본 논문에서는 초고속 정보통신망의 무선인프라(INFRA)로 주목 받고 있는 LMDS(Local Multipoint Distribution Service) 시스템을 국내 환경에 적절한 망구조 및 서비스 구조로 설계하였을 때의 시스템구조와 국내 환경에 맞는 링크버짓을 분석하였으며, HUB 에 실장되는 Power Amplifier의 LPA급 또는 HPA급의 선택에 따른 셀반경 변화 분석, 그리고 채널 확장시의 시스템 설계구조와 특징을 분석하였다. 한편, 본 논문에서 분석을 위해 사용된 각종 피라메타들은 국내 정보통신부에서 고시한 허가주파수대역(상향: 24.25GHz-24.75GHz, 하향 25.5GHz-27.5GHz)를 적용하였고, 변복조방식 및 채널코딩에 관한 규정은 DAVIC에서 권고한 규격을 적용하였으며, 기상관련 자료는 ITU-R에서 보고한 자료를 참조하였다. 본 논문은 향후 통신망사업자가 국내 LMDS 서비스를 위한 최적의 망설계시 참고자료로 활용될 수 있도록 하였다.
본 논문에서는 이중공진 및 광대역, 고이득의 특성을 갖는 적층된 원형-디스크 마이크로스트립 1×4 배열 안테나를 차세대 이동통신인 IMT-2000시스템(상향링크: 1.885 GHz∼2.025 GHz, 하향링크: 2.11 GHz∼2.2 GHz)기지국에서 응용할 수 있도록 설계 제작 및 실험하였다. 실험결과 상향:l.885 GHz, 하향:2.178 GHz로 원하는 주파수대에서 정확히 이중 공진하고, 궤환 손실은 -30.19dB, -24.99dB로 나타났으며 VSWR은 각각 1.06, 1.43, 그리고 VSWR<2 에서의 대역폭 402 MHz, -3dB 빔 폭은 1.88 GHz에서( αE :16.8。, αH : 69。), 2.178 GHz에서(αE:15.2。, αH:51.5。)를 갖고, 이득은 사용 하고자 하는 주파수 전반에 거쳐 약 13.7 dBi∼15.21 dBi의 이득을 얻었다.
본 논문에서는 차량 추돌 방지 레이더용 24GHz 전압제어발진기를 제안한다. 제안한 회로는 TSMC $0.13-{\mu}m$ 고주파 CMOS 공정 ($f_T/f_{MAX}=120/140GHz$)으로 구현되어 있고, 1.5 볼트 전원전압에서 동작한다. 전체 칩 면적과 소비전력을 줄이기 위해 수동형 인덕터 대신 트랜지스터와 전류원으로 구성된 능동형 인덕터부를 사용하였다. 제작된 전압제어발진기는 기존 연구 결과에 비해 동작주파수에서 6.1mW의 낮은 소비전력 특성과 $0.06mm^2$의 매우 작은 칩 면적 특성을 보였다.
본 논문은 차량 단거리 레이더용 고 이득 24-GHz CMOS 저 잡음 증폭기를 제안한다. 이러한 회로는 1.8볼트 전원에서 동작하며, 저 전압 전원 공급에서도 높은 전압 이득과 낮은 잡음지수를 가지도록 설계하였다. 제안한 회로는 TSMC $0.13-{\mu}m$ 혼성신호/고주파 CMOS 공정($f_T/f_{MAX}=120/140GHz$)으로 설계되어 있다. 제안한 회로는 최근 발표된 연구결과에 비해 높은 전압이득 및 낮은 잡음지수 특성을 보였다.
본 논문에서는 차량 추돌 방지 단거리 레이더용 고 변환이득 및 저전력 24GHz CMOS 믹서를 제안한다. 이러한 회로는 2볼트 전원전압에서 동작하며, 저 전압 전원 공급에서도 높은 변환 이득과 낮은 잡음지수를 가지도록 설계되어 있다. 제안한 회로는 TSMC $0.13{\mu}m$ 혼성신호/고주파 CMOS 공정($f_T/f_{MAX}=120/140GHz$)으로 설계하였다. 전체 칩 면적을 줄이기 위해 실제 수동형 인덕터 대신 전송선을 이용하였다. 제안한 회로는 최근 발표된 연구결과에 비해 가장 높은 10.96dB의 변환이득, 7.6dBm의 IIP3를 보였고, 가장 적은 5mW의 소비전력 및 $0.2{\times}0.2m^2$의 칩 크기 특성을 보였다.
