridation method. With increasing $Eu^{2+}$ contents, the photoluminescence spectra were red-shifted from 600 nm peak for 1 mol% for to 700 nm for 7 mol%. It was suggested that this red shift is attributed to the energy transfer from one low-energy sited $Eu^{2+}$ (1) to other high-energy sited $Eu^{2+}$ (2). Finally, the best red sample (620 nm emission peak and 80 nm half width for 3 mole% of $Eu^{2+}$) was packaged on a Blue LED together with two additional green and yellow phosphors, the fabricated White LED showed a high color-rendering index of 90 and white color coordinates of x= 0.321 and y = 0.305.
In multivariate analysis, absorbance spectrum is measured over a band of wavelengths. One does not often pay attention to the size of this wavelength band. However, it is desirable that spectrum is measured at only necessary wavelengths as long as the acceptable accuracy of prediction can be met. In this paper, the method of selecting an optimal band of wavelengths based on the loading vector analysis was proposed and applied for determining total protein in human serum using near-infrared transmission spectroscopy and PLSR. Loading vectors in the full spectrum PLSR were used as reference in selecting wavelengths, but only the first loading vector was used since it explains the spectrum best. Absorbance spectra of sera from 97 outpatients were measured at 1530∼1850 nm with an interval of 2 nm. Total protein concentrations of sera were ranged from 5.1 to 7.7 g/㎗. Spectra were measured by Cary 5E spectrophotometer (Varian, Australia). Serum in the 5 mm-pathlength cuvette was put in the sample beam and air in the reference beam. Full spectrum PLSR was applied to determine total protein from sera. Next, the wavelength region of 1672∼1754 nm was selected based on the first loading vector analysis. Standard Error of Cross Validation (SECV) of full spectrum (1530∼l850 nm) PLSR and selected wavelength PLSR (1672∼1754 nm) was respectively 0.28 and 0.27 g/㎗. The prediction accuracy between the two bands was equal. Wavelength selection based on loading vector in PLSR seemed to be simple and robust in comparison to other methods based on correlation plot, regression vector and genetic algorithm. As a reference of wavelength selection for PLSR, the loading vector has the advantage over the correlation plot since the former is based on multivariate model whereas the latter, on univariate model. Wavelength selection by the first loading vector analysis requires shorter computation time than that by genetic algorithm and needs not smoothing.
Kim, Dae-Hyun;del Alamo, Jesus A.;Lee, Jae-Hak;Seo, Kwang-Seok
JSTS:Journal of Semiconductor Technology and Science
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제6권3호
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pp.146-153
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2006
We have been investigating InGaAs HEMTs as a future high-speed and low-power logic technology for beyond CMOS applications. In this work, we have experimentally studied the role of the side-recess spacing $(L_{side})$ on the logic performance of 50 nm $In_{0.7}Ga_{0.3}As$ As HEMTs. We have found that $L_{side}$ has a large influence on the electrostatic integrity (or short channel effects), gate leakage current, gate-drain capacitance, and source and drain resistance of the device. For our device design, an optimum value of $L_{side}$ of 150 nm is found. 50 nm $In_{0.7}Ga_{0.3}As$ HEMTs with this value of $L_{side}$ exhibit $I_{ON}/I_{OFF}$ ratios in excess of $10^4$, subthreshold slopes smaller than 90 mV/dec, and logic gate delays of about 1.3 ps at a $V_{CC}$ of 0.5 V. In spite of the fact that these devices are not optimized for logic, these values are comparable to state-of-the-art MOSFETs with similar gate lengths. Our work confirms that in the landscape of alternatives for beyond CMOS technologies, InAs-rich InGaAs FETs hold considerable promise.
Al-doped ZnO(AZO) thin films were synthesized using atomid layer deposition(ALD), which acurately controlled the uniform film thickness of the AZO thin films. To investigate the electrical and optical properites of the AZO thin films, AZO films using ALD was controlled to be three different thicknesses (50 nm, 100 nm, and 150 nm). The structural, chemical, electrical, and optical properties of the AZO thin films were analyzed by X-ray diffraction, X-ray photoelectron spectroscopy, field-emssion scanning electron microscopy, atomic force microscopy, Hall measurement system, and UV-Vis spectrophotometry. As the thickness of the AZO thin films increased, the crystallinity of the AZO thin films gradually increased, and the surface morphology of the AZO thin films were transformed from a porous structure to a dense structure. The average surface roughnesses of the samples using atomic force microscopy were ~3.01 nm, ~2.89 nm, and ~2.44 nm, respectively. As the thickness of the AZO filmsincreased, the surface roughness decreased gradually. These results affect the electrical and optical properties of AZO thin films. Therefore, the thickest AZO thin films with 150 nm exhibited excellent resistivity (${\sim}7.00{\times}10^{-4}{\Omega}{\cdot}cm$), high transmittance (~83.2 %), and the best FOM ($5.71{\times}10^{-3}{\Omega}^{-1}$). AZO thin films fabricated using ALD may be used as a promising cadidate of TCO materials for optoelectronic applications.
진공급냉법을 이용하여 단성분계 $Sb_2O_3$ 유리를 제조하였다. 선형굴절율은 500-1000 nm 범위내에서 측정하였으며, 굴절율은 633 nm에서 2.0이었다. 에너지갭은 3.38 eV 이었으며, 3차 비선형 광학 감수율을 THG법을 이용하여 측정하였으며 단성분계 Silica 유리보다도 20배 큰 $5.68{\times}10^{-13}$ esu의 측정값을 얻었다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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