본 논문에서는 단거리 레이더용 차량 추돌 방지 24-GHz CMOS 고주파 전력 증폭기 (RF Power Amplifier)를 제안한다. 이러한 회로는 class-A 모드 증폭기로서 단간 (inter-stages) 공액 정합 (conjugate matching) 회로를 가진 공통-소스 단으로 구성되어 있다. 칩 면적을 줄이기 위해 실제 인덕터 대신 전송선(Transmission Line)을 이용하였다. 제안한 회로는 TSMC $0.13{\mu}m$ 혼성 신호/고주파 CMOS 공정 ($f_T/f_{MAX}=120/140GHz$)으로 설계하였다. 설계한 CMOS 고주파 전력 증폭기는 최근 발표된 연구결과에 비해 약 22dB의 높은 전력이득 및 7.1%의 높은 PAE 특성을 보였다.
FCC (Federal Communications Commission)는 비면허 광대역 운영을 6 GHz 대역으로 확장하여 공공의 이익을 극대화하고자 5.925 ~ 7.125 GHz(6 GHz) 대역에서 기존 서비스를 지속적으로 제공하면서 비면허 이용이 가능한 1,200 MHz 스펙트럼을 제공할 수 있는 새로운 규칙을 채택하였다. 국내에서도 6 GHz 대역에서 비면허 서비스를 도입하기 위한 M/W(microwave) 주파수 재분배 방안 연구가 진행되어 왔으며, 국민 편익을 고려하여 실내 이용의 경우 1,200 MHz 폭 전체를 공급하되, 실외 이용으로 기존 사업자를 보호하기 위해 출력조건을 제한하여 하위대역(5925 ~ 6425 MHz)의 500 MHz 폭만 우선 공급이 고려되고 있다. 본 논문에서는 국내에서도 6 GHz M/W 주파수 대역에 대한 재분배 등으로 비면허 기기 도입이 적극적으로 추진되고 있지만, 이를 운용하기 위한 기술기준 마련이 절실히 필요하므로 현재 구체화 되고 있는 미국의 6 GHz 비면허 규칙 등을 분석하여 국내 비면허 확장 도입을 위한 기술기준 제정에 필요한 데이터를 제공하고자 한다.
폐 처리된 스토론튬(Sr) 페라이트를 사용하여 GHz 대역용 전파흡수체를 개발하였다. 도전손실재인 카본의 첨가에 따른 전파흡수능의 변화와 시편 제작시 제작온도 변화에 따른 전파흡수능의 변화를 조사하였다. 이와 같은 실험을 실시하여 스토론튬(Sr) 페라이트 : 실리콘 (slicone)고무 : 카본 (carbon)=80 : 13.6 : 6.4 wt%인 시편을 7$0^{\circ}C$에서 제작하여 두께 2mm인 시편에 대하여 9.4 GHz에서 -24 dB, 두께 3mm인 시편에 대하여 5.5 GHz에서 -23 dB인 우수한 전파흡수체를 개발하였다.
저전력으로 동작하고 24리드 SSOP에 실장할 수 있는 2.4 GHz 송수신 MMIC를 1.0㎛ 이온주입 MESFET공정으로 제작하였다. 이MMIC는 송신모드일 때 2.44 GHz에서 3.9 mA의 전류를 소모하였으며 이때 변환이득은 7.5㏈, 출력 IP3는 -3.5 ㏈, 잡음지수는 3.9㏈이었다. 수신모드일 때는 소모전류 2.0mA로 전압검출도 6.5 mV/μW를 나타내었다. 그동안 발표된 다른 MMIC가 우수한 성능을 가지고 있음을 알 수 있었으며 2.4 GHz의 ISM 대역에서 간단한 방식의 무선랜, WLL, RFID 등으로 응용될 것이 기대된다.
본 논문에서는 65 nm RF CMOS 공정을 이용하여 26 GHz 위상 고정 루프(PLL)를 설계하고, 주파수 3체배기(tripler)를 이용하여 W 밴드 주파수 합성기를 설계하였다. 26 GHz VCO는 22.8~26.8 GHz, 3체배기의 출력은 74~75.6 GHz의 주파수 조정 범위를 갖는다. 제작한 주파수 합성기는 총 75.6 mW의 전력을 소모하며, 3체배기의 최종 출력은 1 MHz 오프셋에서 -75 dBc/Hz, 10 MHz 오프셋에서 -101 dBc/Hz의 위상 잡음 특성을 갖는다.
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[게시일 2004년 10월 1일]
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